一种耐冲击的半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，氟硅橡胶层的厚度范围为0.5毫米到2毫米。本实用新型专利技术产生的有益效果是：采用氟硅橡胶层位于被封装半导体器件和环氧树脂层之间，可以起到耐冲击的作用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种耐冲击的半导体封装结构
本技术涉及半导体封装
，更确切地说是涉及一种耐冲击的半导体封装结构。
技术介绍
在半导体封装技术方面，现有的技术通常采用环氧树脂进行封装，环氧树脂的耐冲击性能差，会将外部冲击直接传递给被封装的半导体器件，难以满足耐冲击半导体封装的需要。由此可见，上述现有半导体封装结构亟待加以改进。
技术实现思路
本技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有的半导体封装结构存在的缺陷，而提供一种耐冲击的半导体封装结构。本技术解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本技术提出的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，氟硅橡胶层的厚度范围为0.5晕米到2晕米。本技术的有益效果在于，采用柔软的氟硅橡胶层位于被封装半导体器件和环氧树脂层之间，可以起到耐冲击的作用。【附图说明】图1为本技术的截面结构示意图。附图标记说明:1、被封装半导体器件；2、氟硅橡胶层；3、环氧树脂层。【具体实施方式】以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参阅图1所示，本技术的一种耐冲击的半导体封装结构，包括被封装半导体器件1、氟硅橡胶层2和环氧树脂层3，氟硅橡胶层2覆盖被封装半导体器件1，环氧树脂层3覆盖氟硅橡胶层2，氟硅橡胶层2的厚度范围为0.5毫米到2毫米。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐冲击的半导体封装结构，其特征在于：所述耐冲击的半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层，所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，所述环氧树脂层覆盖氟硅橡胶层，所述氟硅橡胶层的厚度范围为0.5毫米到2毫米。

【技术特征摘要】
1.一种耐冲击的半导体封装结构，其特征在于:所述耐冲击的半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层和环氧树脂层...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏攀，游平，
申请(专利权)人：江西创成半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：