本发明专利技术属于超大规模集成电路技术领域，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。本发明专利技术采用C58H118O21(Brij76)、甲基三乙氧基硅烷（MTES）、1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）、HCl、乙醇（EtOH）和H2O为原料，制备溶胶-凝胶溶液，然后以旋涂方法形成薄膜，并通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，从而制备得低介电常数薄膜。本发明专利技术所采用的聚合物分子为Brij76，其分子量较小（为1150），从而成孔体积更小，有利于提升薄膜力学性能。所制备的薄膜材料，其低介电常数为2.2，杨氏模量为8.50GPa，硬度1.17GPa。
【技术实现步骤摘要】
—种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法
本专利技术属于超大规模集成电路
，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来，微电子器件的集成度不断提高，在大规模集成电路中，预计在高性能的单芯上，不到Icm2面积内将集成IO8-1O9个晶体管，这时内部器件之间的连线将长达万米，时钟操作频率接近几千兆赫。随着器件密度和连线密度的增加，特征尺寸不断减小，导致阻容(RC )耦合增大，使得RC延迟效应日益明显。为了降低互连延迟，可以采用介电常数更低的介质材料。而在制备低介电常数(k)薄膜材料的过程中，为了降低k值，除了从材料本身的分子结构出发来降低极化率高的组份外，收效更为明显的方式就是在薄膜中引入孔隙。同时为了保证低k材料薄膜具有足够的力学性能，可通过无机硅氧烷与成孔剂的水溶液或乙醇溶液在酸催化的条件下发生水解与脱水缩合反应，向无机基体材料中引入有机大分子，后经过老化工艺稳定骨架结构，然后经过高温退火去除有机成分以形成孔隙结构，从而实现低k多孔薄膜材料的制备。文献[I]报道了采用P123 (ΡΕ0-ΡΡ0-ΡΕ0)成孔剂，以及MTES、BTEE反应前驱体制备出了低k材料薄膜，其k值为1.9-2.0，漏电流密度为10_8-10_9A/cm2。然而，弹性模量仅为4.05GPa，硬度仅为0.32GPa。这无法满足集成电路中化学机械抛光工艺对低k薄膜苛刻的力学性能要求。本专利技术以Bri j76为成孔剂[2]，以MTES和BTEE为前驱体，制备低k材料薄膜。由于Brij76的分子量较小，使得成孔的尺寸相较以P123为成孔剂制备得到的孔隙尺寸更小，从而使得薄膜具有更优良的力学性能。所制备的低k薄膜的k值为2.2，在0.8MV/cm外电场下其漏电流密度为2.7X IO-Vcm2,同时具有优异的力学性能，如杨氏模量达到8.50GPa,硬度达到1.17GPa。参考文献:[1]S.Fu, K.-J.Qian, S.-J.Ding, and D.ff.Zhang, Preparation andCharacterization of Ultralow-Dielectric-Constant Porous SiCOH Thin FilmsUsing I, 2-Bis(triethoxysilyl)ethane, TriethoxymethyIsi lane, and a CopolymerTemplate.Journal of Electronic Materials, 40 (10)，pp.2144-2145，2011.[2]Y.Wan and D.Zhao, On the Controllable Soft-Templating Approach toMesoporous Silicates, Chemical Reviews, 2007 - ACS publications, 2823-2828。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种力学性能优异的低介电常数(低k)薄膜的制备方法。本专利技术提供的 低介电常数(低k)薄膜的制备方法，以C58H118O21 (Brij76)为成孔剂，以甲基三乙氧基硅烷(MTES)和1，2- 二 (三乙氧基硅基)乙烷(BTEE)为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Bri j76以形成孔洞结构，从而制备得多孔低k薄膜。该薄膜具有k值为2.2，在0.8MV/cm外电场下漏电流密度为2.7 X 10_9A/cm2，杨氏模量达至Ij 8.50 GPa,硬度达到1.17GPa。本专利技术提供的低介电常数(低k)薄膜的制备方法，具体步骤如下: (I)按照摩尔比为 Brij76: MTES: BTEE: HCl: EtOH: H2O = (0.125 ~0.250):(0.5 ~1.2): (I ~3): (0.02 ~0.10): (40~70): (50 ~120)，先将 fci j76 与 HC1、Et0H、H20充分混合，然后，倒入MTES和BTEE的混合物，并在30~80 °C的油浴中搅拌反应1~10小时，制得到澄清的溶胶。(2)将步骤(1)所得溶胶旋涂在低阻硅片上，旋涂条件为:开始转速为2000~4000r/min，旋转10~60 S，然后以转速为500~2000 r/min旋转10~60 S。(3)将步骤(2)所得薄膜样品置于5(T100 °G的烘箱内，老化24-100小时； (4)将步骤(3)所得到的薄膜置于退火炉中进行热处理，条件为氮气氛围，在10~30分钟内升温至300~500 &后，并于300~500 °G保温0.5~3小时；待腔体降温至100~300°e取出硅片，即得到所需低介电常数(低k)薄膜。本专利技术的步骤(1)中，优选fcij76: MTES: BTEE: HCl: EtOH: H2O =(0.125~0.250): (0.7 ~I): (1.5 ~2): (0.05 ~0.072): (50~60): (70 ~90);优选在60-70°C的油浴中搅拌反应2-5小时，制得到澄清的溶胶。本专利技术的步骤(2)中，优选旋涂条件为:开始转速为2500~3200 r/min，旋转25~35 S，然后以转速为1500~2000 r/min旋转25~35 S。本专利技术的步骤(3)中，优选5(T70 °G的烘箱内，老化50-70小时。本专利技术的步骤(4)中，优选在25~30分钟内升温至400~500 &后，并于400~500 °G保温广3小时；待腔体降温至200~250 °G取出硅片，得到所需低介电常数(低k)薄膜。本专利技术的优点: 文献报道的成孔剂P123的分子量为5500以上，而本专利技术所采用的成孔剂Brij76的分子量为1150。后者的分子量要小得多，因此在加热去除Bri j76时所形成的孔隙也要小得多。这有利于提高薄膜的力学性能，从而制备出了力学性能更为优异的低k薄膜。本专利技术所得到的低k薄膜不仅具有优异的力学性能(杨氏模量为8.50 GPa，硬度为1.17GPa)，还具有良好的电学性能，如k值可低达2.2，以及良好的绝缘性能。在0.8 MV/cm的外电场下，其漏电流密度为10_9A/Cm2数量级。因此，可以满足下一代集成电路工艺对低k材料薄膜的要求。【具体实施方式】(I)按照摩尔比为 fcij76: MTES: BTEE: HCl: EtOH: H2O = 0.125:1:2: 0.072: 55.6: 80 ~0.250:1: 2: 0.072: 55.6: 80，将 Bri j76、HC1、EtOH、H2O充分混合，然后将上述溶液再与MTES和BTEE的混合物进行混合，并在60°C的油浴中充分搅拌反应2小时，得到澄清的溶胶。(2)将步骤(1)所得溶胶旋涂在低阻硅片上，旋涂条件为:转速为3000 r/min旋转30s，然后以转速为2000 r/min旋转30s。(3)将步骤(2)所得薄膜样品置于60 oC的烘箱内，老化60小时。(4)将步骤(3)所得到的薄膜置于退火炉中进行热处理，条件为氮气氛围，在30分钟内升温至450 °G后，并于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于：以Brij76为成孔剂，以MTES和BTEE为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，制备多孔低k薄膜；其中，Brij76为C58H118O21?，?MTES为甲基三乙氧基硅烷，?BTEE为1,2?二（三乙氧基硅基）乙烷，EtOH为乙醇。
【技术特征摘要】
1.一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于:以Brij76为成孔剂，以MTES和BTEE为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Bri j76以形成孔洞结构，制备多孔低k薄膜； 其中，Brij76为C58H118O21，MTES为甲基三乙氧基硅烷，BTEE为1，2- 二(三乙氧基硅基)乙烷，EtOH为乙醇。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于:Brij76:MTES:BTEE:HC1 =EtOH:H2O 的摩尔比为(0.125 ~0.250): (0.5 ~1.2): (I ~3): (0.02 ~0.1...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁士进，刘栋，范仲勇，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。