GPP二极管芯片生产工艺流程制造技术

GPP二极管芯片生产工艺流程，涉及二极管芯片制造技术领域，在整个生产的过程中一定要遵循：清洗硅片—喷磷—一次分离—单面吹砂—涂硼—硅片扩散—二次分离—双面吹砂—光刻、刻蚀—清洗烘干—表面金属化—完成晶片的整个过程，特别对于光刻步骤需要将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层。本发明专利技术在整个过程中进过反复的分离、清洗和吹砂能够有效提高生产效率，降低生产成本，而且自主创新的扩散工艺能够提高产品质量，于提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
GPP 二极管芯片生产工艺流程
:本专利技术涉及二极管芯片制造
，具体涉及GPP 二极管芯片生产工艺流程。
技术介绍
:GPP芯片主要用于SMD封装、桥堆和高档1N400系列整流管，其中SMD器件是滇西信息制造业的主流技术，而国家也是对SMD进行重点支持和鼓励，二极管应用领域的广泛性和不可替代性决定这个行业前景的广阔性，目前GPP被广泛应用于整流桥堆，比普通STD具有更高的可靠性和稳定性，但是目前在国内一些比较先进的技术都被大型国有企业掌控，在普通的生产企业中所采用的技术比较简单，而且生产成本高，生产效率较低。
技术实现思路
:本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种能够有效提高生产效率，降低生产成本，提高产品质量增加二极管芯片稳定性的GPP 二极管芯片生产工艺流程。本专利技术所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:GPP 二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤:(I)选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用；(2)在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作；(3)操作完成后采用激光技术对硅片进行分离；(4)分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用；(5)将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂；(6)将硅片放置在经过1220窩温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部；(7)将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离；(8)将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用；(9)将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻；(10)对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用；(11)将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对娃片进行一次光刻处理；(12)处理完成后即便完成晶片的生产。本专利技术的有益效果是:在整个过程中进过反复的分离、清洗和吹砂能够有效提高生产效率，降低生产成本，而且自主创新的扩散工艺能够提高产品质量，于提高工作效率。【具体实施方式】:为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体示例，进一步阐述本专利技术。GPP 二极管芯片生产工艺流程主要包括以下方法进行加工:选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用，在硅片清洗完成后使用涂磷机器对其进行帖磷和附磷操作，操作完成后采用激光技术对硅片进行分离，分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用，将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂，将硅片放置在经过1220高温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部，将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离，将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用，将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻，对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用，将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理，处理完成后即便完成晶片的生产。在整个生产的过程中一定要遵循:清洗硅片一喷磷一一次分离一单面吹砂一涂硼一硅片扩散一二次分离一双面吹砂一光刻、刻蚀一清洗烘干一表面金属化一完成晶片的整个过程，这样生产出来的GPP 二极管芯片才会更加稳定，同时效率也提高了成本也相对有所降低。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
GPP二极管芯片生产工艺流程其特征在于：GPP二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤：（1）选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用；（2）在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作；（3）操作完成后采用激光技术对硅片进行分离；（4）分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用；（5）将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂；（6）将硅片放置在1220温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅片内部；（7）将扩散后的硅片放置在氢氟酸中数天后使其自动进行硅片分离；（8）将分离后的硅片放置在喷砂机中，对分离后的硅片的两面继续进行吹砂，喷砂完成后进行清洗待用；（9）将清洗完成后的硅片涂布光致抗蚀剂然后套准掩模板并曝光，然后用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，最后去除已感光的光致抗蚀剂层，即完成光刻；（10）对光刻完成后的硅片进行湿法刻蚀，使其去除遮蔽膜的材料，然后将其清洗干净待用；（11）将已经刻蚀之后的硅片进行表面金属化处理，使其看起来更加光泽亮丽，然后再对硅片进行一次光刻处理；（12）处理完成后即便完成晶片的生产。FDA0000400502160000011.jpg...

【技术特征摘要】
1.GPP 二极管芯片生产工艺流程其特征在于: GPP 二极管芯片生产工艺流程主要包括以下技术步骤: (1)选取质量优异的硅片对硅片进行清洗，将硅片放置在清洗机上对其进行物理清洗，在清洗完成后将其取出待用； (2)在硅片清洗完成后使用机器对其进行帖磷和附磷操作； (3)操作完成后采用激光技术对硅片进行分离； (4)分离完成后对已经分离过的硅片进行单面吹砂，将其放置在喷砂机中对硅片的单面进行喷砂，喷砂完成后进行清洗然后待用； (5)将单面吹砂后的硅片进行喷硼操作，在喷砂面涂覆一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂； (6)将硅片放置在1220高温设备中2小时左右，使磷原子扩散到硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨威，樊玉，杨跃武，杨学勤，
申请(专利权)人：蚌埠天宇机械工具有限公司，
类型：发明
国别省市：