提供一种配线结构，其具有具备Al合金膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，该Al合金膜耐久性优异，即便使Al反射膜直接与有机层连接，也能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本发明专利技术涉及在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含发光层的有机层的配线结构，其中，所述Al合金膜含有特定的稀土类元素为0.05～5原子％，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。
Wiring structure of reflective anode electrode for organic EL display
A wiring structure, which has reflected the anode electrode organic EL display with Al alloy film with the Al alloy film, excellent durability, even if the Al film is directly connected with the organic layer, also can ensure the stability of light-emitting properties, and can achieve high yield. The invention relates to a Al alloy film anode organic EL display with reflection on the substrate, a wiring structure, containing the organic layer and the light-emitting layer wherein the Al alloy film containing rare earth elements specific for 0.05 to 5 atomic% in the Al alloy film is directly connected with the organic layer.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有有机EL显示器用的反射阳极电极的配线结构
本专利技术涉及含有在有机EL显示器(特别是顶发光型)中所使用的反射阳极电极的配线结构。
技术介绍
作为自发光型的平板显示器之一的有机电致发光(以下，记述为“有机EL”)显示器，是在玻璃板等的基板上矩阵状排列有机EL元件而形成的全固体型的平板显示器。在有机EL显示器中，阳极(anode)和阴极(cathode)形成为条状，其交叉的部分相当于像素(有机EL元件)。从外部对该有机EL元件外加数V的电压而使电流流通过，由此将有机分子推进至激发状态，其返回到本来的基态(稳定状态)时，让其多余的能量作为光放出。有机EL元件是自发光型和电流驱动型的元件，但在其驱动方式中有无源型和有源型。无源型其构造简单，但全彩化困难。另一方面，有源型可以大型化，也适于全彩化，但在有源型中需要TFT基板。在该TFT基板中使用的是低温多晶Si (p—Si)或非晶Si (a—Si)等的 TFT。该有源型的有机EL显示器的情况下，多个TFT和配线成为障碍，有机EL像素能够使用的面积变小。若驱动电路复杂，TFT增加，则其影响更大。最近，不从玻璃基板取出光，而是设置从上表面侧取出光的构造(顶发光)，从而改善开口率的方法受到注目。在顶发光中，下表面的阳极(anode)使用的是空穴注入优异的ITO(氧化铟锡)。另外上表面的阴极(cathode)也需要使用透明导电膜，但ITO不适于功函数大的电子注入。此外ITO是以溅射法和离子束蒸镀法成膜，因此成膜时的等离子区离子和二次电子有可能对电子传输层(构成有机EL元件的有机材料)造成损害。因此将薄的Mg层和铜酞菁层形成于电子传输层上，以进行避免损害和电子注入的改善。这样的有源矩阵型的顶发光有机EL显示器所使用的阳极电极，兼顾对于从有机EL元件放射的光进行反射的目的，而成为在ITO和IZO(氧化铟锌)所代表的透明氧化物导电膜和反射膜的层叠构造(反射阳极电极)。该反射阳极电极所用的反射膜，大多是钥(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)和銀(Ag)等的反射性金属膜。例如，在顶发光方式的有机EL显示器的反射阳极电极中，采用的是ITO和Ag合金膜的层叠结构。如果考虑反射率，则含有Ag或Ag作为主体的Ag基合金，其反射率高，因此有用。还有，Ag基合金抱有耐腐蚀性差这一特有的课题，通过用层叠在其上的ITO膜被覆该Ag基合金膜，能够消除上述课题。但是，因为Ag材料成本高，而且成膜所需要的溅射靶的大型化困难，所以将Ag基合金膜面向大型电视应用于有源矩阵型的顶发光有机EL显示器反射膜有困难。另一方面，如果只考虑反射率，则Al作为反射膜也良好。例如专利文献I作为反射膜公开Al膜或Al—Nd膜，记述了 Al—Nd膜反射效率优秀而优选的要旨。但是，使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触时，接触电阻(contact resistance)高,不能向空穴对有机EL元件的注入供给充分的电流。为了对此加以避免，若反射膜不采用Al，而是采用Mo和Cr等的高熔点金属，或在Al反射膜和氧化物导电膜之间设置Mo和Cr等的高熔点金属作为阻挡金属，则反射率大幅劣化，招致作为显示器性能的发光亮度的降低。因此专利文献2作为能够省略阻挡金属的反射电极(反射膜)，提出有一种含有Ni为0.1?2原子％的Al—Ni合金膜。据此，能够实现与纯Al具有一样高的反射率，并且，即便使Al反射膜与ITO和IZO等的氧化物导电膜直接接触，也能够实现低接触电阻。先行技术文献专利文献专利文献1:日本特开2005— 259695号公报专利文献2:日本特开2008—122941号公报可是，在顶发光的有机EL显示器中，考虑从阳极(阳极)向作为上层的有机层的空穴注入时，因为空穴从阳极材料的最高占有分子轨道(HOMO)向有机层的HOMO移动，所以这些轨道的能量差成为注入障碍。目前，能量障碍低的ITO量产使用，但假如由于ITO的衬底层的影响等，ITO的功函数变小，则该能量障碍变高。例如，在顶发光方式有机EL显示器用反射阳极电极中，ITO等的氧化物导电膜(以下，有以ITO代表的情况。)和Al反射膜(或Al合金反射膜)的层叠构造(上层=ITO /下层=Al合金)的ITO膜表面的功函数，与目前量产的层叠构造(上层=ITO /下层=Ag基合金)相比，有低0.1?0.2eV左右的问题。其原因详情不明，但若ITO膜表面的功函数低0.1?0.2eV左右，则形成于该ITO膜的上层的有机发光层的发光起始电压(阈值)移动至高电压侧约数V左右，在维持相同的发光强度的情况下，耗电提高。另外，在有机EL显示器中，由于ITO膜的针孔和ITO膜与Al反射膜的接触特性的面内偏差等，也会有发光强度产生不均匀这样的问题。针对这样的问题，不使用ITO膜，而是可以使Al反射膜与有机层直接连接的有机层的开发被推进。但是，要没有保持Al反射膜的ITO膜的状况下，至有机层形成期间Al反射膜以暴露出的状态存在，因此，例如，在搬运具备该Al反射膜的基板的过程中，由于来自上部的冲击等而发生的纵向的变形(应力)等，而导致局部性地发生凹陷，Al反射膜表面容易产生凹状的形状异常等。其结果是，不仅电场在凹陷部周边集中而发生发光强度的不均，而且还会招致发光元件的寿命降低这样的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而形成，其目的在于，提供一种含有具备Al合金反射膜的有机EL显示器用的反射阳极电极的配线结构，Al合金反射膜对于纵向的应力的耐久性特别优异，即便使Al反射膜与有机层直接连接，也不会有发光强度的不均匀，能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本专利技术提供以下的配线构造、薄膜晶体管及有机EL显示器。(I) 一种配线结构，其特征在于，其为在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含有发光层的有机层的配线结构，所述Al合金膜含有0.05?5原子％的从由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr和Dy所构成的组中选择的一种以上的稀土类元素，在所述Al合金膜之上直接连接有所述有机层。(2)根据⑴所述的配线结构，其特征在于，所述Al合金膜的硬度为2?3.5GPa，且存在于Al合金组织的晶界三相点的密度在2X IO8个/ mm2以上。(3)根据(I)或⑵所述的配线结构，其特征在于，所述Al合金膜的杨氏模量为80?200GPa，且晶粒的规定方向的切线直径(Feret径)的最大值为100?350nm。(4)根据⑴?(3)中任一项所述的配线结构，其特征在于，所述Al合金膜的光泽度在800%以上。(5)根据(I)?(4)中任一项所述的配线结构，其特征在于，所述Al合金膜与形成于所述基板上的薄膜晶体管的源.漏电极电连接。(6) 一种具备(I)?(5)中任一项所述的配线结构的薄膜晶体管基板。(7) 一种具备(6)所述的薄膜晶体管基板的有机EL显示器。根据本专利技术，作为构成有机EL显示器用反射阳极电极的Al合金膜，是含有稀土类元素的Al合金膜，并且，使用该Al合金膜的硬度和晶界三相点密度得到适当控制的Al合金膜，因此，特别是对于压入载荷等这样纵向的应力的耐久性优异。另外，并且，因为使用该Al合金膜的杨氏模量和晶粒的规定方向的切线直径(Feret径)的最大值晶界得到适当控制的Al合金膜，所以本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种配线结构，其特征在于，其是在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜、和含有发光层的有机层的配线结构，所述Al合金膜含有0.05～5原子％的从由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr和Dy构成的组中选择的一种以上的稀土类元素，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.24 JP 2011-116306;2011.05.24 JP 2011-11631.一种配线结构，其特征在于，其是在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜、和含有发光层的有机层的配线结构， 所述Al合金膜含有0.05?5原子％的从由Nd、Gd、La、Y、Ce、Pr和Dy构成的组中选择的一种以上的稀土类元素， 在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。2.根据权利要求1所述的配线结构，其特征在于，所述Al合金膜的硬度为2...
【专利技术属性】
技术研发人员：奥野博行，三木绫，钉宫敏洋，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：
国别省市：
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