金槽杂质离子去除装置制造方法及图纸

技术编号:9675225 阅读:113 留言:0更新日期:2014-02-15 00:51
本实用新型专利技术公开一种金槽杂质离子去除装置,包括金槽、用于去除杂质离子的除杂单元和用于将所述金槽中液体输送到所述除杂单元的循环单元,所述除杂单元设置在所述金槽中,所述循环单元连接所述除杂单元和所述金槽。本实用新型专利技术能够较好的去除化金槽内的杂质阳离子。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
金槽杂质离子去除装置
本技术涉及电路板加工领域,特别是一种金槽杂质离子去除装置。
技术介绍
在印刷电路板(PCB, printed circuit board)的化金加工过程中,金槽中Cu2+和Ni2+的含量过高会使沉积速率升高,易造成甩金和金面粗糙,同时降低金槽寿命和增加化金成本。现有技术目前的工艺无法清除金槽中含有的Cu2+和Ni2+,只能变更参数来使用槽体浓度或者清洗金槽。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够去除金槽内杂质的金槽杂质离子去除装置。为解决本技术的技术问题,本技术提供一种金槽杂质离子去除装置,包括包括金槽、用于去除杂质离子的除杂单元和用于将所述金槽中液体输送到所述除杂单元的循环单元,所述除杂单元设置在所述金槽中,所述循环单元连接所述除杂单元和所述金槽。优选的,所述除杂单元包括离子交换膜。优选的,所述离子交换膜具有和Ni2+和Cu2+相适应的孔径。优选的,还包括连接单元,所述连接单元连接所述循环单元和所述除杂单元并连接所述循环单元和所述金槽。优选的,所述循环单元包括泵。与现有技术相比较,本技术包括除杂单元和循环单元,能够较好的去除金槽体内的杂质阳离子。【附图说明】图1是本技术金槽杂质离子去除装置的一个实施方式的示意图。【具体实施方式】下面将对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅是本技术的一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施方式,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,是本技术金槽杂质离子去除装置的一个实施方式的示意图,所述金槽杂质离子去除装置包括金槽10、用于去除杂质离子的除杂单元20、用于将所述金槽中液体输送到所述除杂单元的循环单元30和连接所述循环单元和所述金槽10以及所述除杂单元20的连接单元40。所述除杂单元20设置在所述金槽10中,所述循环单元30通过所述连接单元40连接所述除杂单元20和所述金槽10。在所述实施方式中,所述除杂单元20包括离子交换膜。所述循环单元30包括泵。当离子交换膜遇水时,活性基团在水中电离产生可交换离子,并且在水分子的作用下向水体中扩散;扩散的结果会使离子交换膜的基体上留有与可交换离子电荷符号相反的电荷;在浓差扩散和静电引力两种相反力的作用下,形成了双电层式结构。事实上,金槽的金离子以络合物〔Au (CN) 2 )-的形式存在,带负电且离子半径远大于Ni2+和Cu2+,故而所述除杂单元20的阳离子交换膜不会和金离子产生离子交换。因此,所述除杂单元20在所述循环单元30运转时,能够和金槽10内的杂质阳离子,如Ni2+和Cu2+进行离子交换,从而有效降低化金槽中Ni2+和Cu2+含量,提升金槽寿命以及改善金面粗糙和甩金。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明,不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种金槽杂质离子去除装置,其特征在于,包括金槽、用于去除杂质离子的除杂单元和用于将所述金槽中液体输送到所述除杂单元的循环单元,所述除杂单元设置在所述金槽中,所述循环单元连接所述除杂单元和所述金槽。

【技术特征摘要】
1.一种金槽杂质离子去除装置,其特征在于,包括金槽、用于去除杂质离子的除杂单元和用于将所述金槽中液体输送到所述除杂单元的循环单元,所述除杂单元设置在所述金槽中,所述循环单元连接所述除杂单元和所述金槽。2.根据权利要求1所述的金槽杂质离子去除装置,其特征在于,所述除杂单元包括离子交换膜。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:孟昭光
申请(专利权)人:东莞市五株电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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