The invention discloses a method for preventing warpage of the wafer, which comprises the following steps: A, the wafer deposited on the oxide layer and the photoresist coated; step two, for exposure and development of the photoresist, exposing the oxide wafer scribing groove over the area; step three for ion implantation, ion through the oxide layer scribing groove over the area, injected into the silicon wafer; step four, to remove the photoresist and the oxide layer; step five, high temperature annealing process on the wafer after ion implantation, the ion implanted uniformly distributed in the scribing groove, the surface damage and repair of silicon. The present invention before the process might happen in the warpage of the wafer processing, can effectively prevent the occurrence of subsequent process in wafer warpage, prevent the wafer warpage caused by the yield of products is reduced, even stopping, falling phenomenon, can reduce cost, improve production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体晶圆的制造方法,具体涉及一种。
技术介绍
大规模集成电路和大功率电力电子器件的制造所使用的晶圆直径一般都比较大(直径为150mm以上),容易在热氧化、扩散等高温工艺过程中产生比较严重的硅片翘曲变形现象,为硅片的吸附和光刻工艺带来困难。具体来说,宏观上硅片由于变形无法吸附而报废;微观上硅片局部区域的变形会对光刻造成无法补偿修正的对准偏移,使器件的成品率和性能受到很大的影响。众所周知,硅晶体在710°C左右的半熔点以上就会产生塑性变形。而半导体制造中的热氧化和扩散工艺温度都远高于710°C,甚至达到1000°C以上。由塑性变形引起的硅片翘曲变形的原因很多,与高温处理过程中的装片方法、热处理温度和升降温速度都有关系。高温下的硅片会因本身的重力或温度梯度、降温方式产生的热应力引起位错在滑移面滑移,晶体中的少量位错和高温处理过程中产生的大量位错的滑移和运动造成了硅片的塑性变形。在硅材料方面,硅片在高温下的抗变形能力与硅片的常温机械强度、硅片的厚度及表面加工工艺,即面损伤状况密切相关:硅片常温机械强度越高,高温下的变形越小,薄硅片更容易发生翘曲变形,表面受损伤越小,抗变形能力越强。研究还发现,硅片的机械强度与硅中的氧氮杂质的含量和形态有关,氧与硅形成的络合物集团对位错有钉扎作用,使位错的滑移和运动受阻,难以滑移形成形变,因此一定的氧含量可以提高硅片的机械强度和高温抗翘曲变形能力。虽然提高硅片生产中的氧含量,可以增强硅片的高温抗翘曲变形能力,但是,氧会导致PN结漏电流增加,增大MOS器件的漏电流,因此,半导体制造中对硅片中氧的含量有严格 ...
【技术保护点】
一种防止晶圆翘曲变形的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶;步骤二,对光刻胶进行曝光、显影,暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层;步骤三,进行离子注入,离子穿过划片槽区域上方的氧化层,注入到硅片;步骤四,去除光刻胶和氧化层;步骤五,对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺,使所注入的离子在划片槽内均匀分布,并修复硅的表面损伤。
【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆翘曲变形的方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一,在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶; 步骤二,对光刻胶进行曝光、显影,暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层; 步骤三,进行离子注入,离子穿过划片槽区域上方的氧化层,注入到硅片; 步骤四,去除光刻胶和氧化层; 步骤五,对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺,使所注入的离子在划片槽内均匀分布,并修复娃的表面损伤。2.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法,其特征在于:所述步骤二中所暴露的划片槽区域是划片槽的一部分;或者是整个划片槽。3.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法,其特征在于:所述步骤三中注入离子的类型是氧离子、氮离子、碳离子中...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏波,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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