使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法技术

本发明专利技术涉及一种使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法，其工艺步骤包括：将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa～50Pa，启动加热装置,使托盘底部温度达到700℃～750℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到1000℃～1100℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。本发明专利技术的优点是充分利用物质间物理性质的差异，采用物理方法进行分离，工艺简单合理、无污染、成本低、安全易操作，除镉、铊效果尤佳。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，其工艺步骤包括：将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa～50Pa，启动加热装置,使托盘底部温度达到700℃～750℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到1000℃～1100℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。本专利技术的优点是充分利用物质间物理性质的差异，采用物理方法进行分离，工艺简单合理、无污染、成本低、安全易操作，除镉、铊效果尤佳。【专利说明】使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、ts的方法
本专利技术属于有色金属冶炼行业的粗铟除杂
，涉及一种。
技术介绍
金属铟(In)由于具有良好的耐酸耐磨性、光渗透性和导电性等许多优异的物理化学性能，在高新
得到了广泛的应用。目前，世界各国都高度重视对金属铟的开发和应用研究，例如，由ITO制成的透明导电电极在等离子电视和液晶显示器工业中的应用以及铟基合金和半导体材料的研发应用等。这些高技术所需的材料都是以高纯金属铟为基础的，因此研究铟的提纯工艺，即从普通的纯度为98%的粗铟原料(含镉0.03%以上，含铊0.01%以上)提纯到99.997%以上精铟(含镉0.0004%以下，含铊0.0002%以下)的工艺，对提高金属铟的附加值、促进相关工业的发展具有重要意义。现有技术中，粗铟除镉(Cd)、铊(Tl)普遍采用碘化钾-甘油-氯化锌-氯化胺法，即利用镉与碘、碘化钾作用生成能溶于甘油的络合物一镉碘化钾一而被除去，铊则在氯化锌和氯化铵溶体中具有一定的溶解度而被除去。该方法在实际应用中存在有生产成本高、污染较大、生产周期长、控制条件复杂等不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于对现有技术存在的问题加以解决，进而提供一种工艺简单、易于操作、无污染、生产成本低且除杂效果好的。本专利技术所述的除粗铟中镉、铊的方法是根据铟、镉、铊的沸点(注:铊1473°C、镉765°C、铟2080°C )不同而开发出一种使用电加热式真空蒸馏炉对三种金属进行分离的方法，其工艺步骤包括:将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa~50Pa，启动加热装置，使托盘底部温度达到700°C~750°C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的镉杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到1000°C~1100°C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。与现有技术相比，本专利技术以普通98%的粗铟为原料，根据铟、镉、铊沸点不同的原理，利用真空蒸馏炉通过准确的温度和压力控制，使镉、铊分别挥发，再经收尘予以回收利用，而铟则留在蒸馏炉托盘内用于浇铸阳极板。本专利技术的优点是充分利用物质间物理性质的差异，采用物理方法进行分离，工艺简单合理、无污染、成本低、安全易操作且除镉、铊效果更佳，经实验检测，生产所得精铟中的铟含量99.995%以上，镉含量0.0004%以下(镉的脱除率达到95.3%)，铊含量0.0002%以下(铊的脱除率达到96.5%)。【具体实施方式】以下将结合实施例对本
技术实现思路
做进一步说明。实施例本专利技术一个具体实施例的工艺步骤如下所述:1、将装有普通粗铟(纯度98%)原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在30Pa，启动加热装置，使托盘底部温度达到750°C，以此温度恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除，镉的脱除率达到95.3% ；2、使加热装置升温，致托盘底部温度达到1050°C，以此温度恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，铊 的脱除率达到96.5%，最后获得纯度为99.995%的精铟，铟锭一次合格率100%。【权利要求】1.一种，其特征在于采用下述的工艺步骤:将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa~50Pa，启动加热装置，使托盘底部温度达到700°C~750°C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到1000°C~1100°C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。2.根据权利要求1所述的，其特征在于采用下述的工艺步骤:将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在30Pa，启动加热装置，使托盘底部温度达到750°C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到10500C，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。【文档编号】C22B9/02GK103572076SQ201210248938【公开日】2014年2月12日 申请日期:2012年7月18日 优先权日:2012年7月18日 【专利技术者】何学斌, 王正民, 陈超, 周玺, 苏建军, 李珍珠, 牛勤学, 杨和平, 周熙 申请人:陕西锌业有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法，其特征在于采用下述的工艺步骤：将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中，启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa～50Pa，启动加热装置，使托盘底部温度达到700℃～750℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的鎘杂质挥发脱除；使加热装置升温致托盘底部温度达到1000℃～1100℃，在此温度范围内恒温保持120分钟，使粗铟中的铊杂质挥发脱除，获得精铟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何学斌，王正民，陈超，周玺，苏建军，李珍珠，牛勤学，杨和平，周熙，
申请(专利权)人：陕西锌业有限公司，
类型：发明
国别省市：