一种防过热漏电保护断路器制造技术

本发明专利技术涉及一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。本发明专利技术的有益效果是：具有防过热和防漏电的断路器，可以有效的保护使用者的用电安全，结构简单且安全性高。

【技术实现步骤摘要】
一种防过热漏电保护断路器
本专利技术涉及一种断路器电路，特别是涉及一种防过热漏电保护断路器。
技术介绍
随着社会的发展，人们对电器的使用要求也越来越高，电器的使用保护也越发重视，由于断路器能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流，并能关合、在规定的时间内承载和开断异常回路条件(包括短路条件)下的电流的开关装置，因而断路器成为生活中必不可少的装置。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可以防止温度过高而影响电器使用的防漏电保护断路器，结构简单，安全性高。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。进一步的技术方案是，所述防过热保护电路包括NMOS管、电阻Rl和三极管Q2，所述NMOS管的Ql的源极连接电压U的正极，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接电压U的负极，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，当NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接。进一步的技术方案是，所述漏电保护电路包括NMOS管、三极管Ql、电阻Rl、R2、R3、R4、R5、电容Cl、C2、C3、C4、稳压管ZD1、ZD2、整流二极管Dl、D2、可调电阻RPl、电压检测器IC1、磁线圈L、电压检测器IC1、可控硅SCR，所述电容Cl的一端连接NMOS管Ql的漏极，另一端连接电压U的负极，所述稳压二极管ZD1、ZD2串联后并联至电容Cl两端，从而保护后续电路的使用，所述电阻R2和可调电阻RPl串联后并联至Cl电容两端，从而实现调节漏电电流值的功能，所述电容C2的一端连接NMOS管的漏极，另一端分别连接二极管Dl的负极和D2的正极，所述二极管Dl的正极连接电压U的负极，所述二极管D2的负极分别连接有极性的电容C3的正极和磁线圈L的一端，所述电容C3的负极连接电压U的负极，所述磁线圈L的另一端连接可控硅SCR的阳极，所述可控硅SCR的阴极连接电压U的负极，控制极连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电压检测器ICl的输出端，所述电压检测器ICl的两个输入端并联电容C4后分别连接至电阻R4的两端，所述电阻R4的一端连接电压U的负极，另一端连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接电容C3的正极，通过电容C2、二极管Dl和D2组成的电路对电压U升压后，对电容C3进行充电，同是电阻R4的两端即电压检测器ICl的输入端之间出现电位差，当电阻R4两端电位差达到电压检测器ICl的检测电压时，电压检测器ICl输出一个信号并经过电阻R4后输入到可控娃SCR的触发极,触发可控硅SCR导通，使电容C3和磁线圈L形成放电回路，驱动与磁线圈L匹配的脱扣动作，即驱动漏电保护断路器动作而断开被保护电路的电源，从而实现漏电保护功能。本专利技术的有益效果是:具有防过热和防漏电的断路器，可以有效的保护使用者的用电安全，结构简单且安全性高。【附图说明】图1为本专利技术一种防过热漏电保护断路器的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。所述防过热保护电路包括NMOS管、电阻Rl和三极管Q2，所述NMOS管的Ql的源极连接电压U的正极，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接电压U的负极，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，当NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接。所述漏电保护电路包括NMOS管、三极管Ql、电阻Rl、R2、R3、R4、R5、电容Cl、C2、C3、C4、稳压管ZD1、ZD2、整流二极管Dl、D2、可调电阻RPl、电压检测器ICl、磁线圈L、电压检测器IC1、可控硅SCR，所述电容Cl的一端连接NMOS管Ql的漏极，另一端连接电压U的负极，所述稳压二极管ZDl、ZD2串联后并联至电容Cl两端，从而保护后续电路的使用，所述电阻R2和可调电阻RPl串联后并联至Cl电容两端，从而实现调节漏电电流值的功能，所述电容C2的一端连接NMOS管的漏极，另一端分别连接二极管Dl的负极和D2的正极，所述二极管Dl的正极连接电压U的负极，所述二极管D2的负极分别连接有极性的电容C3的正极和磁线圈L的一端，所述电容C3的负极连接电压U的负极，所述磁线圈L的另一端连接可控硅SCR的阳极，所述可控硅SCR的阴极连接电压U的负极，控制极连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电压检测器ICl的输出端，所述电压检测器ICl的两个输入端并联电容C4后分别连接至电阻R4的两端，所述电阻R4的一端连接电压U的负极，另一端连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接电容C3的正极，通过电容C2、二极管Dl和D2组成的电路对电压U升压后，对电容C3进行充电，同是电阻R4的两端即电压检测器ICl的输入端之间出现电位差，当电阻R4两端电位差达到电压检测器ICl的检测电压时，电压检测器ICl输出一个信号并经过电阻R4后输入到可控娃SCR的触发极,触发可控娃SCR导通，使电容C3和磁线圈L形成放电回路，驱动与磁线圈L匹配的脱扣动作，即驱动漏电保护断路器动作而断开被保护电路的电源，从而实现漏电保护功能。当该电路连接到电压U时，NMOS管在温度适当的情况下时，源极和漏极之间为导通状态，此时电压U对漏电保护电路进行供电，通过漏电保护电路对电压U的检测进行判断电压U是否过压，即是否需要断路，如电压U过大，则使得磁线圈L驱动与这匹配的脱扣动作，从而行成断路，如电压U正常，则磁线圈L不会驱动脱扣，进而起到防过热漏电保护功倉泛。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，其特征在于，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。

【技术特征摘要】
1.一种防过热漏电保护断路器，包括防过热保护电路和漏电保护电路，其特征在于，所述防过热保护电路分别连接内部的电压U和漏电保护电路，在温度过高时保护后续电路，所述漏电保护电路检测电压的同时驱动漏电保护断路器动作从而断开被保护电路的电源，实现漏电保护功能。2.根据权利要求1所述一种防过热漏电保护断路器，其特征在于，所述防过热保护电路包括NMOS管、电阻Rl和三极管Q2，所述NMOS管的Ql的源极连接电压U的正极，NMOS管Ql的栅极连接电阻Rl的一端和基准电源VGND，电阻Rl的另一端连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接电压U的负极，三极管Q2的基极连接基准电源VGND，当NMOS管在温度适当的情况下，源极和漏极之间为导通状态，当温度过高时，三极管Q2的基极和发射极之间的电降低，使得三极管Q2导通，从而拉低NMOS管Ql的栅极电平，使得NMOS管Ql关闭，即断开了端口和可变电阻RPl之间的连接。3.根据权利要求1或2任一所述一种防过热漏电保护断路器，其特征在于，所述漏电保护电路包括NMOS管、三极管Q1、电阻Rl、R2、R3、R4、R5、电容Cl、C2、C3、C4、稳压管ZDl、ZD2、整流二极管Dl、D2、可调电阻RP1、电压检测器IC1、磁线圈L、电压检测器IC1、可控硅SCR，所述电容Cl的一端连接NMOS管Ql的漏极，另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泰武，李文礼，彭应光，万文华，
申请(专利权)人：桂林机床电器有限公司，
类型：发明
国别省市：