本发明专利技术提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。为此，本公开的第1方式所涉及的制造方法包括如下工序，通过水膜(902)来保护芯片(811)的背面(811b)，同时使具有羟基的芯片(811)的表面(811a)接触使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂(905a)而得到的有机溶液(905)，从而在芯片(811)的表面(811a)形成防水性的薄膜。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及。
技术介绍
专利文献I公开了一种将芯片那样的微小的构件20配置在基板10上的方法。该方法被称为“FSA法”。在FSA法中，如图15A所示，准备具备多个亲水性区域11以及包围该亲水性区域11的防水性区域12的基板10。接着，如图15B所示，将配置于基板10的构件20分散于实质上不溶于水的溶剂40，来准备构件含有液50。由于构件20的背面是亲水性的，因此构件20的背面能够与I个亲水性区域11接合。另一方面，表面是防水性的。不仅表面是防水性的，构件20的背面以外的面都是防水性的。接着，如图15C所示，利用第I刮板(squeegee) 61在多个亲水性区域11配置水30。然后，图MD所示,利用第2刮板62，涂敷构件含有液50，使构件含有液50与配置于亲水性区域11的水31接触。在该过程中，各构件20在配置于亲水性区域11的水31中移动。此时，亲水性背面面向亲水性区域11。然后，去除水31以及构件含有液50所含的溶剂，在亲水性区域11配置构件20。所配置的构件20的背面与亲水性区域11相接。专利文献I作为参照而编入本说明书。在先技术文献专利文献专利文献1:美国专利第7，730, 610号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的课题本公开的目的在于，提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。解决课题的手段本公开所涉及的，包括如下工序:工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第I基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的；工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第I基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触；工序(C)，将所述层叠体浸溃在第I疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第I疏水性溶剂；工序⑷，去除所述第I基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出；工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的有机溶液，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，并且所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。专利技术效果本公开提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。【附图说明】图1表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(a)。图2表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(b)。图3表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(C)。图4表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(d)。图5表示实施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(e)。图6表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图7表示图6后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图8表示图7后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图9表示图8后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图10表不图9后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图11表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图12表示图11后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图13表示实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图14表示图13后续的、实施例所涉及的芯片的制造方法所含的一个工序。图15A表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。图15B表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。图15C表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。图MD表示专利文献I中公开的FSA法的一个工序。【具体实施方式】本公开的第I方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:工序(a)，准备隔着蜡膜830而在背面侧具备芯片811的第I基板110，并且芯片811具备表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a与蜡膜830相接，且芯片811的背面811b是亲水性的；工序(b)，使芯片811的背面811b接触在表面具有水膜902的第2基板120，获得由第I基板110以及第2基板120构成的层叠体100，并且芯片811的背面811b与水膜902接触；工序(c)，使层叠体100浸溃在第I疏水性溶剂903a中，使蜡膜830溶解于第I疏水性溶剂903a ；工序(d)，去除第I基板110，获得在表面附着了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b与水膜902接触，且芯片811的表面811a露出；工序(e)，通过水膜902来保护芯片811的背面811b，同时使具有羟基的芯片811的表面811a接触有机溶液905，该有机溶液905是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiYS溶解于第2疏水性溶剂905a而得到的，从而在芯片811的表面811a形成防水性的薄膜，其中R1表示烃基或氟化烃，R2表示烷氧基，且Y表示卤素；和工序(f)，去除第2基板120，从而获得具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。第2方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，蜡膜830也可以是粘着性的。第3方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第I疏水性溶剂903a也可以是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。第4方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，在工序(e)中，也可以将在表面附着了芯片811的第2基板102浸溃在有机溶液905中。第5方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第2疏水性溶剂905a也可以是具有6个以上碳数的烃、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它们的混合物。此外，本公开的第6方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:工序(a)，准备隔着蜡膜830而在背面侧具备芯片811的第I基板110，并且芯片811具备表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a与蜡膜830相接，且芯片811的背面811b是亲水性的；工序(b)，使芯片811的背面811b与在表面具有水膜902的第2基板120接触，获得由第I基板110以及第2基板120构成的层叠体100，并且芯片811的背面811b与水膜902接触；[0051 ] 工序(c)，使层叠体100浸溃在第I疏水性溶剂903a中，使蜡膜830溶解于第I疏水性溶剂903a ；工序(d)，去除第I基板110，获得在表面附着了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b与水膜902接触，且芯片811的表面811a露出；工序(e)，通过水膜902来保护芯片811的背面811b，同时使具有金膜的芯片811的表面811a接触含有R1-SH的有机溶液905，该有机溶液905溶解于第2疏水性溶剂905a，使烷基或氟化烷基与芯片811的表面结合来赋予防水性，其中R1表示烃基或氟化烃；和工序(f)，去除第2基板120，获得具有防水性表面811a以及亲水性背面811b的芯片811。第7方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，蜡膜830也可以是粘着性的。第本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造方法，制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片，所述制造方法包括如下工序：工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第1基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的；工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第1基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触；工序(c)，将所述层叠体浸渍在第1疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第1疏水性溶剂；工序(d)，去除所述第1基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出；工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触有机溶液，该有机溶液是使R1?Si(OR2)3或R1?SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，其中所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.28 JP 2012-0731911.一种制造方法，制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片， 所述制造方法包括如下工序: 工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第I基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的； 工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第I基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触； 工序(c)，将所述层叠体浸溃在第I疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第I疏水性溶剂； 工序(d)，去除所述第I基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出； 工序(e)， 通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触有机溶液，该有机溶液是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，其中所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和 工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 所述蜡膜是粘着性的。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 所述第I疏水性溶剂是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它们的混合物。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中， 在所述工序(e)中，将在表面附着了所述芯片的所述第2基板浸溃在所述有机溶液中。5.根据权利要求1所述的制造方法，其中， ...
【专利技术属性】
技术研发人员：荒濑秀和，小森知行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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