一种挠性覆铜板用覆盖膜、以及使用该覆盖膜的单双挠性覆铜板制造技术

技术编号:9734603 阅读:116 留言:0更新日期:2014-03-05 20:50
本发明专利技术涉及覆铜板技术领域,尤其是一种挠性覆铜板用覆盖膜、以及使用该覆盖膜的单双挠性覆铜板。本发明专利技术所述的挠性覆铜板用覆盖膜,包括Dk为2.0~3.0、Df为0.001~0.015的低介电绝缘基膜层和Dk为2.3~3.0、Df为0.001~0.015的低介电绝缘胶粘层,其不仅具高柔软性、低厚度、低Dk/Df,且压合温度低于220℃;用该覆盖膜制备而得的挠性线路板同时具有高频高速特性,广泛适用于3G/4G智能手机、对讲机、雷达、基站等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种挠性覆铜板用覆盖膜、以及使用该覆盖膜的单双挠性覆铜板
本专利技术涉及覆铜板
,尤其是一种挠性覆铜板用覆盖膜、以及使用该覆盖膜的单双挠性覆铜板。
技术介绍
挠性覆铜板是指在聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜等挠性绝缘材料的单面或双面,通过一定的工艺处理,与铜箔粘接在一起所形成的覆铜板。挠性覆铜板广泛用于航空航天设备、导航设备、飞机仪表、军事制导系统和手机、数码相机、数码摄像机、汽车卫星方向定位装置、液晶电视、笔记本电脑等电子产品中。由于电子技术的快速发展,使得挠性覆铜板的产量稳定增长,生产规模不断扩大,特别是高性能的以聚酰亚胺薄膜为基材的挠性覆铜板,其需求量和增长趋势更加突出。软性铜箔基材(FCCL)与刚性覆铜板在产品特性上相比,具有薄、轻和可挠性的特点。FCCL除具有薄、轻和可挠性的优点外,用聚酰亚胺基膜的FCCL,还具有优良的电性能、热性能、耐热性特点。它的较低介电常数(Dk)性,使得电信号得到快速的传输。良好的热性能,可使得组件易于降温。较高的玻璃化温度(Tg)可使得组件在更高的温度下良好运行。由于FCCL大部分的产品,是以连续成卷状形态提供给用户,因此,采用FCCL生产印制电路板,利于实现挠性线路板(FPC)的自动化连续生产和在FPC上进行元器件的连续性的表面安装。用FCCL为基板材料的FPC被广泛用于手机、数码相机、数码摄像机、汽车卫星方向定位装置、液晶电视、笔记本电脑等电子产品中。随着无线通讯技术的发展,及传输信号的高速化及大容量化要求的提高,对电子产品中印制电路板的高频特性也提出更高的要求。由于具有较低介电常数Dk及介电损耗Df,因此具有高频高速特性而得到越来越广泛的应用。对于高频高速的挠性覆铜板,其线路的保护材料覆盖膜也应该具备高频高速特性。日本可乐丽CN101223835A直接在线路上层合LCP制备挠性。但由于LCP具有较高的熔点,通常压合温度要达到300°C以上,甚至更高。较高的压合温度对压合设备的需求将大大提高,且在高温压合条件下,线路氧化的风险将会大大提闻。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足,本专利技术的目的之一,提供一种挠性覆铜板用覆盖膜,该膜不仅具高柔软性、低厚度、低Dk/Df,且用于制备覆铜板时,压合温度低。本专利技术的目的之二,提供一种使用所述覆盖膜,具有高频高速特性的挠性覆铜板,能广泛适用于3G/4G智能手机、对讲机、雷达、基站等领域。为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:一种挠性覆铜板用覆盖膜,包括基膜层和胶粘层,所述基膜层是介电常数(Dk)为2.0?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015的低介电绝缘基膜层,(;所述胶粘层是介电常数(Dk)为2.3?3.0、介电损耗(Df)为0.0Ol?0.015的低介电绝缘胶粘层,所述低介电绝缘基膜层盖设在所述低介电绝缘胶粘层的一侧。作为一个完整的商业化产品,该覆盖膜还包括离型材料层,所述离型材料层盖设在所述低介电绝缘胶粘层、与所述低介电绝缘基膜层相对应的另一侧;所述离型材料层为离型膜或离型纸,厚度为20?50 μ m。较佳地,所述低介电绝缘基膜层的厚度为12.5?100 μ m,优选12.5?50 μ m。低于此范围则粘结强度达不到要求,高于此厚度薄膜层柔韧性有所下降,且成本上升。较佳地,所述低介电绝缘胶粘层的厚度为5?50μπι删除优选。。较佳地,所述低介电绝缘胶粘层对铜箔的粘结强度为0.4?2.0N/mm。低于此粘结强度,则粘结性不佳,铜箔易于与胶分离,高于此值不利于后续加工。一种单面挠性覆铜板,包含基膜层和金属层,所述金属层盖设在所述基膜层一侧(当然,通常所述绝缘基膜层的另一侧通常还设有离型材料),所述基膜层为介电常数(Dk)为2.0?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015,厚度为12.5?100 μ m的所述低介电绝缘基膜层。一种单面挠性覆铜板,包含基膜层、胶粘层和金属层,所述金属层覆盖设在所述基膜层一侧,所述胶粘层盖设在所述基膜层的另一侧,(当然,通常,所述胶粘层的另一侧通常还设有离型材料)所述基膜层为所述基膜层为介电常数(Dk)为2.0?3.0、介电损耗(化)为0.001?0.015,厚度为12.5?100 μ m的所述低介电绝缘基膜层,所述胶粘层为介电常数(Dk)为2.3?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015,厚度为5?50 μ m、对铜箔的粘结强度为0.4?2.0N/mm的低介电绝缘胶粘层。一种双面挠性覆铜板,包含两基膜层、胶粘层和两金属层,其结构由上往下依次为金属层、基膜层、胶粘层、基膜层和金属层,所述基膜层为所述基膜层为介电常数(Dk)为2.0?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015,厚度为12.5?100 μ m的所述低介电绝缘基膜层,所述胶粘层为介电常数(Dk)为2.3?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015,厚度为5?50 μ m、对铜箔的粘结强度为0.4?2.0N/mm的低介电绝缘胶粘层。所述覆盖膜与挠性线路板材的压合温度为150?220°C,优选为160?200°C。其中,所述金属层可以是铜箔(普通电解铜箔、高延展性电解铜箔、压延铜箔)、铝箔或铜一铍合金箔。所述低介电绝缘基膜层可为液晶聚合物LCP、聚四氟乙烯PTFE、聚偏氟乙烯PVDF、全氟烷氧基乙烯基醚共聚物PFA、全氟乙烯丙烯共聚物FEP、乙烯-四氟乙烯共聚物ETFE或聚三氟氯乙烯PCTFE等。没有其他特性,就是为了低介电。所述低介电绝缘胶层可为改性的聚酰亚胺胶系、改性的聚酰胺胶系、改性的聚酰胺酰亚胺胶系或改性的环氧树脂胶系。本专利技术所述的挠性覆铜板用覆盖膜,包括电常数为2.0?3.0、介电损耗为0.001?0.015的低介电绝缘基膜层,介电常数为2.3?3.0、介电损耗为0.001?0.015的低介电绝缘胶粘层(其中,Dk和Df理论上越低越好,但是Dk低于2.0的基膜很难制备或不存在,高于3.0则会导致整体介电常数偏高。Df低于0.001很难制备,高于0.015则会导致整体介电常数偏高,最终导致压合温度偏高,设备费用昂贵);所述胶粘层是介电常数(Dk)为2.3?3.0、介电损耗(Df)为0.001?0.015的低介电绝缘胶粘层(其中,Dk低于2.3,则影响胶黏剂其他性能如,粘结强度。高于3.0则会导致整体介电常数偏高。Df低于0.0Ol很难制备,高于0.015则会导致整体介电常数偏高最终导致压合温度偏高,设备费用昂贵),所述低介电绝缘基膜层的一侧盖设所述低介电绝缘胶粘层。由于本专利技术覆盖膜中的基膜层和胶粘层的厚度一定,且都具有低介电常数,从而使其最终产品的介电损耗低(0.001?0.015)制备覆铜板过程中压合温度较低(低于220°C),现有液晶聚合物膜LCP的压合温度在300°C以上。因而其对制作设备要求低,在低温压合条件下,大大降低了所制备覆铜板中线路氧化的风险;其制备操作性、加工性优于现有的LCP覆盖膜。总之,本专利技术所述覆盖膜具高柔软性、低厚度、低Dk/Df,且压合温度低。用所述覆盖膜制备挠性线路板(FPC)同时具有高频高速特性,广泛适用于3G/4G智能手机、对讲机、雷达、基站等领域。【附图说明】图1为本专利技术中所述含有离型材料覆盖膜的结构示意图;图2为本专利技术中单面挠性覆铜板本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种挠性覆铜板用覆盖膜,包括基膜层和胶粘层,其特征在于,所述基膜层是介电常数为2.0~3.0、介电损耗为0.001~0.015的低介电绝缘基膜层,所述胶粘层是介电常数为2.3~3.0、介电损耗为0.001~0.015的低介电绝缘胶粘层,所述低介电绝缘基膜层盖设在所述低介电绝缘胶粘层的一侧。

【技术特征摘要】
2013.06.18 CN 201320350331.91.一种挠性覆铜板用覆盖膜,包括基膜层和胶粘层,其特征在于,所述基膜层是介电常数为2.0?3.0、介电损耗为0.0Ol?0.015的低介电绝缘基膜层,所述胶粘层是介电常数为2.3?3.0、介电损耗为0.001?0.015的低介电绝缘胶粘层,所述低介电绝缘基膜层盖设在所述低介电绝缘胶粘层的一侧。2.如权利要求1所述的挠性覆铜板用覆盖膜,其特征在于:所述覆盖膜还包括离型材料层,所述离型材料层盖设在所述低介电绝缘胶粘层、与所述低介电绝缘基膜层相对应的另一侧。3.如权利要求1或2所述的挠性覆铜板用覆盖膜,其特征在于:所述低介电绝缘基膜层的厚度为12.5?100 μ m。4.如权利要求3所述的挠性覆铜板用覆盖膜,其特征在于:所述低介电绝缘基膜层的厚度为12.5?50 μ m。5.如权利要求1或2所述的挠性覆铜板用覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员:周韶鸿茹敬宏
申请(专利权)人:广东生益科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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