半自动闭塞模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半自动闭塞模块，该模块包括：第一与第二电阻、瞬态电压抑制TVS二极管、稳压二极管、电容以及磁耦；其中，所述TVS二极管并联在所述第一与第二电阻的串联链路中，所述稳压二极管与电容依次并联在所述第二电阻与所述磁耦的串联链路中。通过采用本实用新型专利技术公开的半自动闭塞模块，可适应宽范围电压信号，且有效降低了设备成本。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
半自动闭塞模块
本技术涉及铁路交通
，尤其涉及一种半自动闭塞模块。
技术介绍
目前，大多铁路仍采用继电半自动闭塞的人工办理闭塞方式，它是以继电电路的逻辑关系来完成两站间的闭塞作用的，故半自动闭塞的设备非常多:包括室内外的闭塞机、相关继电器及一段专用轨道电路。现有的半自动闭塞是通过零散模块实现的，其主要用于控制闭塞、场联、站联、电码化等零散电路接口。其内部电路中使用光耦采集电流的方式工作。如图1所示，光耦U输入端的电压与IK采集电阻相同，而该电阻两端的电压是与6.2K电阻分压取得。该采集电路的原理为:假设光耦U输入端的导通压降为IV，当输入采集电压(81+、81-间的电压)小于7V时，电阻8IAR1两端的电压分压小于IV，达不到光耦导通电压，因此无法被采集到；当采集电压大于7V时，IK电阻分压大于IV，光耦导通，电压被采集到。当输入采集电压为100V时，该电压几乎全部由6.2K电阻8IAR2承担，该电阻的功耗约为1.6W;当输入采集电压为150V时，该电阻的功耗约为3.6W。由此可以看出在采集电压较大时，6.2K电阻的功耗较大，发热较大，需要考虑封装大的电阻。但存在的问题是，电阻体积大占空间大，发热大容易烧毁。如果改变电阻8IAR1和8IAR2的阻值，不改变分压t匕，会导致采集电压小时，流经光耦的电流小，使光耦处于放大区，达不到饱和导通；如果改变电阻8IAR1和8IAR2的阻值，改变分压比，会导致采集电压小时，光耦无法导通，提高了采集门槛。因此，现有技术的半自动闭塞模块中输入较大电压与输入较小电压存在难以平衡的问题，适用小电压时，大电压容易将某些器件烧坏，而调整后适用大电压时，小电压难以可靠驱动光耦。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种半自动闭塞模块，可适应宽范围电压信号，且有效降低了设备成本。本技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种半自动闭塞模块，该模块包括:第一与第二电阻、瞬态电压抑制TVS 二极管、稳压二极管、电容以及磁耦；其中，所述TVS 二极管并联在所述第一与第二电阻的串联链路中，所述稳压二极管与电容依次并联在所述第二电阻与所述磁耦的串联链路中。由上述本技术提供的技术方案可以看出，利用磁耦实现较大范围直流开关量电压信号采集，使得该模块可以适用宽范围的接口电路，因此，有效降低了设备成本。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。图1为本技术
技术介绍
提供的一种半自动闭塞模块的示意图；图2为本技术实施例一提供的一种半自动闭塞模块的示意图；图3为本技术实施例一提供的又一种半自动闭塞模块的示意图。【具体实施方式】下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。实施例一本专利技术实施例一提供一种半自动闭塞模块，通过更改原来电流驱动为电压驱动，减小输入接口输入功率；并且，利用磁耦隔离和分压实现较大范围直流开关量电压信号采集，使得该模块可以适用宽范围的接口电路，因此，有效降低了设备成本。本实施例提供的半自动闭塞模块主要包括:第一与第二电阻、瞬态电压抑制TVS 二极管、稳压二极管、电容以及磁耦；其中，所述TVS 二极管并联在所述第一与第二电阻的串联链路中，所述稳压二极管与电容依次并联在所述第二电阻与所述磁耦的串联链路中。进一步的，该模块还包括:与所述第一电阻串联的快恢复二极管、并联在所述快恢复二极管与所述第一电阻之间的第三电阻，以及并联在所述第二电阻与所述稳压二极管之间的第四电阻。进一步的，该模块还包括:分别与所述电容串联并相互并联的第五与第六电阻、串联在所述第五电阻与所述磁耦串联链路中的第一晶体二极管，以及串联在所述第六电阻与所述磁耦串联链路中的第二晶体二极管。进一步的，该模块还包括:并联在所述稳压二极管与所述电容之间的第七电阻、并联在所述电容与所述磁耦之间的三极管，以及连接于所述磁耦与所述三极管基极之间的第八电阻。进一步的，该模块还包括:分别与所述磁耦串联连接的第一光耦与第二光耦；其中，所述第一光耦的一端经由第九电阻与所述磁耦连接，另一端接地；所述第二光耦的一端直接与所述磁耦连接，另一端经由第十电阻接地。为了便于理解，下面结合附图2-3对本专利技术提供的半自动闭塞模块做进一步说明。如图2所示，为本技术实施例一提供的一种半自动闭塞模块的示意图。该半自动闭塞模块主要包括:第一与第二电阻(RIl与1R2)、TVS (瞬态电压抑制)二极管DI1、稳压二极管1D2、电容ICl以及磁耦Ul ;其中，所述TVS 二极管DIl并联在所述第一与第二电阻(RIl与1R2)的串联链路中，所述稳压二极管1D2与电容ICl依次并联在所述第二电阻1R2与所述磁耦Ul的串联链路中。该模块还包括:与所述第一电阻RIl串联的快恢复二极管D1、并联在所述快恢复二极管Dl与所述第一电阻RIl之间的第三电阻RIX1，以及并联在所述第二电阻1R2与所述稳压二极管1D2之间的第四电阻1R3。该模块还包括:分别与所述电容串联并相互并联的第五与第六电阻(IRB与1RA)、串联在所述第五电阻IRB与所述磁耦Ul串联链路中的第一晶体二极管DB1，以及串联在所述第六电阻IRA与所述磁耦Ul串联链路中的第二晶体二极管DA1。另外，该模块还包括并联在磁耦Ul的VSEL 口与GND2 口之间的电容1C2。本实施例中的元件可使用下述参数:第一电阻RIl的电阻为20K，第二电阻1R2的电阻为51K，第三电阻RIXl的电阻为15K，第四电阻1R3的电阻为20K，第五与第六电阻(1RB与1RA)的电阻为100K，电容ICl的电容量为4.7uF，电容1C2的电容量为0.1uF0该模块在工作时，输入电压从11+与I1-端子输入后，首先，经过快恢复二极管D1，该二极管用于电压反接保护，然后进入第三电阻RIX1，该电阻进行能量小的干扰信号消除。然后，电压在第一、第二与第四电阻(RI1UR2与1R3)分压；并联在所述第一与第二电阻(RIl与1R2)的串联链路中的TVS 二极管DIl用于消除浪涌信号，保护后面电路；同时，第一电阻RIl也保护了 TVS 二极管DI1，防止其击穿电流过大。第四电阻1R3上的分压进入稳压二极管1D2，当电压小于5V时，该二极管不起作用，然后经过电容ICl滤波，再通过第五与第六电阻(1RB与1RA)分成两路后，进入磁耦Ul的两个输入端1A+、1B+，经磁耦隔离后从输出端1AI+、1BI+输出。磁耦Ul右侧信号AJ和BJ是检查信号，可以控制第一与第二晶体DBl，DAl进行检查功能，当有信号时，晶体二极管导通，输入信号被禁止，反之，输入正常。通过检查电路，可以判断磁耦芯片的好坏状态，当有故障时，可以通过软件进行故障安全处理，提高了安全性倉泛。本实施例中的磁稱Ul输入电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半自动闭塞模块，其特征在于，该模块包括：第一与第二电阻、瞬态电压抑制TVS二极管、稳压二极管、电容以及磁耦；其中，所述TVS二极管并联在所述第一与第二电阻的串联链路中，所述稳压二极管与电容依次并联在所述第二电阻与所述磁耦的串联链路中。

【技术特征摘要】
1.一种半自动闭塞模块,其特征在于，该模块包括:第一与第二电阻、瞬态电压抑制TVS 二极管、稳压二极管、电容以及磁耦；其中，所述TVS 二极管并联在所述第一与第二电阻的串联链路中，所述稳压二极管与电容依次并联在所述第二电阻与所述磁耦的串联链路中。2.根据权利要求1所述的半自动闭塞模块，其特征在于，该模块还包括:与所述第一电阻串联的快恢复二极管、并联在所述快恢复二极管与所述第一电阻之间的第三电阻，以及并联在所述第二电阻与所述稳压二极管之间的第四电阻。3.根据权利要求2所述的半自动闭塞模块，其特征在于，该模块还包括:分别与所述电容串联并相互并联的第五与第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳红宇，刘龙，唐水雄，杨雪峰，胡永焕，钟白平，李大飞，周莹，
申请(专利权)人：北京康吉森交通技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：