一种在闪存芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法技术

本发明专利技术提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：把源极打开的区域用磷硅玻璃填起来，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。本发明专利技术提出的方法和传统方法相比，多了步骤2、3和4，这样能够缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存(Flash)芯片制造领域，具体地，涉及一种在Flash芯片制造过程中应用多晶娃(POLY)源极接触窗(Source Line Contact)的方法。
技术介绍
如图1所示，在Flash芯片制作过程中经常会用到源极接触窗架构。但是用这种架构有两个比较大的缺点:1)如图2所示，由于Flash芯片在擦除时，在多晶硅源极接触窗和控制栅(Control Gate)之间存在很大电压。因此，该触点与控制门之间的间隙不能太小而影响到单元收缩。2)如果用源极接触窗架构，需要在闪存阵列中使用3层金属，S卩，第一层金属Ml用于连接源线，第二层金属M2用于连接位线(Bit Line, BL)，第三层金属M3用于连接控制栅/源、栅极(CG/SG)。
技术实现思路
针对上述不足，本专利技术提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法。该方法包括:步骤1:对 Flash 芯片进行层间介质(Interlayer dielectrics, ILD)沉积；步骤2:用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3:把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4:把源极打开的区域用磷硅玻璃(PSG)填起来，然后进行化学机械抛光(CMP)；步骤5:做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使接触窗停在源极的多晶娃上。进一步地，步骤3中所述蚀刻为干法蚀刻。进一步地，步骤3中蚀刻厚度为层间介质高度减去浮动栅高度。本专利技术提出的方法和传统方法相比，多了步骤2、3和4。本专利技术的有益效果在于，缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。【附图说明】图1为常规Flash芯片的布局示意图；图2为常规Flash芯片截面图；图3为根据本专利技术的Flash芯片的布局示意图；图4为根据本专利技术的Flash芯片应用多晶硅源极接触窗的方法各步骤示意图。附图标记说明:1......源、栅极2......控制栅3......源极4......无掺杂硅玻璃(USG)5......P型掺杂硅玻璃(PSG)6......离子注入(MP)7......聚-多晶硅(U-POLY )P......多晶硅X 间距:Xl......PO 宽度Χ2......PO 间隙Χ3......活动(ACT)宽度(控制栅)X4......活动宽度(源、栅极)X5......活动间隙(控制栅)X6......活动间隙(源、栅极)X7......位线接触窗X8......PO至活动间隙(控制栅)Y 间距:Yl......位线接触窗Y2......接触窗至源、栅极间隙Y3......源、栅极通道长度Y4......源、栅极至控制栅间隙Y5......控制栅通道长度Y6......控制栅至源、栅极接触窗Y7......源极接触窗Y8......PO扩展控制栅【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的实施例仅用于解释本专利技术，而不是用于限制本专利技术。如图3所示，虚线框所示为一比特单元。根据本专利技术所述的方法，沉积一层多晶娃，该层多晶娃用P表不。如图4所示，本专利技术提出的在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法包括:步骤1:对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2:用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3:把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4:把源极打开的区域用磷硅玻璃填起来，然后进行化学机械抛光；步骤5:做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使接触窗停在源极的多晶娃上。在优选实施例中，步骤3中所述蚀刻为干法蚀刻。在优选实施例中，步骤3中蚀刻厚度为层间介质高度减去浮动栅高度。由此，根据本专利技术所述方法，可以缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。上述仅为本专利技术的较佳实施例，当然，根据实际需要和进一步的探索还可以有其它实施方式。但是，应该明确的是，基于类似上述的或者其它没有表述出的具有相同构思的实施方式的变换，均应涵盖在本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：使用磷硅玻璃填充源极打开的区域，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。

【技术特征摘要】
1.一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤1:对Flash芯片进行层间介质沉积； 步骤2:用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅； 步骤3:把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂； 步骤4:使用磷硅玻璃填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：李煦，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：