A method of manufacturing a light emitting diode, which comprises the following steps: providing the bearing plate and the connecting plate, the connecting plate is arranged on the bearing interval of two adjacent; provide the light emitting diode chip, the luminous diode chip are electrically connected to the corresponding two adjacent bearing plate; providing a substrate surface the substrate is mounted on the bearing plate; provide the mold, the mold comprises a mold and the mold cavity corresponding to the kernel; bearing between the plate is arranged on the die core and the die cavity, the mold cavity is a light emitting diode chip on substrate, pressing the mould, edge bending bearing in which exposed on the substrate along the cavity, the formation of the enclosure of the reflection cup light emitting diode chip.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体的制造方法，特别设计一种。
技术介绍
发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种照明场合之中，并大有取代传统光源的趋势。传统的发光二极管通常包括一绝缘基板、结合于绝缘基板上的电极结构、电连接该电极结构的发光芯片，为了改善发光二极管的发光特性，通常还在绝缘基板上形成覆盖绝缘基板及发光芯片的反射杯。然而，反射杯通常采用蚀刻或者模具注塑成型的方式形成，采用上述方法，步骤繁琐、操作过程复杂。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种制程简单的。一种，其包括如下步骤: 提供承载板及连接板，所述连接板间隔设置于二相邻的承载板之间；提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片依次电性连接至相应的二相邻的承载板上; 提供基板，所述基 板贴设于承载板的下表面； 提供模具，所述模具包括模仁及与所述模仁对应的模穴；及 将承载板置于所述模仁与模穴之间，使模仁正对发光二极管芯片，模穴正对基板，压合该模具，从而使外露于基板的承载板沿模穴的边缘弯折，形成围设发光二极管芯片的反射杯。本专利技术提供的，采用模具压合直接形成发光二极管的反射杯，制程简单快捷，易于操作，且由于该反射杯为金属反射杯，因此其反射能力比通常采用的塑胶的反射杯的反射能力更强，从而提高了发光二极管的发光效率，再由于该金属反射杯可以快速地将发光二极管芯片发出的热量导出，从而提高了该发光二极管的散热效果。下面参照附图，结合【具体实施方式】对本专利技术作进一步的描述。【附图说明】图1为本专利技术中的发光二极管制造方法的各步骤流程示意图。图2至图13为本专利技术中第一实施例中的发光二极管...
【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，其包括如下步骤：提供承载板及连接板，所述连接板间隔设置于二相邻的承载板之间；提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片依次电性连接至相应的二相邻的承载板上；提供基板，所述基板贴设于承载板的下表面；提供模具，所述模具包括模仁及与所述模仁对应的模穴；及将承载板置于所述模仁与模穴之间，使模仁正对发光二极管芯片，模穴正对基板，压合该模具，从而使外露于基板的承载板沿模穴的边缘弯折，形成围设发光二极管芯片的反射杯。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制造方法，其包括如下步骤: 提供承载板及连接板，所述连接板间隔设置于二相邻的承载板之间； 提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片依次电性连接至相应的二相邻的承载板上; 提供基板，所述基板贴设于承载板的下表面； 提供模具，所述模具包括模仁及与所述模仁对应的模穴；及 将承载板置于所述模仁与模穴之间，使模仁正对发光二极管芯片，模穴正对基板，压合该模具，从而使外露于基板的承载板沿模穴的边缘弯折，形成围设发光二极管芯片的反射杯。2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:所述反射杯的内表面为沿所述模穴边缘贴设的竖直面、弧形面或者斜面。3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:所述模仁的下表面具有缓冲层，所述缓冲层用以保护发光二极管芯片在模具合模过程中不受损坏。4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:还包括在基板的相对两侧分别形成第一导电层。5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于:所述第一导电层沿...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗杏芬，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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