一种双极化天线制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双极化天线，包括外壳、第一馈电同轴电缆、第二馈电同轴电缆，底板、辐射体和介质基板及其表面的微带天线阵，其中，所述底板设置在所述外壳底部，所述辐射体设置在所述底板上，所述介质基板固定于所述外壳的顶部内壁上，相对位置在所述辐射体上方，所述底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，所述介质基板上的微带天线与所述第二馈电同轴电缆连接。本实用新型专利技术的有益效果是：底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，形成垂直极化全向天线；介质基板上的微带天线与第二馈电同轴电缆连接，形成水平极化天线，由于介质板上的微带天线采用LDS工艺，介质基材的形状不被约束，占用空间较小，结构简单，成本较低。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种双极化天线
[0001 ] 本技术涉及天线，尤其涉及一种双极化天线。
技术介绍
现有的双极化吸顶天线介质基材形状受约束占用的空间较大，结构较复杂，成本较闻。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种双极化天线。本技术提供了一种双极化天线，包括外壳、第一馈电同轴电缆、第二馈电同轴电缆，底板、辐射体和介质基板及其表面的微带天线阵，其中，所述底板设置在所述外壳底部，所述辐射体设置在所述底板上，所述介质基板固定于所述外壳顶部内壁，所述底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，所述介质基板上的微带天线阵与所述第二馈电同轴电缆连接。作为本技术的进一步改进，所述辐射体为锥形辐射体。作为本技术的进一步改进，所述介质基板的上表面金属层为辐射层，所述介质基板的下表面金属层为接地层，所述介质基板的辐射层与所述第二馈电同轴电缆的芯线连接，所述介质基板的接地层与所述第二馈电同轴电缆的外导体连接。作为本技术的进一步改进，所述介质基板为绝缘基板，所述辐射层设置在所述介质基板的上表面，所述接地层设置在所述介质基板的下表面。作为本技术的进一步改进，所述底板与第一馈电同轴电缆的外导体连接，所述辐射体与第一馈电同轴电缆的芯线连接。作为本技术的进一步改进，所述介质基板的表面设有至少二个对称振子或对数周期振子。作为本技术的进一步改进，所述介质基板上设有对所述对称振子进行同相等幅馈电的功分网络单元。作为本技术的进一步改进，所述外壳为塑胶外壳，所述塑胶外壳包括绝缘罩体和绝缘盖板，所述绝缘盖板设置在所述底板的底部，所述绝缘盖板覆盖所述底板，所述辐射体、介质基板均位于所述绝缘罩体之内。作为本技术的进一步改进，所述外壳内设有金属支撑条，所述金属支撑条的一端与所述底板连接，另一端与所述辐射体连接。本技术的有益效果是:通过上述方案，底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，形成垂直极化全向天线；介质基板上的微带天线阵与第二馈电同轴电缆连接，形成水平极化天线，由于介质板上的微带天线采用LDS工艺，介质基材的形状不被约束，占用空间较小，结构简单，成本较低。【附图说明】图1是本技术一种双极化天线的剖面结构示意图；图2是本技术一种双极化天线的结构示意图；图3是本技术一种双极化天线的介质基板微带天线阵Sll驻波比图；图4是本技术一种双极化天线的介质基板微带天线阵高频E面方向图；图5是是本技术一种双极化天线的介质基板微带天线阵高频H面方向图。【具体实施方式】下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本技术进一步说明。图1至图5中的附图标号为:底板I ;福射体2 ;接地层3 ;介质基板4 ;福射层5 ；外壳6 ;绝缘盖板(从降低成本方面考虑，此绝缘盖板可取消)7 ;第一馈电同轴电缆8 ;第二馈电同轴电缆9 ;金属支撑条10。如图1至图5所示，一种双极化天线，包括外壳6、第一馈电同轴电缆8、第二馈电同轴电缆9，底板1、辐射体2和介质基板4，其中，所述底板I设置在所述绝缘盖板7上，所述辐射体2设置在所述底板I上，所述介质基板4悬于所述辐射体2之上，所述底板1、辐射体2分别与第一馈电同轴电缆8连接，所述介质基板4上的接地层3和辐射层5与所述第二馈电同轴电缆9连接，介质基板4、辐射体2、底板I上下依次排列，所述介质基板4紧靠外壳6的内壁，处在辐射体2上方，介质基板4设有过孔，所述介质基板4的形状可以做成与外壳6轮廓相同，以进一步减小占用空间。如图1至图5所示，所述辐射体2优选为锥形辐射体。如图1至图5所不,所述介质基板4的上表面金属层为福射层5,所述介质基板4的下表面金属层为接地层3，所述介质基板4的辐射层5与所述第二馈电同轴电缆9的芯线连接，所述介质基板4的接地层3与所述第二馈电同轴电缆9的外导体连接，所述辐射层5、接地层3均采用LDS (Laser-Direct-Structuring激光直接成型技术)成型。如图1至图5所示，所述介质基板4为绝缘基板，所述介质基板4优选为塑胶基板，所述辐射层5设置在所述介质基板4的上表面，所述接地层3设置在所述介质基板4的下表面，所述接地层3与辐射层5形成金属层微带天线阵。如图1至图5所示，所述底板I与第一馈电同轴电缆8的外导体连接，所述辐射体2与第一馈电同轴电缆8的芯线连接。如图1至图5所示，所述介质基板4的表面设有至少二个对称振子或对数周期振子，优选的，介质基板4表面均匀分布3飞个对称振子(或对数周期振子)。如图1至图5所示，所述介质基板4上设有对所述对称振子进行同相等幅馈电的功分网络单元。如图1至图5所示，所述外壳6为塑胶外壳，所述塑胶外壳包括绝缘罩体和绝缘盖板7，所述绝缘盖板7设置在所述底板2的底部，所述绝缘盖板7覆盖所述底板I，所述辐射体2、介质基板4均位于所述绝缘罩体之内。如图1至图5所示，所述外壳6内设有金属支撑条10，所述金属支撑条10的一端与所述底板I连接，另一端与所述辐射体2的顶端连接，所述金属支撑条10有三条并沿所述辐射体2的周向间隔设置，可通过金属支撑条10结合底板I实现所述辐射体2的良好固定。图3是本技术介质基板微带天线阵Sll驻波比图，可以看出，天线在驻波比小于2具有较好的带宽。图4、5是本技术介质基板微带天线阵2.35GHz E面和H面的方向图，可以看出，天线具有较好的不圆度。本技术提供的一种双极化天线，是在现有单极化吸顶天线的基础上进行双极化改进、创新；底板1、辐射体2分别与第一馈电同轴电缆8连接，构成覆盖806~960MHz、1710-2690ΜΗζ频段的垂直极化天线；介质基板4上的接地层3和辐射层5与第二馈电同轴电缆9连接，构成可覆盖1710-2690ΜΗζ频段的水平极化天线，介质基材4的形状不被约束，占用空间较小，结构简单，成本较低，由于介质基板4上的金属层微带天线阵采用LDS工艺，故不受介质基板4形状约束，同时，在相同的外壳空间内，介质基板4的形状不被约束，可以做成和外壳6轮廓相同，微带天线阵也不再局限于一个平面上，有利于水平极化天线辐射，通过改变介质基板4和振子的形状，可以达到改变方向图和增益的目的，而且在将单极化吸顶天线向双极化改进过程中简化了制造工艺，降低了成本，保证产品的小型化、精致化。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范`围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极化天线，其特征在于：包括外壳、第一馈电同轴电缆、第二馈电同轴电缆，底板、辐射体和介质基板及其表面的微带天线阵，其中，所述底板设置在所述外壳的底部，所述辐射体设置在所述底板上，所述介质基板固定于所述外壳的顶部内壁，所述底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，所述介质基板上的微带天线与所述第二馈电同轴电缆连接。

【技术特征摘要】
1.一种双极化天线，其特征在于:包括外壳、第一馈电同轴电缆、第二馈电同轴电缆，底板、辐射体和介质基板及其表面的微带天线阵，其中，所述底板设置在所述外壳的底部，所述辐射体设置在所述底板上，所述介质基板固定于所述外壳的顶部内壁，所述底板、辐射体分别与第一馈电同轴电缆连接，所述介质基板上的微带天线与所述第二馈电同轴电缆连接。2.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于:所述辐射体为锥形辐射体。3.根据权利要求1所述的双极化天线，其特征在于:所述介质基板的上表面金属层为辐射层，所述介质基板的下表面金属层为接地层，所述介质基板的辐射层与所述第二馈电同轴电缆的芯线连接，所述介质基板的接地层与所述第二馈电同轴电缆的外导体连接。4.根据权利要求3所述的双极化天线，其特征在于:所述介质基板为绝缘基板，所述辐射层设置在所述介质基板的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祝东，谭淇方，彭海斌，
申请(专利权)人：深圳市发斯特精密技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：