高压发生器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高压发生器，高压发生器的高压功放单元采用三级放大电路进行信号放大，其中一级放大单元和二级放大单元采用共集电极输出，此电路形式便于高压输出。另外，高压功放单元的二级放大电单元和三级放大单元中的晶体管及电阻均采用串联的形式，增加了电路的耐压能力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
高压发生器
本技术涉及一种高压发生器。
技术介绍
因现在的分立器件的功率越来越大，最高电压已到KV级，而现在国内的大功率测试比较落后，缺乏相应的检测设备，为此设计一种高压发生器。
技术实现思路
为解决目前一般高压发生器由于耐高压性差而无法完成大功率分立器件测试的技术问题，本技术提供一种可对大功率分立器件进行检测的高压发生器。本技术的技术解决方案如下:一种高压发生器，包括高压功放单元及用于给高压功放单元供电的高压电源，其特殊之处在于:所述高压功放单元包括级联的一级晶体管放大单元、二级晶体管放大单元、三级晶体管放大单元；所述一级晶体管放大单元包括晶体管Q1、与晶体管Ql基极连接的基极电阻R25、与晶体管Ql发射极连接的发射极电阻R22，所述基极电阻R25的另一端接输入信号，所述发射极电阻R22的另一端接地；所述二级晶体管放大单元包括晶体管单元Q2、基极电阻单元R26、发射极电阻R23、集电极电阻Rll ；所述晶体管单元Q2的集电极与集电极电阻Rll相连；所述晶体管单元Q2的基极与一级晶体管放大单元的晶体管Ql的集电极相连；所述晶体管单元Q2的发射极与发射极电阻R23链接，所述发射极电阻R23的另一端接地；所述基极电阻单元R26的一端接电源，所述基极电阻单元R26的另一端与晶体管Ql的集电极连接；所述晶体管单元Q2包括多个晶体管Q21，其中，上一个晶体管Q21的发射极和下一个晶体管Q21的集电极相连，所述基极电阻单元R26包括与晶体管Q21 —一对应的多个基极电阻R21 ;所述基极电阻R21的一端与相应的晶体管Q21的基极相连，其另一端与上一个晶体管的基极相连；所述三级晶体管级放大单元包括晶体管单元Q3、基极电阻单元R27 ；所述晶体管单元Q3的信号输入端与电阻Rll的输出端连接，所述晶体管单元Q3的输出端通过负载RL接地；所述基极电阻单元R27的一端接电源；所述基极电阻单元R27的另一端接集电极电阻Rll的输出端；所述晶体管单元Q3包括多个晶体管Q31 ;其中，上一个晶体管Q31的发射极和下一个晶体管Q31的集电极相连，所述基极电阻单元R27包括与晶体管Q31 —一对应的多个基极电阻R31 ;所述基极电阻R31的一端与相应的晶体管Q31的基极相连，其另一端与上一个晶体管的基极相连。本技术的有益效果:1、本技术的高压功放单元采用三级放大电路进行信号放大，其中一级放大单元和二级放大单元采用共集电极输出，此电路形式便于高压输出。另外，高压功放单元的二级放大电单元和三级放大单元中的晶体管及电阻均采用串联的形式，增加了电路的耐压能力。【附图说明】图1为本技术的高压电源的电路图；图2为本技术的高压功放的电路原理图；图3为本技术的高压功放的具体电路图。【具体实施方式】图1是一个高压开关电源，给高压功放供电。Dl是一个整流器，将交流转换成直流半波，再Rl和C7滤波为308V直流加在Tl开关变压器上。Ul发出PWM波，来控制开关管T2的导通，从而控制Tl输入极电流变化，这时Tl输出级产生电压信号，经过Cl，C2，C5，C6，D2，D3，D4，D5倍压电路后产生高压HV，再经过R5和R6分压反馈回Ul以达到稳定的高压。图2是一个带有负反馈的正极功放电路。它的一级晶体管放大单元和二级晶体管放大单元为共集电极输出，三级晶体管放大单元为共射极输出，输出电压Uo=-UiR41/R40。但此图中如要输出高压必须要求Q3耐压必须非常高(几千伏)，而这是单管达不到的。为了得到高压输出，引用实际图3电路图，Q3由η个放大管Q31串联组成，这样经过分压，实际加在每个放大管的电压只有1/n (HV)，η个放大管可同时进入放大区，从而达到升高压目的。而作为控制端的Q21也不能承受高压，所以在Q21导通时由R23，R11分压，用R31的中间抽头来控制Q31各放大管导通。Ql是第一次放大，是用来控制Q21的输入的信号。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压发生器，包括高压功放单元及用于给高压功放单元供电的高压电源，其特征在于：所述高压功放单元包括级联的一级晶体管放大单元、二级晶体管放大单元、三级晶体管放大单元；?所述一级晶体管放大单元包括晶体管Q1、与晶体管Q1基极连接的基极电阻R25、与晶体管Q1发射极连接的发射极电阻R22，所述基极电阻R25的另一端接输入信号，所述发射极电阻R22的另一端接地；?所述二级晶体管放大单元包括晶体管单元Q2、基极电阻单元R26、发射极电阻R23、集电极电阻R11；?所述晶体管单元Q2的集电极与集电极电阻R11相连；所述晶体管单元Q2的基极与一级晶体管放大单元的晶体管Q1的集电极相连；所述晶体管单元Q2的发射极与发射极电阻R23连接，所述发射极电阻R23的另一端接地；?所述基极电阻单元R26的一端接电源，所述基极电阻单元R26的另一端与晶体管Q1的集电极连接；?所述晶体管单元Q2包括多个晶体管Q21，其中，上一个晶体管Q21的发射极和下一个晶体管Q21的集电极相连，所述基极电阻单元R26包括与晶体管Q21一一对应的多个基极电阻R21；所述基极电阻R21的一端与相应的晶体管Q21的基极相连，其另一端与上一个晶体管的基极相连；?所述三级晶体管放大单元包括晶体管单元Q3、基极电阻单元R27；?所述晶体管单元Q3的信号输入端与电阻R11的输出端连接，所述晶体管单元Q3的输出端通过负载RL接地；?所述基极电阻单元R27的一端接电源；所述基极电阻单元R27的另一端接集电极电阻R11的输出端；?所述晶体管单元Q3包括多个晶体管Q31；其中，上一个晶体管Q31的发射极和下一个晶体管Q31的集电极相连，所述基极电阻单元R27包括与晶体管Q31一一对应的多个基极电阻R31；所述基极电阻R31的一端与相应的晶体管Q31的基极相连，其另一端与上一个晶体管的基极相连。...

【技术特征摘要】
1.一种高压发生器，包括高压功放单元及用于给高压功放单元供电的高压电源，其特征在于:所述高压功放单元包括级联的一级晶体管放大单元、二级晶体管放大单元、三级晶体管放大单元； 所述一级晶体管放大单元包括晶体管Q1、与晶体管Ql基极连接的基极电阻R25、与晶体管Ql发射极连接的发射极电阻R22，所述基极电阻R25的另一端接输入信号，所述发射极电阻R22的另一端接地； 所述二级晶体管放大单元包括晶体管单元Q2、基极电阻单元R26、发射极电阻R23、集电极电阻Rll ； 所述晶体管单元Q2的集电极与集电极电阻Rll相连；所述晶体管单元Q2的基极与一级晶体管放大单元的晶体管Ql的集电极相连；所述晶体管单元Q2的发射极与发射极电阻R23连接，所述发射极电阻R23的另一端接地； 所述基极电阻单元R26的一端接电源，所述基极电阻单元R26的另一端与晶体管Ql的集电极连接； 所述晶体管单元Q2...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭胜岩，武学星，
申请(专利权)人：陕西开尔文测控技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：