被测定物的测定方法技术

本发明专利技术是一种测定方法，其中，在具有空隙部(10)的空隙配置结构体(1)保持被测定物(2)，向所述空隙配置结构体(1)照射电磁波，并对从所述空隙配置结构体(1)反射出的电磁波的频率特性进行检测，由此对所述被测定物(2)的特性进行测定，该测定方法的特征在于，包括在作为所述空隙配置结构体(1)的一方主面的第一主面的至少一部分上直接或者间接地附着液体(3)，并从作为所述空隙配置结构体(1)的另一方主面的第二主面侧照射电磁波的步骤，所述空隙配置结构体(1)的空隙部(10)为所述液体(3)不会从所述第一主面侧向所述第二主面侧泄漏那样的大小，所述液体(3)在开放为存在气压的气氛下的状态下，附着在所述空隙配置结构体(1)的第一主面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术是一种测定方法，其中，在具有空隙部(10)的空隙配置结构体(1)保持被测定物(2)，向所述空隙配置结构体(1)照射电磁波，并对从所述空隙配置结构体(1)反射出的电磁波的频率特性进行检测，由此对所述被测定物(2)的特性进行测定，该测定方法的特征在于，包括在作为所述空隙配置结构体(1)的一方主面的第一主面的至少一部分上直接或者间接地附着液体(3)，并从作为所述空隙配置结构体(1)的另一方主面的第二主面侧照射电磁波的步骤，所述空隙配置结构体(1)的空隙部(10)为所述液体(3)不会从所述第一主面侧向所述第二主面侧泄漏那样的大小，所述液体(3)在开放为存在气压的气氛下的状态下，附着在所述空隙配置结构体(1)的第一主面上。【专利说明】
本专利技术涉及一种。更详细而言，涉及在具有空隙部的空隙配置结构体保持被测定物，向空隙配置结构体照射电磁波，并对从空隙配置结构体反射出的电磁波的频率特性进行检测，由此对被测定物的特性进行测定的测定方法。
技术介绍
一直以来，为了对物质的特性进行分析，采用在空隙配置结构体保持被测定物，向保持有该被测定物的空隙配置结构体照射电磁波，并对其透过率光谱进行解析来测定被测定物的特性的方法。具体而言，例如可举出向附着有作为被测定物的蛋白质等的金属网状滤光片照射太赫波而对透过率光谱进行解析的方法。在专利文献I (日本特开2007-010366号公报)中公开有如下的测定方法，即，在具有空隙部的空隙配置结构体(例如金属网筛)和与空隙配置结构体密接的基材保持被测定物，向保持有被测定物的空隙配置结构体照射电磁波，对透过了空隙配置结构体的电磁波进行检测，由此根据由被测定物的存在引起的频率特性的变化来对被测定物的特性进行测定。在专利文献I等在先技术公开的测定方法中，将作为空隙配置结构体的表面附近的电磁场和被测定物的相互作用的结果而产生的频率特性的变化作为指标。并且，该变化量受到在空隙配置结构体的表面附近被增强的电磁场、存在于该电磁场区域的被测定物的量和复折射率的大小的左右。因而，在被测定物的量较少时，频率特性的变化稍小，难以进行被测定物的特性的检测。另一方面，在被测定物为液体的情况下，当对液体的湿润性等进行测定时，公知的是采用被称作接触角测量器的设备的方法。其为使测定对象的液体向固定面上滴下，利用照相机来测定在液体的表面张力下成为何种程度的球，算出与固定面的界面的接触角的方法。但是，存在难以同时测定作为测定对象的液体的其它特性、还需要照相机等设备、在成本方面也比较高这样的问题。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-010366号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种即便在被测定物的量为微量的情况下，也能够实现高灵敏度.高效率的被测定物的特性测定的测定方法。本专利技术提供一种测定方法，其中，在具有空隙部的空隙配置结构体保持被测定物，向上述空隙配置结构体照射电磁波，并对从上述空隙配置结构体反射出的电磁波的频率特性进行检测，由此对所述被测定物的特性进行测定，所述测定方法的特征在于，包括在作为上述空隙配置结构体的一方主面的第一主面的至少一部分上直接或者间接地附着液体，并从作为上述空隙配置结构体的另一方主面的第二主面侧照射电磁波的步骤，上述空隙配置结构体的空隙部为上述液体不会从上述第一主面侧向作为另一方主面的第二主面侧泄漏的程度的大小，上述液体在开放为存在气压的气氛下的状态下，附着在上述空隙配置结构体的第一主面上。优选的是，上述空隙配置结构体以上述第一主面实质上成为水平的方式配置，上述第一主面为上述空隙配置结构体的上表面，上述第二主面为上述空隙配置结构体的下表面。优选的是，在作为上述空隙配置结构体的一方主面的第一主面的至少一部分上附着上述被测定物，并在上述被测定物的表面上附着上述液体。在这种情况下，优选上述液体为水。另外，优选的是，上述被测定物的特性为选自被测定物的有无、物质量、表面粗糙度及膜厚中的至少一个。另外，上述被测定物也可以为附着在上述第一主面上的上述液体。在这种情况下，优选上述液体为水溶液。另外，优选的是，上述被测定物的特性为选自溶质的有无、表面张力、浓度及粘性中的至少一个。另外，优选的是，根据从上述空隙配置结构体反射出的电磁波的反射率的频率特性的变化，对上述被测定物的特性进行测定。专利技术效果根据本专利技术，即便在被测定物的量为微量(自空隙配置结构体的表面起的厚度薄)的情况下，也能够实现高灵敏度.高效率的被测定物的特性测定。另外，根据本专利技术，在被测定物为液体的情况下，能够利用更为简便的方法高灵敏度.高效率地测定被测定物的表面张力、浓度及粘性等。【专利附图】【附图说明】图1是用于说明本专利技术的测定方法的概况的示意图。图2是用于说明本专利技术的测定方法的一例的剖面示意图。图3是用于说明本专利技术的测定方法的一例的剖面示意图。图4是用于说明空隙配置结构体的格栅结构的俯视示意图。图5是用于说明实施例1的测定方法的剖面示意图。图6是用于说明实施例1的测定方法的剖面示意图。图7是表示实施例1的反射率光谱的曲线图。图8是用于说明比较例的测定方法的剖面示意图。图9是用于说明比较例的测定方法的剖面示意图。图10是表示比较例的反射率光谱的曲线图。图11是用于说明实施例2的测定方法的剖面示意图。图12是用于说明实施例2的测定方法的剖面示意图。图13是用于说明实施例3的测定方法的剖面示意图。图14是表示实施例3的反射率光谱的曲线图。图15是表示图14的反射率光谱中的甘油浓度和特定拐点的波数的关系的曲线图。【具体实施方式】首先，参考图1说明本专利技术的测定方法的一例的概况。图1是示意性地表示在本专利技术的测定方法中使用的测定装置的整体结构的图。该测定装置利用通过从激光器7(例如，短光脉冲激光器)向半导体材料照射激光束而产生的电磁波(例如，太赫波)的脉冲。在图1的结构中，将从激光器7射出的激光束利用半反射镜70分支为两个路径。一个路径为向电磁波产生侧的导光元件77照射，另一路径为通过采用多个反射镜71 (同样功能的部件省略编号)，经由延时载物台76而向接收侧的导光元件78照射。作为导光元件77、78，可以采用在LT-GaAs (低温成长GaAs)形成有具有裂缝部的偶极天线的普通元件。作为激光器7，可以使用纤维型激光器或采用了钛蓝宝石等固体的激光器等。另外，在电磁波的产生、检测中，可以以无天线的方式使用半导体表面、或使用诸如ZnTe晶体这样的电光学晶体。在此，通过电源80对成为产生侧的导光元件77的裂缝部施加有适当的偏压电压。 产生的电磁波由抛物面反射镜72形成为平行光束，并通过抛物面反射镜73而向周期性结构体I照射。从周期性结构体I反射出的太赫波通过抛物面反射镜75而由导光元件78接收。由导光元件78接收到的电磁波信号由放大器84增幅之后，作为时间波形由锁定放大器82来获得。然后，利用包括算出机构在内的PC (个人计算机)83进行傅里叶变换等信号处理之后，算出平板状的周期性结构体I的反射率光谱等。为了由锁定放大器82来获得，根据振荡器81的信号对向产生侧的导光元件77的裂缝施加的来自电源80的偏压电压进行调制(振幅5V至30V)。由此，通过进行同步检波，能够使S/N比提高。以上说明的测定方法是通常被称为“太本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测定方法，其中，在具有空隙部(10)的空隙配置结构体(1)保持被测定物(2)，向所述空隙配置结构体(1)照射电磁波，并对从所述空隙配置结构体(1)反射出的电磁波的频率特性进行检测，由此对所述被测定物(2)的特性进行测定，所述测定方法的特征在于，包括在作为所述空隙配置结构体(1)的一方主面的第一主面的至少一部分上直接或间接地附着液体(3)，并从作为所述空隙配置结构体(1)的另一方主面的第二主面侧照射电磁波的步骤，所述空隙配置结构体(1)的空隙部(10)为所述液体(3)不会从所述第一主面侧向所述第二主面侧泄漏那样的大小，所述液体(3)在开放为存在气压的气氛下的状态下，附着在所述空隙配置结构体(1)的第一主面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤孝志，神波诚治，小川雄一，富田樱，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：