【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及用于光刻方法的包含旋涂(spin-on)金属的底层和使用该层成像的方法。光刻胶组合物用于显微光刻方法中制备微型化电子元件,例如用于制备计算机芯片和集成电路。通常,在这些方法中,首先将光刻胶组合物膜的薄涂层施加到基材材料(例如用于制备集成电路的硅基晶片)上。然后将经涂覆的基材进行焙烧以蒸发掉光刻胶组合物中的任何溶剂并将该涂层固定到该基材上。然后将该基材的经焙烧和涂覆的表面经过辐射成像曝光。该辐射曝光在经涂覆的表面的曝光区域中造成化学变换。可见光、紫外光、电子束和X射线辐射能是目前纤维光刻方法中常用的辐射类型。在该成像曝光之后,用显影剂溶液处理该经涂覆的基材以溶解和除去将该光刻胶的辐射曝光区域或未经曝光的区域。半导体装置微型化的趋势导致使用对越来越短波长的辐射敏感的新型光刻胶,还导致了使用复杂的多级系统以克服与该微型化相关的困难。吸收抗反射涂层和底层在光刻中用于消除高反射性基材对光的背反射所造成的问题。背反射的两个主要缺点是薄膜干涉效应和反射缺口。薄膜干涉(或驻波)会导致临界线宽度尺寸的改变,这是由于随着光刻胶厚度的变化导致光刻胶膜中总光强度的变化所造成的,或者反射和入射的曝光辐射的干涉能够造成驻波效应,驻波效应会破坏整个厚度上辐射的均匀性。随着光刻胶在包含地形特征的反射基材上形成图案,反射缺口会变得严重,其会将光线散射通过光刻胶膜,导致宽度变化,在极端情况下,会形成光刻胶完全丧失的区域。在光刻胶之下和反射基材之上涂覆抗反射涂层膜对于光刻胶的光刻性能会提供显著的改进。通常,将抗反射底涂层施加到基材上,然后在该抗反射涂层顶部施加光刻胶层。将抗反射涂层 ...
【技术保护点】
底层组合物,包含有机钛酸酯化合物和聚合物,其中该聚合物包含至少一个氟代醇基和至少一个环氧基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.21 US 13/164,8691.底层组合物,包含有机钛酸酯化合物和聚合物,其中该聚合物包含至少一个氟代醇基和至少一个环氧基。2.权利要求1的底层组合物,其中该聚合物包含至少一个具有氟代醇基(I)的单元和至少一个具有环氧基(2)的单元: 3.权利要求1或2的底层组合物,其中在该聚合物中,氟代醇基在10-80摩尔%的范围,环氧基在20-90摩尔%的范围。4.权利要求1-3之一的底层组合物,其中该聚合物进一步包含结构3的单元: 5.权利要求1-4之一的底层组合物,其中该聚合物进一步包含重复单元(4): 6.权利要求1-5之一的底层组合物,其中该有机钛酸酯化合物选自由以下构成的组: 7.权利要求1-5之一的底层组合物,其中该有机钛酸酯选自: 8.权利要求1-7之一的底层组合物,具有1.5-1.9的折射率(η)和在...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚晖蓉,林观阳,Z·博格斯,卢炳宏,金羽圭,M·O·奈瑟,
申请(专利权)人:AZ电子材料美国公司,
类型:
国别省市:
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