一种光刻机投影物镜波像差的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种用于投影式光刻机成像系统的波像差检测方法，包括光刻机成像系统的快速正向模型建立，泽尼克系数灵敏度矩阵的解析求解，检测用掩模图形优化求解，基于单次光强测量的波像差求解。本发明专利技术方法通过解析求解无像差时的空间像光强值和泽尼克系数灵敏度矩阵，实现了基于单次离焦空间像光强测量的波像差检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于投影式光刻机成像系统测量领域，具体涉及。
技术介绍
在纳米制造中，为了实现光学光刻的高精度刻蚀，需要评估光刻机成像质量、光刻分辨率以及特征尺寸均匀性等各项光刻技术指标。光刻机投影物镜波像差(WavefrontAberration)是影响步进扫描投影光刻机性能的重要指标,直接影响到上述各项光刻技术指标，因此光刻机投影物镜波像差是光刻机中最关键的检测指标之一。波像差是指经过投影物镜后的实际波面与理想波面之间的光程差，可以用泽尼克多项式及其系数来表征。随着分辨率增强技术的不断进步和发展，光刻机投影物镜的数值孔径(NA, Numerical Aperture)正逐步逼近其制造极限。例如，目前干式光刻机投影物镜的NA值已达到0.85以上；采用浸液式光刻，则NA达到1.0以上。在超高数值孔径下，为保证成像质量、光刻分辨率以及特征尺寸均匀性等关键指标，要求投影物镜的波像差小于IOm λ(即对于193nm深紫外准分子激光照明光源而言，波像差应小于2nm)，这就要求波像差泽尼克系数检测精度达到2πιλ ;而且只获得泽尼克多项式中的低阶系数是远远不够的，需要同时获得更高阶数的泽尼克系数，一般要达到37级(即Ζ37)。从而对波像差检测技术及其系统提出了极为严峻的挑战。波像差在线检测技术以集成在工件台或硅片上的空间像传感器为基础，实现投影物镜空间像的直接测量，从而通过测量数据的实时处理，快速准确地重构出投影物镜的波像差。目前，波像差检测中一种常用的方法就是通过干涉进行检测。如ASML公司的 ILIAS (Integrated Lens Interferometer At Scanner)技术、Nikon 公司的iPot (Integrated Projecting Optics Tester)技术、以及 Canon 公司的 SPIN(SlantProjection through a Pinhole)技术和 LDI (Line Diffraction Interferometer)技术。运用干涉进行波像差测量时，集成干涉仪或便携干涉仪，因此成本较高，且硬件设计复杂。这类检测技术都可以获得37级Zernike系数，精度都能达到2m λ甚至更高，而且检测时间相对较短，鲁棒性高。但这类技术由于系统设计特别是硬件设计相当复杂，具有相当的难度，适用性并不高。在线波像差检测其中的另一种方法是ASML公司的TAMIS(TIS At MultipleIllumination Settings)技术，利用透射像传感器 TIS (Transmission Image Sensor)扫描对准过程获取空间像的实际坐标及其相对于理论成像位置的横向或纵向偏差，配合光刻机对数值孔径NA和部分相干因子σ的自动调节功能，通过基于经验的灵敏度模型计算出投影物镜的波像差。由于TAMIS技术仅仅局限于分析空域内光强信号与几何偏移的线性关系，该线性模型为简化的经验线性模型，其线性度必然受到了照明方式及掩模标记尺寸的影响，因此，TAMIS技术只能检测波像差低阶Zernike系数，难以适应目前光刻机高NA和低⑶的进一步发展。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种用于光刻机投影物镜波像差的测量方法，采用基于单次光强测量的波像差快速检测方法，实现小波像差的快速、精确提取，且流程实现简单。本专利技术提供的，用于对投影物镜的较小波像差进行快速的原位检测，所述方法包括以下步骤:步骤102，根据实际光刻机工艺条件确定曝光的特性参数，其中，特性参数包括光刻机数值孔径，光源的波长、形状、以及其他光源参数；步骤104，根据光刻投影理论，在波长差较小的情况下，简化光刻投影正向模型；步骤106，根据简化后的正向模型，计算泽尼克系数的灵敏度矩阵以及无像差时的光强值，其中，灵敏度矩阵是由每个泽尼克系数对应的一个子矩阵组成的矩阵；步骤108，采用灵敏度矩阵的条件数作为目标函数对掩模图形的参数进行掩模图形优化，得到最优掩模；步骤110，采用优化得到的掩模图形，在一定离焦处进行实际曝光测量光强；步骤112，根据曝光得到的光强值，以及计算得到的无像差光强值和灵敏度矩阵，求解泽尼克系数，得到重构的波像差。与现有的波像差检测的方法相比，本专利技术所提供的基于单一光强测量的小波像差测量方法，是一种简便的、更易实现的原位测量方法。首先，本专利技术在进行正向建模的过程中，实现了对泽尼克系数的完全提取，将表征波像差的泽尼克系数作为变量完全分离了出来，灵敏度矩阵作为需要复杂计算和大量耗时的部分，只需要提前计算一次即可，在测量过程中不需要多次大量计算；其次，本专利技术提出了灵敏度矩阵的解析表达形式，从而可以通过最小二乘法直接计算波像差的泽尼克系数，避免了通过迭代的优化算法过程中多次调用复杂的正向模型的问题，同时避免了迭代过程中陷入局部最优的问题，使得波像差的测量更简单易行。【附图说明】参照下面的说明，结合附图，可以对本专利技术有最佳的理解。图1示出了按照本专利技术的光刻机投影物镜波像差测量的流程图；图2示出了四种示例性不同拓扑结构的掩模图形；图3示出了四种示例性不同拓扑结构的掩模图形优化结果；图4示出了四种示例性不同拓扑结构的掩模图形优化前后的条件数比较；图5示出了一个示例性波像差检测的泽尼克系数结果比较；图6示出了一个示例性波像差检测的泽尼克系数的误差。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及示例性实施例，更加详细地对本专利技术进行说明。应当理解，此处所描述的示例性实施例仅用以解释本专利技术，本专利技术的保护范围并不受这些实施例的限制。图1示出了本专利技术提供的光刻机投影物镜波像差的检测方法处理流程100，其可用于对投影物镜的波像差进行原位检测。具体操作流程如下:S102，根据实际光刻机工艺条件确定曝光的特性参数；对于投影式光刻机而言，特性参数包括光刻机数值孔径，光源的波长、形状、以及其他光源参数。其中所述光源的形状包括圆形、环形、二级光源及四级光源，其他光源参数包括部分相干因子σ_、Oin及方位角Θ等参数。在测量光刻机投影物镜波像差之前，需要确定此光刻机的实际曝光参数。S104，根据光刻投影理论，简化光刻投影正向模型根据霍普金斯成像原理，空间像光强分布I (x;h)是出瞳面上关于交叉传递函数T(f1； f2;h)和掩模版频域信息0(f)的二重积分:I (x; h) =/ f O (f i) O* (f2) T (f!, f2; h) X exp [~2 n i (f ^f2).(I)其中X是空域坐标，f是频域坐标，h是离焦量,*是复共轭。而交叉传递函数又是一个关于光源J(f)和光瞳函数H(f;h)的四维传递因子:[0031 ] T(f1； f2;h) = / J(f)H(f+f!;h)H*(f+f2;h) df.(2)基于霍普金斯的部分相干成像系统的方程，可将光瞳函数H(f;h)中的波像差项用泽尼克多项式&(f)表征:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻机投影物镜波像差的测量方法，用于对投影物镜的波像差进行原位检测，所述方法包括以下步骤：步骤102，根据实际光刻机工艺条件确定曝光的特性参数，其中，特性参数包括光刻机的数值孔径，光源的波长、形状以及其他光源参数；步骤104，根据投影式光刻机的部分相干成像系统理论，简化光刻投影成像正向模型；步骤106，根据简化后的成像正向模型，计算泽尼克系数的灵敏度矩阵，其中，灵敏度矩阵是由每个泽尼克系数对应的一个子矩阵组成的矩阵；步骤108，采用灵敏度矩阵的条件数作为目标函数对掩模图形的参数进行优化，得到最优掩模；步骤110，采用优化得到的掩模图形，在一定离焦处进行实际曝光测量空间像光强；步骤112，根据曝光得到的光强值，求解泽尼克系数，得到重构的波像差。

【技术特征摘要】
1.一种光刻机投影物镜波像差的测量方法，用于对投影物镜的波像差进行原位检测，所述方法包括以下步骤: 步骤102，根据实际光刻机工艺条件确定曝光的特性参数，其中，特性参数包括光刻机的数值孔径，光源的波长、形状以及其他光源参数； 步骤104，根据投影式光刻机的部分相干成像系统理论，简化光刻投影成像正向模型； 步骤106，根据简化后的成像正向模型，计算泽尼克系数的灵敏度矩阵，其中，灵敏度矩阵是由每个泽尼克系数对应的一个子矩阵组成的矩阵； 步骤108，采用灵敏度矩阵的条件数作为目标函数对掩模图形的参数进行优化，得到最优掩模； 步骤110，采用优化得到的掩模图形，在一定离焦处进行实际曝光测量空间像光强； 步骤112，根据曝光得到的光强值，求解泽尼克系数，得到重构的波像差。2.根据权利要求1所述的测量方法，步骤102中，所述光源的形状包括圆形、环形、二级光源及四级光源，所述其他光源参数包括部分相干因子σ_、Oin及方位角Θ。3.根据权利要求1所述的测量方法，步骤104中，采用基于霍普金斯的部分相干成...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世元，许爽，龚朋，周新江，吕稳，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：