电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统技术方案

本实用新型专利技术涉及成像领域，具体涉及紫外成像领域。电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统包括一紫外光源、一显示设备以及一图像传感系统，紫外光源采用一电子束激发紫外光源，电子束激发紫外光源包括一电致发光半导体机构，还包括一激励源，激励源采用一电子枪系统。通过将传统的鉴定与透视系统中的紫外光源替换为新型的电子束激发紫外光源，减小设备体积、降低功耗并且提高了特定波段紫外光的纯度。电子束激发紫外光源通过电子束为电致发光半导体机构提供电流，并通过电极形成电流回路。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统
本技术涉及成像领域，具体涉及紫外成像领域。
技术介绍
紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波 长为10-400 nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X射线的波长相重叠。紫外 光被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和UVC)，波长范围分别为400-315nm， 315_280nm，280_190nm。由于紫外线比一般的可见光更具有穿透能力，所以科学家也常以紫外线来进行透 视或鉴定的工作(就好像用X光来进行健康检查一样)。例如利用紫外线来检查金属上细微 的裂缝、图画的真伪、食品安全，甚至于在探索太空时，紫外线都可以派上用场。进行上述工 作的设备可以称为紫外线鉴定与透视系统。但，现有的紫外线鉴定与透视系统，体积大、价格昂贵、光源使用寿命短，难以在诸 多领域进行普及化应用。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统， 解决以上技术问题。本技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统包括一紫外光源、一显示设备以及一 图像传感系统，其特征在于:所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源，所述电子束激发紫外光源包括一电致 发光半导体机构，还包括一激励源，所述激励源采用一电子枪系统；所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上，所述电致发光半 导体机构连接一电极；所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的光出射口。通过将传统的鉴定与透视系统中的紫外光源替换为新型的电子束激发紫外光源， 减小设备体积、降低功耗并且提高了特定波段紫外光的纯度。电子束激发紫外光源通过电 子束为电致发光半导体机构提供电流，并通过所述电极形成电流回路。所述光出射口的投射朝向与所述图像传感系统的图像接收朝向同向。以便于图像 传感系统接收反射回来的紫外光线，呈现所需要的鉴定图像或者透视图像。所述光出射口的投射朝向与所述图像传感系统的图像接收朝向相对，两者之间设 有待检测物品摆放平台。以便于图像传感系统接收从待检测物品上投射出来的紫外光线， 呈现所需要的鉴定图像或者透视图像。所述电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统还包括一电源系统，所述电源系 统设有一蓄电池，和与所述蓄电池连接的充电电路。以便于移动使用。所述电致发光半导体机构生成在一反光金属层上，并所述反光金属层连接所述电 极。所发出的紫外光线经过反射后从光出射口射出。或者，所述电致发光半导体机构生成在一导电透明基片上，并将所述导电透明基 片连接所述电极。所发出的紫外线经过所述导电透明基片透射后，从所述光出射口射出。所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层，构成半导体发 光结构。这些电致发光半导体层的材料可以是晶格匹配的，也可以是晶格不匹配的。这些 电致发光半导体层可以是有应变的，也可以是没有应变的。相邻的两层所述电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层，从而在 新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调 控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态 上，从而达到提闻转换效率的目的。所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层，且包含至 少三层所述电致发光半导体层，相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致 发光半导体层。具体的可以为:所述半导体发光结构包括两种不同材质的所述电致发光半导体 层，且包含至少三层所述电致发光半导体层，相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材 质的所述电致发光半导体层，即，两种材质的所述电致发光半导体层交替排列构成层叠式 结构。每层所述电致发光半导体层的厚度在I纳米到50纳米。至少两层所述电致发光半导体层层叠构成所述半导体发光结构，所述半导体发光 结构的厚度大于等于10nm。厚度也可以根据波段和功率的需要来具体设计。所述电致发光半导体机构依次为第一限制层、至少两层所述电致发光半导体层、 第二限制层，以及所述反光金属层，所述反光金属层上设有反光层；所述反光层的反射方向 朝向所述光出射口 ；所述第一限制层朝向所述电子枪方向。光线穿过透光的光出射口发射 到外界。所述电致发光半导体机构还可以是一半导体紫外激光谐振腔，所述半导体紫外激 光谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬上设有一层高禁 带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。选择禁带宽度不同的半导体层，从而组成新的结构的能带结构上形成势能阱结 构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而 达到提闻转换效率的目的。所述半导体结构包括至少两种不同材质的所述高禁带半导体层，且包含至少三层 所述高禁带半导体层，相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁带半导体层。具体的可以为:所述半导体结构包括两种不同材质的所述高禁带半导体层，且包 含至少三层所述高禁带半导体层，相邻的两层所述高禁带半导体层为不同材质的所述高禁 带半导体层，即，两种材质的所述高禁带半导体层交替排列构成层叠式结构。每层所述高禁带半导体层的厚度在I纳米到50纳米。至少两层所述高禁带半导体层层叠构成所述半导体结构，所述半导体结构的厚度 大于等于10nm。厚度也可以根据波段和功率的需要来具体设计。所述半导体结构中包括至少两层II1-V族半导体材质的高禁带半导体层。具体的 II1-V族半导体材质可以为氮化铝、氮化镓等氮化物系的II1-V族半导体材质。所述半导体结构中包括一层I1-VI族半导体材质的高禁带半导体层。I1-VI族半 导体材质可以为ZnMgSSe系的I1-VI族半导体材质。半导体材质可以是晶格匹配的，也可以是晶格不匹配的。高禁带半导体层可以是 有应变的，也可以是没有应变的。为了提高转换效率和调控激光的波长。在所述半导体结构一端设有高反射镜，另一端设有一低反射镜，所述低反射镜外 侧还设有一透明基片。以高反射镜、低反射镜中的一个作为所述衬底。所述电子枪系统包括一真空腔室，自所述真空腔室一端向另一端依次排布有电子 枪、电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构、电致发光半导体机构、光出射口。所述光出射口位于所述真空腔室侧面，所述反光金属层的反射方向朝向所述光出 射口。以便于光线出射。所述电子枪发出的电子束依次经过电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描 机构，形成呈现扫描状态的高能电子束，打入所述电致发光半导体机构，为光发射提供能量。所述电子枪发出的电子束也可以工作在脉冲发射状态或是连续发射状态。这些工 作状态的选取是根据发光材料的性能以及发光管的具体应用来决定的。高能电子束携带的能量可以使它穿过作为靶的电致发光半导体机构的表面到达 能产生光的半导体发光结构。高能电子束会把能量传递给半导体材质中的束缚电子，从而 产生自由的电子一空穴对。在半导体材质结构比较完整的情况下，这样产生出的自由电 子一空穴对将复合而产生光子。所述电子枪设有发射电子的阴极，所述阴极可以是金属、氧化物、各种纳米管等材 料构成的阴极。[0041 ] 电学控制机构可以为一高压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，包括一紫外光源、一显示设备以及一图像传感系统，其特征在于：?所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源，所述电子束激发紫外光源包括一电致发光半导体机构，还包括一激励源，所述激励源采用一电子枪系统；?所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上，所述电致发光半导体机构连接一电极；?所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的光出射口。

【技术特征摘要】
1.电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，包括一紫外光源、一显示设备以及一 图像传感系统，其特征在于:所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源，所述电子束激发紫外光源包括一电致发光 半导体机构，还包括一激励源，所述激励源采用一电子枪系统；所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上，所述电致发光半导体 机构连接一电极；所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的光出射口。2.根据权利要求1所述的电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，其特征在于: 所述光出射口的投射朝向与所述图像传感系统的图像接收朝向同向。3.根据权利要求1所述的电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，其特征在于: 所述光出射口的投射朝向与所述图像传感系统的图像接收朝向相对，两者之间设有待检测 物品摆放平台。4.根据权利要求1、2或3所述的电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，其特征 在于:所述电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统还包括一电源系统，所述电源系统 设有一蓄电池，和与所述蓄电池连接的充电电路。5.根据权利要求4所述的电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，其特征在于: 所述电致发光半导体机构生成在一反光金属层上，并所述反光金属层连接所述电极。6.根据权利要求4所述的电子束激发紫外光的便携式鉴定与透视系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学渊，赵健，梁忠辉，钟伟杰，唐伟，夏忠平，
申请(专利权)人：上海显恒光电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：