The invention relates to a novel mask and an application of an ion implanter. The utility model belongs to the technical field of solar photovoltaic cells manufacturing. This is the main characteristics of the square graphite mask is hollow in the middle frame of the present invention is used to improve the basic point and line selective emitter process mask on the shape, and applied to the ion implantation process, with little cost to overcome the existing silicon ion implantation process has low shunt resistance the problem, to meet the market demand, maximize the battery efficiency and reliability, improve the quality of the battery.
【技术实现步骤摘要】
离子注入机的新型掩膜及使用
本专利技术涉及一种离子注入机的新型掩膜及使用。属于太阳能光伏电池制造
。
技术介绍
目前晶体硅太阳能电池产业化技术已经非常成熟，然而与常规能源相比，相对较高的成本与较低的效率制约了其发展，对于如何降低成本及提高转换效率，人们进行了大量的研究。离子注入机是一种新型掺杂的技术，先将掺杂杂质离化，然后通过磁场，电场进行筛选，加速，最后用扫描的方式打入硅片内部，形成PN节，可以明显提高电池效率，使单晶电池效率提高到19.5%以上，并且省去了湿法刻蚀工序，对提供太阳能的竞争力有较大作用。目前国内外推出了各种太阳能电池用的离子注入设备,如Varian, Intevac,也有一些电池厂商在试验室，或者生产现场使用，效率的确得到了提升，但是都存在一个问题，并联电阻偏低，这是因为在离子注入工艺中，对硅片边缘进行离子注入时，由于离子反射，会有一部分离子注入到硅片侧边，从而导致边缘导通，漏电，使并联电阻偏低。这将极大地影响良率，影响成本，影响电池的可靠性。通过相关分析，并联电阻偏低主要是由于边缘漏电引起的，边缘漏电又是由于离子注入时或多或少会有一些离子注入到硅片的边缘区域，导致在边缘区域导通，从而影响并联电阻。而目前没有设备厂家提供相关方案，以解决这个问题，这个问题正是急需解决的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种离子注入机的新型掩膜及使用，通过本专利技术解决上述现有技术存在的并联电阻偏低，极大地影响良率，影响成本，影响电池的可靠性的缺陷，使离子注入设备在提高太阳能电池效率的同时，并联电阻也不会出现偏低的现象，从而改善电...
【技术保护点】
一种离子注入机的新型掩膜，其特征是，所述掩膜为中间镂空的正方形石墨框。
【技术特征摘要】
1.一种离子注入机的新型掩膜，其特征是，所述掩膜为中间镂空的正方形石墨框。2.根据权利要求1所述的离子注入机的新型掩膜，其特征是，所述石墨框中镂空的图形为正方形。3.根据权利要求1所述的离子注入机的新型掩膜，其特征是，所述掩膜内边长为154.5+/-1.5mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建东，
申请(专利权)人：中电电气扬州光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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