【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高金刚石框架强度的PCD材料
技术介绍
在本领域中已知的多晶金刚石(polycrystalline diamond, PO))材料由金刚石晶粒(或晶体)和催化剂材料在经受高压高温条件下(“HPHT”烧结工艺)制成。已知上述的PCD材料具有高度的耐磨损性,使得其成为用于像用于机械加工的切割工具以及地下采矿钻井中的磨损元件和切割元件的工业应用中受欢迎的材料选择,其中需要上述的高度耐磨损性。在上述的应用中,常规的PCD材料能够以表面层或体(body)的形式提供,用以给予切割工具所需要的耐磨损性水平。传统地,P⑶切割元件包含基体和与其连接的P⑶体或层。在上述切割元件应用中使用的基体包括碳化物,例如烧结碳化钨(例如,WC-Co)。上述常规的PCD体利用催化剂材料用以促进金刚石晶粒之间的晶间粘合,且用以将PCD层粘合到位于下面的基体。常规用作催化剂的金属通常选自溶剂金属催化剂,包括钴、铁、镍、以及它们的组合和合金。用以形成PCD体的催化剂材料的数量代表了需要的强度/韧度/耐冲击性特性与硬度/耐磨损性/热稳定性之间的折中。尽管较高的金属催化剂含量通常增加得到的PCD体的强度、韧度、以及耐冲击性,但是上述较高的金属催化剂含量也降低了 PCD体的硬度和对应的耐磨损性和热稳定性。因此,这些相反地影响的特性最终限制了提供具有所需水平的硬度、耐磨损性、热稳定性、强度、耐冲击性、以及韧度的PCD体用以满足特定应用的服务要求的能力,所述应用例如用于地下钻井装置中的切割且/或磨损元件。用于特定应用的PCD体的特别需要的特性是在磨损或切割操作期间的改善的热稳定性。常规的PCD体中存在的一个 ...
【技术保护点】
切割元件,包含:多晶金刚石体,其包含:界面表面;与所述界面表面相对的顶表面;与所述顶表面会合的切割边缘;以及材料微结构,其包含多个粘合在一起的金刚石晶体和所述金刚石晶体之间的间隙区域,所述微结构具有包含所述切割边缘的至少一部分的第一区域,并且其中所述第一区域包含1200Mpa或更大的金刚石框架强度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.18 US 61/476,6961.切割元件,包含: 多晶金刚石体,其包含: 界面表面; 与所述界面表面相对的顶表面; 与所述顶表面会合的切割边缘;以及 材料微结构,其包含多个粘合在一起的金刚石晶体和所述金刚石晶体之间的间隙区域,所述微结构具有包含所述切割边缘的至少一部分的第一区域,并且 其中所述第一区域包含1200Mpa或更大的金刚石框架强度。2.根据权利要求1所述的切割元件,其中所述第一区域的所述金刚石框架强度为1300Mpa或更大。3.根据权利要求1或2所述的切割元件,其中所述第一区域包含小于10微米的平均烧结晶粒尺寸。4.根据权利要求1或2所述的切割元件,其中所述第一区域包含小于7微米的平均烧结晶粒尺寸。5.根据权利要求1或2所述的切割元件,其中所述第一区域包含在5-6微米范围中的平均烧结晶粒尺寸。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域包含大体上不含催化剂材料的多个间隙区域,并且其中所述第一区域从所述切割边缘延伸到至少300微米的深度。7.根据权利要求6所述的切割元件,其中贴近于所述界面表面的所述微结构中的第二区域包含多个间隙区域,所述间隙区域包含布置于其内的催化剂材料。8.根据权利要求1至7中任意一项所述的切割元件,其中在室温下,在浸滤之后,所述微结构展现出不大于25%的压缩应力下降。9.根据权利要求1至8中任意一项所述的切割元件,其中在所述第一区域中的金刚石体积分数为大于91%。10.根据权利要求1至9中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域沿着所述切割元件的整个切割边缘延伸。11.根据权利要求1至9中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域沿着所述多晶金刚石体的至少一个临界区域延伸。12.根据权利要求1至9中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域沿着整个顶表面、切割边缘、以及侧表面的至少一部分延伸。13.根据权利要求1至9中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域包含整个多晶金刚石体。14.根据权利要求13所述的切割元件,进一步包含粘合到所述界面表面的基体。15.根据权利要求1至12中任意一项所述的切割元件,在所述微结构的至少一部分中包含催化剂材料,并且其中所述多晶金刚石体具有大约1500MPa或更大的强度。16.切割元件,包含: 基体;以及 在所述基体之上形成的多晶 金刚石体,所述多晶金刚石体包含:与所述基体在界面处会合的界面表面; 与所述界面表面相对的顶表面; 与所述顶表面会合的切割边缘;以及 材料微结构,其包含多个粘合在一起的金刚石晶体和所述金刚石晶体之间的间隙区域,其中贴近于所述顶表面的所述微结构的第一区域具有大约1300Mpa或更大的金刚石框架强度和小于10微米的平均烧结晶粒尺寸。17.根据权利要求16所述的切割元件,其中所述界面包含具有高度与直径的比率在O到0.1之间的非攻击性形状。18.根据权利要求16或17所述的切割元件,其中所述基体包含少于或等于大约11重量%的钴含量。19.根据权利要求16至18中任意一项所述的切割元件,其中所述微结构的所述第一区域包含大体上不含催化剂材料的多个间隙区域,并且所述切割元件进一步包含贴近于所述界面表面的所述微结构的第二区域,其中所述第二区域含有包含布置于其内的催化剂材料的多个间隙区域。20.根据权利要求16至19中任意一项所述的切割元件,其中所述第一区域包含小于7微米的平均烧结晶粒尺寸。21.切割元件,包含: 基体,其具有高度与直径的比率在O到0.1之间的界面表...
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