用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法技术

本发明专利技术涉及用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法。通过扩散控制装置，使扩散源由点变成了和半导体样品平行的面，相当于使扩散源到样品每个区的距离一样，并可控制浓度高低和扩散深度，以在半导体制造过程中控制扩散通量；使扩散浓度和深度的均匀性大大提高，源材料在半导体样品里浓度均匀分布，从而大大提高样品的整体均匀性和成品率。由于扩散控制装置及其扩散路径离扩散源（源材料）很近，源材料一经挥发，扩散控制装置先起阻挡作用，使得扩散控制装置的下表面迅速被源材料均匀充满，再经过扩散路径重新分配，均匀到达样品各个区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于半导体制造过程中的扩散室，其特征在于包括：源材料；半导体样品，其中所述样品具有一个或多个源材料掺杂扩散区；承载样品的载体；扩散控制装置；其中所述扩散室中的源材料在真空条件下进行加热和蒸发，并穿过用于控制源材料通量的扩散控制装置，这样所述源材料在所述样品上方的扩散区内浓度均匀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶瑾琳，廖世蓉，
申请(专利权)人：叶瑾琳，廖世蓉，
类型：发明
国别省市：