半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：半导体衬底（12）；绝缘膜（58），其布置在半导体衬底（12）上；电极（54，64），其接触绝缘膜（58）的侧面的一部分；第一钝化膜（76），其布置为从电极（54，64）延伸到绝缘膜（58），并且接触绝缘膜（58）的表面而且接触电极（54，64）的表面；以及第二钝化膜（70），其布置在第一钝化膜（76）上。第一钝化膜（76）的线性膨胀系数和绝缘膜（58）的线性膨胀系数之间的差小于第一钝化膜（76）的线性膨胀系数和电极（54，64）的线性膨胀系数之间的差，并且第一钝化膜（76）接触电极（54，64）和绝缘膜（58）之间的边界的位置定位为低于绝缘膜（58）的上表面。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底（12）；绝缘膜（58），其布置在所述半导体衬底（12）上；电极（54，64），其接触所述绝缘膜（58）的侧面的一部分；第一钝化膜（76），其布置为从所述电极（54，64）延伸到所述绝缘膜（58），并且接触所述绝缘膜（58）的表面而且接触所述电极（54，64）的表面；以及第二钝化膜（70），其布置在所述第一钝化膜（76）上，其中所述第一钝化膜（76）的线性膨胀系数和所述绝缘膜（58）的线性膨胀系数之间的差小于所述第一钝化膜（76）的线性膨胀系数和所述电极（54，64）的线性膨胀系数之间的差，并且所述第一钝化膜（76）接触所述电极（54，64）和所述绝缘膜（58）之间的边界的位置定位为低于所述绝缘膜（58）的上表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡部正和，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：