减少晶片倒角上的硅化物的形成制造技术

提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围所述晶片的中央区域。将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。在所述晶片的所述中央区域的至少一部分上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层上。形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物。

Reduction of silicide formation on wafer chamfering

A method is provided for preventing formation of metal silicide material on wafer chamfering, wherein the wafer chamfer surrounds the central region of the wafer. The wafer is placed in the chamfering plasma treatment chamber. A protective layer is deposited on the wafer chamfering. The wafer is removed from the chamfering plasma treatment chamber. A metal layer is deposited on at least a portion of the central region of the wafer, wherein a portion of the metal layer is deposited on the protective layer. A semiconductor device is formed while preventing the formation of metal silicide on the wafer chamfering.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减少晶片倒角上的硅化物的形成
本专利技术涉及半导体器件的形成。更具体地，本专利技术涉及半导体器件的形成以及减少晶片倒角上的硅化物的形成。
技术介绍
在衬底（例如，诸如半导体器件的制造中使用的半导体衬底）的处理过程中经常使用等离子体。在衬底的处理过程中，衬底被分成其上形成半导体器件的多个管芯。晶片衬底的倒角（外围或边缘）不用于形成管芯。在半导体器件的形成过程中，在晶片倒角上可能形成金属硅化物。在晶片倒角上的金属硅化物的形成是不合乎期望的。
技术实现思路
为了实现前述期望以及根据本专利技术的目的，提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中所述晶片倒角包围中央区域。将晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。将金属层沉积在所述晶片的中央区域的至少一部分之上，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述晶片倒角上的保护层之上。在所述晶片的所述中央区域上形成半导体器件，同时该保护层防止在所述晶片倒角上的金属硅化物的形成。在本专利技术的另一种表现形式中，提供了一种用于防止在晶片倒角上形成硅化物材料的方法，其中所述晶片倒角包围中央区域。将晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护性二氧化硅层，这包括提供含有硅烷气体和氧气的沉积气体，使沉积气体形成等离子体，所述等离子体被限制仅在晶片倒角区域，并仅在晶片倒角上沉积二氧化硅，其中硅烷气体为所沉积的二氧化硅提供硅。将晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。将金属层沉积在晶片的中央区域的至少一部分上，其中金属层的一部分被沉积在保护性二氧化硅层上。在晶片的中央区域形成半导体器件，同时防止在晶片倒角上形成金属硅化物。在本专利技术的具体实施方式中并结合以下附图将对本专利技术的这些和其他特征进行更详细的描述。附图说明在附图的图中，通过示例的方式而不是通过限制的方式对本专利技术进行说明，并且其中相似的标号指代相似的元件，且其中：图1是本专利技术的一种实施方式中使用的工艺的高阶流程图。图2是可用于实施本专利技术的倒角清洁处理室的示意性视图。图3示出了一种计算机系统，其适合于实现本专利技术的实施方式中使用的控制器。图4是图2的部分B的放大视图。图5是晶片的顶视图。图6是在晶片倒角上沉积保护层的步骤的更详细的流程图。图7是在晶片倒角的表面之上形成保护层之后的晶片的顶视图。图8是在晶片倒角的表面之上形成保护层之后的部分B的放大视图。具体实施方式现参照本专利技术的如在附图中图解的一些优选的实施方式对本专利技术进行详细的描述。在以下的说明中，为了使本专利技术能被充分理解，阐述了许多具体的细节。但对于本领域技术人员而言，显而易见，没有这些具体细节中的一些或者全部，仍可以实施本专利技术。在其他的示例中，为了避免不必要地使本专利技术难以理解，公知的工艺步骤和/或结构没有详细描述图1是本专利技术的一种实施方式的流程图。将晶片放置在倒角等离子体处理室中（步骤104）。在晶片倒角上沉积保护层（步骤108）。在晶片倒角上沉积层被定义为在晶片的表面之上和顶部添加层，而不是使用来自表面或晶片倒角的表面之下的材料来形成层。将晶片从等离子体处理室移除（步骤112）。然后，使晶片经受一个或多个半导体处理步骤，在晶片的中央区域和在保护层上沉积金属层（步骤116），并将造成在硅上沉积金属处金属硅化物的形成。然而，在半导体器件的形成过程中，保护层防止或抑制在晶片倒角上的金属硅化物的形成（步骤120）。通常情况下，执行若干步骤，其中硅化物的形成可能并不是这些步骤的主要目的，而可能是用于形成半导体器件的主要目的的若干处理步骤的所不希望的副效应。形成半导体器件并不需要完全形成半导体器件，但至少需要执行形成半导体器件中的一个或多个步骤。在倒角等离子体处理室去除保护层上的金属和保护层（步骤124）。示例性沉积二氧化硅为了便于理解，本专利技术的实施方式提供了具体的实施例，在这个实施例中，在倒角上沉积保护性二氧化硅层。将晶片放置在倒角等离子体处理室中（步骤104）。图2是提供本专利技术的实施方式的倒角等离子体处理室200的概略图。该示意图不是按比例绘制的，以便更清楚地说明等离子体处理室200的各个方面。晶片的倒角是晶片的边缘并且是晶片的顶表面和晶片的底表面的晶片边缘的附近的一部分。倒角等离子体处理室200由室壁202包围。室200具有其上放置晶片210的晶片支撑件204。在一种实施方式中，晶片支撑件204是由RF（射频）功率源212或由多个RF功率源供电的静电卡盘。晶片支撑件204具有小于晶片210的直径的直径，以使晶片210的外边缘绕晶片210的圆周或周边延伸超出晶片支撑件204。在该实施例中，晶片支撑件小于晶片本身的尺寸仅介于5和8毫米之间。与晶片支撑件204以及晶片210的顶表面间隔开的是中央覆盖物203，中央覆盖物203作为具有连接到气体源220的气体入口208的气体分配板。优选地，所述中央覆盖物203是电介质材料。在本专利技术的另一种实施方式中，中央覆盖物是导电的，并接地。优选地，中央覆盖物203是可调的，以便在处理过程中使得中央覆盖物与晶片支撑件204上的晶片210的顶表面隔开的距离小于1毫米。更优选地，中央覆盖物与晶片210的顶表面隔开的距离小于0.75毫米。最优选地，中央覆盖物203与晶片210的顶表面隔开的距离介于0.3毫米至0.4毫米之间。第一导电环224围绕晶片支撑件204。第一导电环224是导电材料。绝缘环228被放置在所述第一导电环224之间以使第一导电环224与晶片支撑件204隔离并绝缘。第二导电环232围绕中央覆盖物203。第二导电环232是导电材料。绝缘环236被放置在第二导电环232和中央覆盖物203之间以将所述第二导电环232与中央覆盖物203隔离。绝缘环236的外径可以比晶片本身更小或更大或一样大。选择特定的直径以控制晶片倒角的上半部分上的保护层的沉积的精确的向内侧的限制。同样地，绝缘环228的外径可以比晶片本身更小或更大或一样大。选择特定的直径以控制晶片倒角的下半部分上的保护层的沉积的精确的限制。图3是示出计算机系统300的高阶框图，计算机系统300适合于实现在本专利技术的实施方式中所使用的控制器256。该计算机系统可以有许多的物理形式，范围从集成电路、印刷电路板、以及小的手持式装置直至巨型超级计算机。计算机系统300包括一个或多个处理器302，并且还可以包括电子显示装置304（用于显示图形、文本、及其它数据）、主存储器306（例如，随机存取存储器（RAM））、存储设备308（例如，硬盘驱动器）、可移动存储装置310（例如，光盘驱动器）、用户接口设备312（例如，键盘、触摸屏、小键盘、鼠标或其他指针设备，等等）、以及通信接口314（例如，无线网络接口）。通信接口314使得软件和数据能经由链路在计算机系统300和外部设备之间传输。该系统还可以包括通信基础设施316（例如，通信总线、交叉开关（cross-overbar）、或网络），上述的设备/模块连接到通信基础设施316上。经由通信接口314传输的信息可以采用例如电子信号、电磁信号、光信号或其他信号等信号形式，这些信号能够经由通信链路由通信接口314接收，该通信链路能够传送信号，并且可以通过使用电线或电缆、光纤、电话线、蜂窝电话链路、无线电频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围中央区域，所述方法包括：将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中；在所述晶片倒角上沉积保护层；将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除；在所述晶片的所述中央区域的至少一部分之上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层之上；以及形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.06 US 13/102,9231.一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围中央区域，所述方法包括：将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中；在所述晶片倒角上沉积保护层；将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除；在所述晶片的所述中央区域的至少一部分之上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层之上；以及形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物,其中，所述在所述晶片倒角上沉积所述保护层包括：提供含有硅烷气体和氧气的沉积气体；使所述沉积气体形成等离子体，其中，所述等离子体被限制仅在所述晶片倒角区域；仅在所述晶片倒角上沉积二氧化硅，其中，所述硅烷气体为所沉积的二氧化硅提供硅。2.如权利要求1所述的方法，其还包括将形成倒角等离子体处理室的部分的中央电介质覆盖物放置于离所述晶片的上表面的距离不大于0.75毫米处。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述保护层具有至少10nm的厚度。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述在所述晶片倒角上沉积所述保护层是在低于120℃的温度下进行的。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述在所述晶片的所述中央区域的至少一部分之上沉积所述金属层为沉积镍层。6.如权利要求2所述的方法，其还包括硬化所述沉积的二氧化硅。7.如权利要求6所述的方法，其中，所述硬化包括加热或紫外线处理所述沉积的二氧化硅。8.如权利要求6所述的方法，其还包括去除所述保护层上的所述金属层和所述保护层。9.如权利要求2所述的方法，其中，所述沉积所述保护层仅是在所述晶片倒角的所述表面上，而不是在所述晶片的所述中央区...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·费希尔，威廉·斯科特·贝斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：
国别省市：