一种耐腐蚀薄膜的制备方法技术

技术编号:9736842 阅读:182 留言:0更新日期:2014-03-06 05:39
本发明专利技术公开了一种耐腐蚀薄膜的制备方法,包括:A、直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;C、直流电源溅射铬平面靶,在TiOx层上磁控溅射CrNx层;D、直流电源溅射铜平面靶,在CrNx层上磁控溅射Cu层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Cu层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的耐腐蚀薄膜的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率,对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能,广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高,仅为50%左右;在红外辐射波长范围内透射率较高,尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。另外,这些玻璃的耐磨性通常不够优良。而且现有的透明基材的耐腐性和耐热性相对较差,故此,现有的透明基材有待于进步完善。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的耐腐蚀薄膜的制备方法。为了达到上述目的,本专利技术采用以下方案:,其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层;D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层;F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。如上所述的,其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm,氧气与氩气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率为15~20KW。如上所述的,其特征在于步骤B中所述TiOx层的厚度为10~15nm,所述交流电源的溅射功率50~75KW。如上所述的,其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm,所述氮气与氩气的体积比为1:2,所述的直流电源的溅射功率3~6KW。如上所述的,其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10~20nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。如上所述的,其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3~5nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率3~5KW。如上所述的,其特征在于F中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm,所述ZnSn合金旋转祀中Zn:Sn的摩尔比48:52,所述気气与氧气的体积比为1:2,所述交流电源的溅射功率为50~75KW。如上所述的,其特征在于透明耐热基板为透明玻璃。综上所述,本专利技术的有益效果:本专利技术工艺方法简单,操作方便,生产成本相对较低。产品抗腐蚀性强、生产过程中对基板洁净程度要求不高,本专利技术产品透光率T ^ 65%,辐射率E < 0.15。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本专利技术做进一步描述: 实施例1本专利技术,包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;其中所述Bi2O3层的厚度为10nm,氧气与氩气的体积比为1:2,即氧气:気气=500sCCm dOOOsccm,所述直流电源的溅射功率为15KW,其中所述透明耐热基板为透明玻璃;B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;其中所述TiOx层的厚度为10nm,所述交流电源的溅射功率50KW ;C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层;其中所述CrNx层的厚度为3nm,所述氮气与氩气的体积比为1:2,即氮气与氩气=500sCCm:1000sCCm,所述的直流电源的溅射功率3KW ;D、采用氩气作为反应气体,氩气的体积流量为1000sccm直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层;其中所述Cu层的厚度为10nm,所述直流电源的溅射功率3KW ;E、采用氩气作为反应气体,氩气的体积流量为lOOOsccm,直流电源溅射NiCr合金平面祀,在步骤D中的Cu层上磁控派射NiCr层;所述NiCr层的厚度为3nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率3KW ;F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控派射ZnSnO3层;所述ZnSnO3层的厚度为20nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52,所述氩气与氧气的体积比为1:2,氩气与氧气=500sCCm:lOOOsccm,所述交流电源的溅射功率为50KW。实施例2本专利技术,包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;其中所述Bi2O3层的厚度为12nm,氧气与氩气的体积比为1:2,即氧气:氩气=500SCCm:1000SCCm,,所述直流电源的溅射功率为18KW,其中所述透明耐热基板为透明玻璃;B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;其中所述TiOx层的厚度为13nm,所述交流电源的溅射功率60KW ;C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层;其中所述CrNx层的厚度为4nm,所述氮气与氩气的体积比为1:2,即氮气与氩气=500sCCm:1000sCCm,所述的直流电源的溅射功率5KW ;D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层;其中所述Cu层的厚度为15nm,所述直流电源的溅射功率4KW ;E、采用氩气作为反应气体,氩气的体积流量为lOOOsccm,直流电源溅射NiCr合金平面祀,在步骤D中的Cu层上磁控派射NiCr层;所述NiCr层的厚度为4nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率4KW ;F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为25nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52,所述氩气与氧气的体积比为1:2,氩气与氧气=500sCCm:lOOOsccm,所述交流电源的溅射功率为63KW。实施例3本专利技术,包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;其中所述Bi2O3层的厚度为15nm,氧气与氩气的体积比为1:2,即氧气:氩气=500sCCm dOOOsccm,,所述直流电源的溅射功率为20KW,其中所述透明耐热基板为透明玻璃;B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层;D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层;F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。

【技术特征摘要】
1.一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层; B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层; C、采用氮气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射铬平面靶,在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层; D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射铜平面靶,在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层; E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层; F、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm,氧气与氩气的体积比为1:2,所述直流电源的溅射功率为15~20KW。3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈路玉
申请(专利权)人:中山市创科科研技术服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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