一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2~20％。另，本发明专利技术实施例还公开了该有机电致发光器件的制备方法。本发明专利技术提供的有机电致发光器件，通过在空穴传输层中使用掺杂剂，提高了空穴注入能力，提高了器件的发光效率。

Organic electroluminescent device and preparation method thereof

The embodiment of the invention discloses an organic electroluminescent device, including sequentially stacked glass substrate, an anode conductive film, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light-emitting layer, a hole blocking layer, electron transport layer and cathode, a hole transport layer is made of composite hole transporting material and dopant formation, the the dopants are antimony halide, the hole transport layer material, the mass fraction of dopant is 2~20%. In addition, the embodiment of the invention also discloses the preparation method of the organic electroluminescent device. The organic electroluminescent device of the invention improves the hole injection capability and improves the luminous efficiency of the device by using dopant in the hole transport layer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件相关领域，尤其涉及。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W、寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供，通过采用金属锑的卤化物作为空穴传输掺杂剂，提高空穴注入的能力，提高有机电致发光器件的发光效率，空穴传输层采用旋涂制备，方法简单易行。本专利技术实施例提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂与所述空穴传输材料的摩尔比为0.Ο1-Ο.5:1。优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、掺锌的氧化锡(ΙΖ0)或掺铝的氧化锌(AZO);更优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)。优选地，阳极导电膜的厚度为70-l00nm。空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，掺杂剂为铺的卤化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂与空穴传输材料的摩尔比为0.Ο1-Ο.5:1。空穴传输层采用掺杂结构，可以提高空穴注入能力。优选地，锑的卤化物为三氯化锑(SbCl3)或五氯化锑(SbCl5)。优选地，空穴传输层的厚度为3(Tl00nm ;更优选地，空穴传输层的厚度为50nm。优选地，空穴传输材料为N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-Tro)、1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(了六?0、队^-二苯基州^’-二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯_4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，空穴传输层的空穴传输材料为N, N’ - (1-萘基)-N, N，- 二苯基-4，4，-联苯二胺(NPB)。优选地，电子阻挡层的材料为N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)、1，1-二 [4-[N, N' - 二 (ρ-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N, N’- 二苯基-N，N’-二 (3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4-三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB);更优选地，电子阻挡层的材料为1，1- 二 [4_[Ν，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC )。优选地，电子阻挡层的厚度为5~20nm ;更优选地，电子阻挡层的厚度为10nm。电子阻挡层的材料与空穴传输材料属于同一类材料,但一般来说，在同一发光器件中，电子阻挡层的材料与空穴传输材料选用不同材料。优选地，发光层的材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2(acac))、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy) 3)、4_ (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)_4H_吡喃(0(:1^)、8-羟基喹啉铝(4193)或5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)。优选地，发光层的厚度为l(T30nm ;更优选地，发光层的厚度为20nm。优选地，空穴阻挡层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen )、2，9_ 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ), N-芳基苯并咪唑(TPBI)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I’_联苯_4_羟基)铝(BAlq);更优选地，空穴阻挡层的材料为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, O8)-(I, I’ -联苯-4-羟基)铝(BAlq)。优选地，空穴阻挡层的厚度为5~20nm ;更优选地，空穴阻挡层的厚度为10nm。优选地，电子传输层的电子传输材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、2，9- 二甲基-4，7-联苯-1, 10-邻二氮杂菲(BCP)、I, 2，4-三唑衍生物(如TAZ),N-芳基苯并咪唑(TPBI)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1, O8)-(1，I’-联苯-4-羟基)铝(BAlq);更优选地，电子传输材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。优选地，电子传输层的厚度为2(Tl00nm ;更优选地，电子传输层的厚度为50nm。优选地，阴极为银(Ag)、招(Al)、钼(Pt)或金(Au);更优选地，阴极为银(Ag)。优选地，阴极的厚度为8(Tl20nm ;更优选地，阴极的厚度为IOOnm。相应地，本专利技术实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供清洁的玻璃基底，在经处理过的玻璃基底上采用电子束蒸镀或磁控溅射的方法制备阳极导电膜；在所述阳极导电膜上旋涂制备空穴传输层,所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂与所述空穴传输材料的摩尔比为0.Ο1~Ο.5:1 ；所述旋涂过程中的旋涂速度为100(T3000rpm，旋涂时间为20s ；在所述空穴传输层上依次蒸镀制备电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，得到有机电致发光器件。优选地，玻璃基底为市售普通玻璃。具体地，玻璃基底的清洁操作为:将玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、掺锌的氧化锡(IZO)或掺铝的氧化锌(AZO);更优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)。优选地，阳极导电膜的厚度为7(Tl00nm。阳极导电膜采用电子束蒸镀或磁控溅射的方法设置在玻璃基底上。优选地，磁控溅射过程中，真空度为4X 10_3Pa~2X 10_4Pa，溅射功率为5(T300W。另外，还可对蒸镀制备好导电膜的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂与所述空穴传输材料的摩尔比为0.01~0.5:1。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物，在所述空穴传输层的材质中，所述掺杂剂与所述空穴传输材料的摩尔比为0.0r0.5:1。2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述锑的卤化物为三氯化锑或五氯化锑。3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料为N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N，- 二苯基-N，N，- 二 (3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺、4，4’，4-三(咔唑-9-基)三苯胺或N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为3(Tl00nm。4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N，- 二苯基-N，N，- 二 (3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺、4，4’，4-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺；所述电子阻挡层的厚度为5~20nm。5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(2-苯基吡啶)合铱、4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羟基喹啉铝或5，6，11，12-四苯基萘并萘；所述发光层的厚度为 10...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，冯小明，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：