电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备技术

本发明专利技术提供电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。本发明专利技术的封装的制造方法包括以下的工序：准备设置低熔点玻璃（270）的底座基板（210）和盖（259）；在减压环境下将低熔点玻璃（270）加热到流动点以上，使低熔点玻璃（270）消泡；在利用低熔点玻璃（270）使底座基板（210）以及盖（250）重合之后，在减压环境下将低熔点玻璃（270）加热到流动点以上，接合底座基板（210）以及盖（250）。

【技术实现步骤摘要】
电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备
本专利技术涉及电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。
技术介绍
一直以来，公知有在封装中收纳振动元件等电子部件而构成的电子器件。另外，一般情况下，准备底座基板、在底座基板上安装振动元件，使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭，由此来制造这样的电子器件(例如，专利文献1)。在专利文献1中，首先，在底座基板上涂敷浆状的低熔点玻璃，使该低熔点玻璃在真空炉中消泡之后进行煅烧。接着，在底座基板上安装振动元件，最后，通过低熔点玻璃使盖与底座基板接合而对振动元件进行气密封闭。在这样的方法中，因为预先进行了低熔点玻璃的消泡，所以能够使得将盖与底座基板接合时的加热温度比较低，从而能够抑制在该工序中产生气体。但是，在专利文献1中具有如下这样的问题：因为消泡的条件不明，所以无法有效地进行低熔点玻璃的消泡，剩余的气泡成为泄漏通路导致气密性降低，或者促使低熔点玻璃变质(结晶化)，使底座基板与盖的接合强度降低。专利文献1：日本特开2004-172752号公报
技术实现思路
本专利技术的目的是提供通过可靠地进行消泡而具有良好的接合强度和高气密性的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件。本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例而实现。[应用例1]本专利技术的封装的制造方法的特征是，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；以及在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体。由此，能够可靠地进行消泡，并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的封装。[应用例2]本专利技术的电子器件的制造方法的特征是，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体；以及在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件。由此，能够可靠地进行消泡，并能够制造具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。[应用例3]在本专利技术的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序中，将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。由此，能够更有效地进行低熔点玻璃的消泡。[应用例4]在本专利技术的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述接合的工序中，将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。由此，能够将接合时的温度抑制到最小限度，所以能够有效地抑制在封装内产生气体。另外，能够提高封装内的真空度。[应用例5]在本专利技术的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序之前，包括这样的工序：在含有氧的环境中将所述低熔点玻璃加热到低于转移点的温度。由此，能够去除(煅烧)低熔点玻璃所包含的粘合剂，所以在之后的工序中可防止粘合剂气化而成为气体。[应用例6]在本专利技术的电子器件的制造方法中，优选的是，所述低熔点玻璃至少设置在底座基板上，在所述消泡的工序之前进行安装所述功能元件的工序。由此，在消泡的工序中，可进行低熔点玻璃的消泡并且进行保持部件的煅烧。因此，能够进行制造工序的削减，另外，能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。[应用例7]在本专利技术的电子器件的制造方法中，优选的是，在所述消泡的工序中，与所述低熔点玻璃的消泡同时进行所述保持部件的煅烧。由此，能够削减制造工序。另外，能够降低低熔点玻璃受到的热损伤。[应用例8]本专利技术的电子器件在利用低熔点玻璃接合底座基板和盖体而构成的内部空间中配置有功能元件，其特征在于，所述低熔点玻璃为致密状态。由此，可获得具有良好的接合强度和高气密性的电子器件。[应用例9]本专利技术的电子设备的特征在于具备应用例8的电子器件。由此，能够获得可靠性高的电子设备。附图说明图1是利用本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法制造的电子器件的俯视图。图2是图1所示的电子器件的剖视图(图1中的A-A线剖视图)。图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图。图4是示出本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。图5是预煅烧后的低熔点玻璃的截面照片。图6是示出本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。图7是示出本专利技术第2实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。图8是示出应用了具备本专利技术电子器件的电子设备的移动型(或笔记本型)个人计算机的结构的立体图。图9是示出应用了具备本专利技术电子器件的电子设备的便携电话机(还包含PHS)的结构的立体图。图10是示出应用了具备本专利技术电子器件的电子设备的数字静态照相机的结构的立体图。图11是示出应用了具备本专利技术电子器件的电子设备的移动体(汽车)的结构的立体图。标号说明100，100’…电子器件；200…封装；210…底座基板；211…顶面；230…电极；231…连接电极；232…外部安装电极；233…贯通电极；240…电极；241…连接电极；242…外部安装电极；243…贯通电极；250…盖；270…低熔点玻璃；291、292…银浆料；300…振动元件；310…压电基板；320…激励电极；321…电极部；322…焊盘；323…布线；330…激励电极；331…电极部；332…焊盘；333…布线；400…层叠体；910、920…按压板；911、921…加热器；1100…个人计算机；1102…键盘；1104…主体部；1106…显示单元；1200…便携电话机；1202…操作按钮；1204…受话口；1206…送话口；1300…数字静态照相机；1302…壳体1304…受光单元；1306…快门按钮；1308…存储器；1312…视频信号输出端子；1314…输入输出端子；1430…电视监视器；1440…个人计算机；1500…汽车；1501…车身；1502…车身姿势控制装置；1503…车轮；2000…显示部；S…内部空间(收纳空间)。具体实施方式以下，根据附图所示的优选实施方式来详细说明本专利技术的封装的制造方法、电子器件的制造方法以及电子器件。<第1实施方式>图1是利用本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法来制造的电子器件的俯视图，图2是图1所示的电子器件的剖视图(图1中的A-A线剖视图)，图3是图1所示的电子器件具有的振动元件的俯视图，图4是示出本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图，图5是预煅烧后的低熔点玻璃的截面照片，图6是示出本专利技术第1实施方式的电子器件的制造方法的剖视图。此外，以下，为了便于说明，将图2中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。1.电子器件首先，说明本专利技术的电子器件(利用本专利技术的电子器件的制造方法来制造的电子器件)。如图1以及图2所示，电子器件100具备封装200和收容在封装200内的振动元件(功能元件)300。振动元件图3的(a)是从上方观察振动元件300的俯视图，图3的(b)是从上方观察振动元件300的透视图(俯视图)。如图3的(a)、(b)所示，振动元件300具有平面图形状为长方形板状的压电基板310、以及形成在压电基板310的表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体；以及在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件。

【技术特征摘要】
2012.08.18 JP 2012-1812471.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下的工序：准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体；在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，对所述低熔点玻璃进行消泡；在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后，在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上，接合所述底座基板以及所述盖体；以及在所述接合的工序之前，利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件，在所述消泡的工序中，与所述低熔点玻璃的消泡同时，进行煅烧条件没有所述低熔点玻璃的消泡条件严格的所述保持部件的煅烧。2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，在所述消泡的工序中，将所述低熔点玻璃加热到作业点以上。3.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其中，在所述接合的工序中，将所述低熔点玻璃加热到流动点以上且作业点以下。4.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其中，在所述消泡的工序之前，包括这样...

【专利技术属性】
技术研发人员：镰仓知之，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：