本发明专利技术提供一种基板保持装置、曝光装置、组件制造方法、液体回收方法、曝光方法、元件制造方法，其中基板保持装置能相对透过投影光学系统所照射的曝光用光，保持基板并移动，该基板保持装置具备：保持部，保持该基板；平坦部，设置成包围该保持部；以及回收部，用以回收已渗入形成于被保持在该保持部的该基板与该平坦部之间的间隙的该液体；该回收部包含多孔体或网构件、及渗入该间隙且经由该多孔体或该网构件的该液体流动的流路。本发明专利技术的基板保持装置，不仅板体的更换容易，且维修亦较容易。因此，适合用于液浸曝光。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种基板保持装置、曝光装置、组件制造方法、液体回收方法、曝光方法、元件制造方法，其中基板保持装置能相对透过投影光学系统所照射的曝光用光，保持基板并移动，该基板保持装置具备：保持部，保持该基板；平坦部，设置成包围该保持部；以及回收部，用以回收已渗入形成于被保持在该保持部的该基板与该平坦部之间的间隙的该液体；该回收部包含多孔体或网构件、及渗入该间隙且经由该多孔体或该网构件的该液体流动的流路。本专利技术的基板保持装置，不仅板体的更换容易，且维修亦较容易。因此，适合用于液浸曝光。【专利说明】本申请是分案申请，原案的申请号为2011101674239，申请日为2005年6月8日， 专利技术名称为基板保持装置、具备其之曝光装置、元件制造方法。原案也是分案申请，原案对应的母案的申请号为200580018933.2，申请日为2005年6月8日，专利技术名称为基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法、拨液片。
本专利技术是有关于保持处理基板的基板保持装置及具备该装置的曝光装置以及元件制造方法。
技术介绍
半导体元件或液晶显示元件，是借由将形成于掩模上的图案转印于感旋光性基板上、即所谓的微影方法来制造。此微影步骤所使用的曝光装置，具有支撑掩模的掩模载台与支撑基板的基板载台，使掩模载台与基板载台一边逐次移动一边通过投影光学系统将掩模的图案转印于基板。近年来，为对应元件图案的更高积体化，而期待投影光学系统具有更高分辨率。投影光学系统的分辨率，是所使用的曝光波长越短、或投影光学系统的数值孔径越大则会越提高。因此，曝光装置所使用的曝光波长逐年变短，投影光学系统的数值孔径则逐渐增大。目前主流的曝光波长虽为KrF准分子激光的248nm，但波长更短的ArF准分子激光的193nm亦逐渐实用化。进行曝光时，焦深(DOF)亦与分辨率同样重要。分辨率R及焦深 6分别以下式表示。R=Ic1 ? A / NA.........(I)S = ±k2 ?入 / NA2......(2)此处，入为曝 光波长，NA为投影光学系统的数值孔径，kp k2是处理系数。从(I) 式、(2)式可知，为了提高分辨率R，而缩短曝光波长\、增大数值孔径NA时，即会使焦深5变窄。若焦深5变得过窄，即难以使基板表面与投影光学系统的像面一致，有进行曝光动作时焦点裕度不足的缺点。因此，作为实质上缩短曝光波长且扩大焦深的方法，例如已提出一种国际公开第99 / 49504号公报所揭示的液浸法。此液浸法，是以水或有机溶媒等液体充满投影光学系统下面与基板表面间来形成液浸区域，利用液体中的曝光用光的波长为在空气中的I / n倍(n为液体折射率，通常是1.2~1.6左右)，来提高分辨率，且将焦深放大至约n倍。然而，如图18所示，对基板P进行液浸曝光时，会产生液浸区域AR2’(覆盖投影光学系统的投影区域AR1’)的一部分或全部形成于基板P外侧的情形。此时，由于基板P周围的基板载台PST’上面与液体接触，因此容易使形成该基板载台PST’上面的构件(或其被膜)产生劣化或破损。当产生此种劣化或破损时，由于需进行基板载台PST’的交换或修复等维修作业，因此会使曝光装置的运转率降低。在将液浸区域AR2’一部分形成于基板P外侧的状态下使基板P边缘区域曝光时，液体即有可能会通过基板与基板载台间的间隙等回流至基板背面侧，渗入基板与基板载台 (基板保持具)之间。此时，会产生基板载台无法良好地保持基板的可能性。例如，由于渗入基板背面与基板载台间的液体会产生异物的作用，因此有可能导致所支撑的基板的平坦度劣化。或亦能想见会因所渗入的液体气化而形成附着痕迹(即水痕)。由于该水痕亦产生异物的作用，因此可能导致所支撑的基板的平坦度劣化。亦有可能因渗入基板与基板载台间的液体气化时的气化热，而使基板载台产生热变形等不良情形。
技术实现思路
本专利技术有鉴于上述情形，其目的是提供能容易执行维修作业的基板保持装置、曝光装置以及使用该曝光装置的元件制造方法。又，本专利技术的目的是提供适用于液浸曝光装置的拨液片。再者，本专利技术的目的是提供能防止液体渗入基板背面侧的基板保持装置、曝光装置、以及使用该曝光装置的元件制造方法。为解决上述问题，本专利技术采用了对应实施例所示的图1~图17的下述构成。不过， 付加于各要素的包含括号的符号仅是该要素的例示，而并非限定各要素。根据本专利技术 的第I态样，提供一种基板保持装置(PH)，用以保持处理基板(P)，其特征在于，具备:基材(PHB);第I保持部(PHl)，形成于基材(PHB)，用以吸附保持处理基板 (P);以及第2保持部(PH2)，形成于基材(PHB)，用以将板体(T)吸附保持于被第I保持部 (PHl)吸附保持的处理基板⑵附近。根据本专利技术，能使配置在第I保持部所吸附保持的处理基板附近的板体容易拆装于第2保持部。借此，例如该板体劣化、破损时，能容易地仅将该板体与新板体交换。由于板体是被第2保持部吸附保持的构造，因此能防止局部力量加在板体或基材等。因此，能抑制板体或基材的变形。本申请案中的用语「处理基板」，是指被施以包含曝光处理的各种流程处理的基板，其包含半导体元件制造用的半导体晶圆、液晶显示(IXD)用基板、薄膜磁头用的陶瓷晶圆、以及将感旋光性材料的光致抗蚀剂涂布于用在各种用途(在曝光装置所使用的掩模或标线片的原版(合成石英、硅晶圆)等)的基板。根据本专利技术的第2态样，提供一种曝光装置(EX)，用以将图案像投影于处理基板 (P)上，以使处理基板⑵曝光，其特征在于，具备:第I板体(Tl);第2板体(T2);以及基板保持装置(P?，其具备--第I保持部(PHl)，吸附保持处理基板(P);第2保持部(PH2)， 是将第I板体(Tl)吸附保持于第I保持部(PHl)所吸附保持的处理基板(P)附近；以及第 3保持部(PH3)，是将第2板体(T2)吸附保持于第I保持部(PHl)所吸附保持的处理基板 (P)附近。根据本专利技术，能使配置于第I保持部所吸附保持的处理基板体附近的第1、第2板体容易拆装于第2、第3保持部。因此，例如当该第1、第2板体破损时，能容易地与新板体交换。亦能仅将第I板体及第2板体中的任一方交换，或能在多个板体中仅将任意的板体交换。由于形成基板保持装置上面的第1、第2板体被第2、第3保持部吸附保持的构造，因此能防止局部力量加在第1、第2板体或基材等。因此，能抑制第1、第2板体或基材的变形。根据本专利技术，提供一种元件制造方法，其特征在于使用了上述的曝光装置(EX)。根据本专利技术，由于能良好地进行曝光处理及测量处理，因此能提供具有所需要性能的元件。根据本专利技术的第3态样，提供一种拨液片(T、Tl、T2)，使用于曝光装置(EX)，该曝光装置是通过液体(LQ)将曝光用光(EL)照射于基板保持装置(PH)所保持的处理基板(P) 上，借此使处理基板(P)曝光，其特征在于:该拨液片吸附保持于基板保持装置(PH)，且在 被基板保持装置(PH)吸附保持的处理基板(P)附近，形成有其表面具拨液性的平坦部(Ta、 Td)。根据本专利技术，由于能在处理基板附近形成该表面具拨液性的平坦部，因此使处理 基板的边缘区域曝光时，亦能良好地维持液浸区域。例如当该拨液片的拨液性劣化时，仅借 由与新拨液片交换，即能维持形成于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板保持装置，能相对透过投影光学系统所照射的曝光用光，保持基板并移动，其特征在于，该基板保持装置具备：保持部，保持该基板；平坦部，设置成包围该保持部；以及回收部，用以回收已渗入形成于被保持在该保持部的该基板与该平坦部之间的间隙的该液体；该回收部包含多孔体或网构件、及渗入该间隙且经由该多孔体或该网构件的该液体流动的流路。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴崎祐一，
申请(专利权)人：尼康股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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