【技术实现步骤摘要】
一种死区补偿控制方法及系统
本专利技术涉及一种电子
，尤其涉及一种死区补偿控制方法及系统。
技术介绍
变频控制器硬件电路中三相U、V、W中的每相均包括两个上下互补的桥臂(gpIGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor,中文全称:绝缘栅双极型晶体管)。每个桥臂是由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，上下两个桥臂严格轮流导通和关断。但实际情况是，每个器件的通、断都需要一定的时间，尤其是关断时间比导通时间更长。在关断过程中，如果截止的器件立即导通，必然引起桥臂短路。为了防止这种情况发生，必须在驱动信号中引入一段死区时间Td。上下两只桥臂不能同时导通，需要在其中实时的插入死区，确保上下两只桥臂不会造成短路，保证桥臂的安全。死区时间的引入使得主电路不能精确再现由调制波发生器所产生的理想调制波波形，影响输出的电压和电流，使得低速轻载时的电压及电流发生严重畸变，引起转矩脉动和谐波。目前的死区补偿方法，或者通过硬件电路来实现，或者通过复杂的模型配合复杂的软件来实现，补偿不准确，造成一定的“死区效应”，引起压缩机相电流畸变，导致对电源和其他电器的电源污染，一定程度降低了压缩机的功率因素和系统的性能，特别是引起低频轴误差估计不准等问题。
技术实现思路
本申请提供一种死区补偿控制方法及系统，解决了现有技术中，因死区补偿不准确，导致引起压缩机相电流畸变，导致对电源和其他电器的电源污染的技术问题，达到提高死区补偿的准确性，减小了电流的畸变，减小了对电源和其他电器的电源污...
【技术保护点】
一种死区补偿控制方法，其特征在于，所述死区补偿控制方法包括：根据当前电压指令、载波周期和当前直流母线电压，获得调制波的第一占空比值；对所述第一占空比值进行补偿值的补偿，获得第二占空比值，所述补偿值的大小由当前电流指令决定，所述当前电流指令与所述当前电压指令对应；接收所述第二占空比值，根据所述第二占空比值控制桥臂的开合。
【技术特征摘要】
1.一种死区补偿控制方法，其特征在于，所述死区补偿控制方法包括: 根据当前电压指令、载波周期和当前直流母线电压，获得调制波的第一占空比值； 对所述第一占空比值进行补偿值的补偿，获得第二占空比值，所述补偿值的大小由当前电流指令决定，所述当前电流指令与所述当前电压指令对应； 接收所述第二占空比值，根据所述第二占空比值控制桥臂的开合。2.如权利要求1所述的死区补偿控制方法，其特征在于，所述根据当前电压指令、载波周期和当前直流母线电压，获得调制波的第一占空比值，具体为: 根据所述当前电压指令、所述载波周期和所述当前直流母线电压，获得三相调制波在载波周期的第一占空比TU、TV和Tw。3.如权利要求2所述的死区补偿控制方法，其特征在于，当前电流指令为矢量F,r在三相U、V、W的坐标轴的投影分别为ΙΛ Iv' I；时，所述补偿值的大小由当前电流指令决定，具体为: 所述三相调制波对应的补偿值ATU、八1；和ATw的大小分别与ιΛιΛι^；的正负和调制波的死区时间Td大小相关。4.如权利要求3所述的死区补偿控制方法，其特征在于，所述三相调制波对应的补偿值Λ Tu、Λ Tv和Λ Tw的大小分别与Iu' I/、I；的正负相关，具体为: 5.如权利要求4所述的死区补偿控制方法，其特征在于，所述对所述第一占空比值进行补偿值的补偿，获得第二占空比值，具体为: 将所述第一占空比值Tu、Tv和Tw分别与所述补偿值Λ Tu、Λ Tv和Λ Tw进行叠加，获得所述第二占空比值Tul、Tvl和Twl。6.如权利要求3所述的死区补偿控制方法，其特征在于，在7与坐标轴U相之间的夹角(θ +Φ)时，所述三相调制波对应的补偿值ATU、八1；和ATw的大小分别与ιΛιΛι^；的正负相关，具体为: 所述三相调制波对应的补偿值ATU、八1；和ATw的大小分别与(θ+φ)的大小相关，其中，Θ为电机转子轴与坐标轴U夹角，Θ+Φ为f与坐标轴U的夹...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟明，陈跃，凃小平，刘启武，
申请(专利权)人：四川长虹电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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