半导体晶片的清洗方法技术

本发明专利技术是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
过去，作为一种使用将臭氧水、稀氢氟酸、纯水组合而进行清洗处理的方法。作为该场合的通常的清洗流程，以臭氧水清洗一稀氢氟酸清洗一臭氧水(纯水)清洗一干燥的顺序进行清洗。在该方法中，在最初的臭氧水清洗中进行附着在半导体晶片表面的有机物的去除，在下一个稀氢氟酸清洗中将形成于半导体晶片表面的氧化膜与混入在该氧化膜中的金属杂质一起去除，其后，在半导体晶片表面上需要保护氧化膜的情况下利用臭氧水(或纯水)进行表面氧化处理。而且，出于提高清洗力的目的还实施使用臭氧水和氢氟酸反复进行半导体晶片表面的氧化膜的形成和蚀刻的方法(专利文献I)。例如在通过叶片式自转清洗的半导体晶片的清洗中也如上所述那样组合臭氧水清洗、HF (氢氟酸)清洗、纯水清洗而进行,在通过臭氧水清洗而在半导体晶片表面形成氧化膜之后进行的HF清洗中，氧化膜本身也与混入在上述氧化膜中的金属杂质一起被去除。由此，在半导体晶片表面露出未形成有氧化膜的面(以下称之为裸面)，因而成为粒子容易附着的状态，使得粒子水平变差。因此，在半导体晶片的清洗中同时降低金属杂质水平和粒子水平成为了课题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-273911号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种在清洗半导体晶片时能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的。解决课题的方案为了解决上述课题，根据本专利技术提供一种，该方法具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该，其特征是在该中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。这样一来，在通过之前所进行的HF清洗而充分地去除了半导体晶片表面中的金属杂质之后，通过上述的最后进行的HF清洗而溶解通过臭氧水清洗而形成于上述半导体晶片表面的氧化膜时，通过保留一部份厚度就能够抑制由于上述氧化膜从半导体晶片表面上完全被去除而露出裸面导致成为粒子容易附着的状态，由此能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平。而且，通过半导体晶片的清洗中最后进行的HF清洗而溶解上述氧化膜时，只要在半导体晶片表面保留上述氧化膜的一部份厚度即可，因而非常简便。而且此时，在上述中的最初的HF清洗中，理想的是去除形成于上述半导体晶片表面的氧化膜全部。这样一来，能够可靠地去除半导体晶片表面中的金属杂质以及混入有金属杂质的氧化膜，并能够可靠地降低金属杂质水平，且在其后的HF清洗中保留氧化膜也没问题。而且此时，在上述中的第二次以后的HF清洗中，理想的是以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。这样一来，例如即便是反复进行HF清洗和臭氧清洗的场合也在第二次以后的HF清洗中保留氧化膜，因此，能够更加可靠地抑制由于半导体晶片表面的氧化膜完全被去除而露出裸面导致成为粒子容易附着的状态使得半导体晶片表面的粒子水平变差。而且此时，在上述中，能够通过将进行臭氧水清洗之后进行HF清洗，或者进行HF清洗之后进行臭氧水清洗的过程交替地反复两次以上进行清洗而进行上述半导体晶片的清洗。这样一来，能够更为有效地降低半导体晶片表面的金属杂质水平和粒子水平，因而比较理想。而且此时，能够在以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗的HF清洗中，HF浓度设为0.1wt %?1.5wt%。这样一来，通过臭氧水清洗而形成在半导体晶片表面的氧化膜的溶解不会导致过多地消耗时间，而且，也不会因上述氧化膜的溶解所需时间过短而导致控制困难，因而比较理相而且此时，能够在上述臭氧水清洗中，臭氧水的浓度设为3ppm以上。这样一来，进一步提高臭氧水清洗中的清洗效果，因而比较理想。而且此时，能够以叶片式自转清洗进行上述半导体晶片的HF清洗、臭氧水清洗。这样，在本专利技术的中的HF清洗和臭氧水清洗中能够适用叶片式自转清洗。专利技术效果如以上所说明，若使用本专利技术的，则可有效地且简便地减少半导体晶片表面的粒子，进而能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平。【附图说明】图1是表示本专利技术中的一例的流程图。图2是表示了在实施例和比较例中对于各HF清洗次数的晶片表面的粒子水平的图表的图。【具体实施方式】以下，关于本专利技术的，作为实施方式的一例一边参照图1一边详细说明，但本专利技术并不限定于此。首先，准备通过本专利技术的清洗方法进行清洗的半导体晶片。这里所能够使用的半导体晶片，虽然并不限定于此，但例如可以是硅片或GaAs、InP等的化合物半导体晶片等。将这样的半导体晶片按照例如图1所示的流程图进行清洗。首先进行图1 (a)所示的最初的臭氧水清洗。作为此时使用的臭氧水的浓度，由于臭氧水浓度越高则其清洗效果就越高，因而能够设为3ppm以上，理想的是5ppm以上，更为理想的是IOppm以上。另外，由于该最初的臭氧水清洗是以去除附着在半导体晶片表面的有机物为目的，因而若已准备的半导体晶片几乎没有有机物附着则也可以省略。接着，如图1 (b)?(d)所示，通过以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序清洗半导体晶片。这里，在本专利技术中，在进行上述清洗工序中的最后的HF清洗(相当于图1 (d)的HF清洗)时，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。这样一来，通过之前所进行的HF清洗(图1 (b))从半导体晶片表面充分地去除了金属杂质之后，能够抑制由于形成于半导体晶片表面的氧化膜通过臭氧水清洗(相当于图1 (c)的臭氧水清洗)被完全去除而露出裸面导致成为粒子容易附着的状态，由此能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平。另外，并不特别限定此时保留在半导体晶片表面上的氧化膜的一部份厚度，只要是能够充分地保护半导体晶片表面的厚度即可。而且，图1 (c)的臭氧水清洗能够与图1 (a)的臭氧水清洗同样地进行。而且，在进行上述清洗工序中的最初的HF清洗(相当于图1 (b)的HF清洗)时，若将形成于半导体晶片表面的氧化膜全部去除则能够更加可靠地去除半导体晶片表面的金属杂质，进而通过其后进行的臭氧水清洗而形成保护半导体晶片表面的氧化膜，因此，也不会导致粒子水平变差，因而比较理想。另外，图1中示出了仅进行一次这样的HF / O3 / HF的清洗工序的例，但本专利技术并不限定于此，还可以进行两次以上、进而进行三次以上。其时，在第二次以后的HF清洗中，若以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗，则能够更加有效地降低半导体晶片表面中的粒子水平，因而比较理想。而且，作为以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行HF清洗的方法，虽然并不限定于此但将清洗时间缩短以防例如氧化膜全部溶解即可。而且，在可将两种以上的浓度不同的HF清洗液向半导体晶片表面供給的情况下，使在上述半导体晶片表面保留氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该半导体晶片的清洗方法，其特征在于，在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.17 JP 2011-1348091.一种半导体晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半导体晶片的清洗方法中的最初的HF清洗中，去除形成于上述半导体晶片表面的氧化膜全部。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半导体晶片的清洗方法中的第二次以后的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部达夫，椛泽均，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：
国别省市：