去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法技术

本发明专利技术为去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，步骤S1：利用第j-1次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj-1、PSDj，构建出平滑谱函数H模型即去除函数归一化后的傅里叶变换；步骤S2：将平滑谱函数H两端同时乘以得到关系式(2)：步骤S3：对关系式(2)进行m项求和相加运算，构建出第m次抛光工艺的误差抑制能力计算模型HModified；步骤S4：对n次抛光中的误差抑制能力计算模型进行取平均值计算，构建计算机控制表面成形抛光中去除函数在确定抛光条件下对不同频段误差抑制能力HTIF模型。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于先进光学制造领域，具体涉及的是。
技术介绍
在强激光和高精度光学系统中不同频段的制造误差对光学元件性能的影响越来越受到关注，低频误差使成像系统的像扭曲变形，引入各种像差；中频误差使光线发生小角度散射，从而使成像产生耀斑，影响像的对比度；高频误差使光线发生大角度散射，降低镜面的反射率；因此分频段控制这些表面制造误差显得相当重要。对于低频误差，通过控制局部区域的驻留时间比较容易消除，然而对于小尺度中高频误差却难以通过上述方法消除。研究评价和消除CCOS技术带来的中高频误差的相关方法成为光学加工的难点和热点。平滑谱函数是中国专利号“201310315171.9” “CC0S抛光工艺抑制不同频段误差能力的评价方法”提出的一种评价CCOS抛光工艺对不同频段误差抑制能力的方法。
技术实现思路
为解决现有的技术问题，本专利技术基于平滑谱函数H构建计算CCOS抛光工艺误差抑制能力的改进的数学模型，并提供。本专利技术，该误差抑制能力的评价步骤如下:步骤S1:利用第j_l次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSD」+ PSDj,构建出平滑谱函数模型表示为:

【技术保护点】
一种去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，其特征在于，该误差抑制能力的评价步骤如下：步骤S1：利用第j?1次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj?1、PSDj，构建出平滑谱函数模型表示为：H=1-PSDjPSDj-1---(1)关系式(1)中H为平滑谱函数即去除函数归一化后的傅里叶变换；步骤S2：将平滑谱函数两端同时乘以得到如下关系式：H·PSDj-1=PSDj-1-PSDj---(2)步骤S3：对关系式(2)进行m项求和相加运算，构建出第m次抛光工艺的误差抑制能力计算模型HModified表示如下：HModified(m)=(PSD0-PSDm)Σj=0m-1PSDj---(3)PSD0是抛光前光学元件面形数据的功率谱密度函数，PSDm是第m次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数；步骤S4：对n次抛光中的误差抑制能力计算模型HModified进行取平均值计算，构建计算机控制表面成形抛光中去除函数在确定抛光条件下对不同频段的误差抑制能力HTIF模型：HTIF=Σm=1n(PSD0-PSDm)Σj=0m-1PSDj/n---(4).FDA0000417116390000012.jpg...

【技术特征摘要】
1.一种去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，其特征在于，该误差抑制能力的评价步骤如下: 步骤S1:利用第j-Ι次和第j次抛光后光学元件面形数据的功率谱密度函数PSDj+PSDp构建出平滑谱函数模型表示为: 2.如权利要求1所述的去除函数在确定抛光条件下的误差抑制能力的评价方法，其特征在于，还包括计算所述误差抑制能力Htif曲线的步骤如下: 步骤S41:使用干涉仪对光学元件抛光前的面形误差进行检测，获得面形误差的数据，并计算抛光前的功率谱密度函数PSDtl曲线； 步骤S42:对光学元件进行η次抛光加工，保持去除函数的稳定及工艺条件不变，利用干涉仪...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳，范斌，万勇建，施春燕，卓彬，孟凯，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：