一种光刻胶水基硅片清洗液及其制备方法技术

一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2-3、四氢糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸钠2-3、苯甲酸钠2-3、钼酸钠1-2、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120。本发明专利技术的清洗剂可以用于LED和半导体中光刻胶的去除，同时对于硅片基本没有攻击，且成本低，清洗简单。本发明专利技术的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及清洗剂领域，尤其涉及。
技术介绍
硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。目前多数娃片清洗剂米用RAC清洗中的一号液和三号液,但是一号液显碱性,可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，该清洗剂具有对光刻胶清洗速度快，对硅片腐蚀性小。本专利技术的技术方案如下: 一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成:三乙醇胺2-3、四氢糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸钠2-3、苯甲酸钠2-3、钥酸钠1_2、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-轻基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将娃烧偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。所述光刻胶水基硅片清洗液的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将去离子水、三乙醇胺、四氢糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸钠、苯甲酸钠、钥酸钠、乙醇混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8°C /分的速率加热到60_70°C，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。本专利技术的有益效果 本专利技术的清洗剂可以用于LED和半导体中光刻胶的去除，同时对于硅片基本没有攻击，且成本低，清洗简单。本专利技术的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。【具体实施方式】一种光刻胶水基硅片清洗液，由下列重量份(公斤)的原料制成:三乙醇胺2.5、四氢糠醇4.5、苯并三氮唑1.5、十二烷基苯磺酸钠2.4、苯甲酸钠2.5、钥酸钠1.5、乙醇35、助剂4.5、去离子水110 ；所述助剂由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂10351.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3.5、乙醇14 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至65°C，搅拌25分钟后，再加入其它剩余成分，升温至84°C，搅拌34分钟，即得。所述光刻胶水基硅片清洗液的制备方法，包括以下步骤:将去离子水、三乙醇胺、四氢糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸钠、苯甲酸钠、钥酸钠、乙醇混合，在1100转/分搅拌下，以7V /分的速率加热到65°C，加入其他剩余成分，继续搅拌18分钟，即得。该光刻胶水基硅片清洗液用于清洗带有光刻胶的硅片，洗净率为99%，对洗净硅片表面不会残留不溶物，不产生新污染，不影响产品的质量，洗净后的硅片表面干净，色泽一致，无花斑。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2?3、四氢糠醇4?5、苯并三氮唑1?2、十二烷基苯磺酸钠2?3、苯甲酸钠2?3、钼酸钠1?2、乙醇30?40、助剂4?5、去离子水100?120；所述助剂由下列重量份的原料制成：硅烷偶联剂KH?570?2?3、抗氧剂1035?1?2、植酸1?2、吗啉3?4、甲基丙烯酸?2??羟基乙酯3?4、乙醇12?15；制备方法是将硅烷偶联剂KH?570?、植酸、乙醇混合，加热至60?70℃，搅拌20?30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80?85℃，搅拌30?40分钟，即得。

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成:三乙醇胺2-3、四氢糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸钠2-3、苯甲酸钠2-3、钥酸钠1_2、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-轻基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将娃烧偶联剂KH-570、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭万东，孟祥法，董培才，
申请(专利权)人：合肥中南光电有限公司，
类型：发明
国别省市：