高速高精度缓冲电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管构成，所述第一MOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接电源正极输入端VINT，所述第二MOS管源极连接第三MOS管的漏极，栅极连接第四MOS管的栅极，所述第三MOS管3的源极连接直流电源VAA，栅极与第二MOS管源极连接，所述第四MOS管的源极与直流电源VAA连接，栅极连接电源正极输入端VINT。这种高速高精度缓冲电路输入和输出基本没有直流压降，输入电压VIN和输出电压VOUT基本相等，输出驱动能力强，直流增益高，可通过在第二MOS管栅极和漏极之间加补充电容来应付驱动大电容负载的情况；第四MOS管回路没有太多的负载，反馈速度快，适合高速电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

High speed and high precision snubber circuit

The utility model relates to a high speed and high precision by the first buffer circuit, MOS tube, second MOS tube, third MOS tube and MOS tube fourth, the first MOS tube is connected to a source electrode of VAA DC power supply, the gate is connected to the input voltage VIN, the drain is connected with the power input end of the positive end of VINT, the second MOS tube source a third MOS connected to the drain pipe, the gate is connected to the gate fourth MOS tube, the third MOS tube 3 is connected to a source electrode of the DC power supply of VAA, the gate and the second MOS tube source connection, the fourth MOS tube is connected with the DC power source VAA, the gate is connected to the input end of the positive pole of the power supply VINT. This kind of high speed and high precision of input and output buffer circuit without DC voltage, input voltage and output voltage of VIN VOUT is basically the same, the output drive capability, high DC gain, can be passed between gate and drain in second MOS with supplementary capacitance to cope with driving large capacitive load conditions; fourth MOS pipe loop without load too the feedback speed, suitable for high speed circuit.

【技术实现步骤摘要】
高速高精度缓冲电路
本技术涉及一种缓冲电路，尤其涉及一种高速高精度缓冲电路。
技术介绍
缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候，往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上，并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载；衡量缓冲的性能指标主要有带宽，线性度，低频电压增益，输出电压和输入电压越接近越好，期望增益为I。CMOS器件是采用互补金属氧化物半导体工艺制造出来的平面型场三端器件，被用来做开关或放大等，通常包括栅极、源极和漏极三个端口，栅极一般起控制作用，而源级跟随电路被广泛的运用到缓冲中，如附图1所示。主要的缺点是低频增益为0.8-0.9左右，对高精度的缓冲不适用，输入到输出有直流电压降，线性度比较差，依赖于输入电压和电压空。为了解决直流压降的问题，可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示，但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积，只有0.7左右。当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时，可以使用附图4所示电路提高增益。Ml为阈值电压较高的MOS管，M2为阈值电压较低的MOS管。Ml和M2的阈值电压差为Ml的源漏级电压。由于M1，M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化，Ml的源漏级电压也基本不随输入电压变化，导致Ml管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压。这种工艺比较昂贵。还有一种超级源级跟随电路如附图5所示，当输出电压有变化时，Ml和电流源Il形成一级放大到VINT,接着被M2和电流源12继续放大，并反馈回到输入。形成一个回路，使得整个电路有很强的驱动能力。主要的缺点是输入和输出之间的直流压降。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种能够适合高速电路的高度高精度缓冲电路。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的:一种高速高精度缓冲电路，由第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管构成，所述第一 MOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接电源正极输入端VINT，所述第二MOS管源极连接第三MOS管的漏极，栅极连接第四MOS管的栅极，所述第三MOS管3的源极连接直流电源VAA，栅极与第二 MOS管源极连接，所述第四MOS管的源极与直流电源VAA连接，栅极连接电源正极输入端VINT。优选的，所述第二 MOS管的栅极和漏极之间设置有电容。与现有技术相比，本技术的有益之处是:这种高速高精度缓冲电路输入和输出基本没有直流压降，通过匹配第一MOS管和第三MOS管的电流密度以及阈值电压，输入电压VIN和输出电压VOUT基本相等，输出驱动能力强，直流增益高，由于有负反馈，直流增益接近1，可通过在第二MOS管栅极和漏极之间加补充电容来应付驱动大电容负载的情况;第四MOS管回路没有太多的负载，反馈速度快，适合高速电路。【附图说明】:下面结合附图对本技术进一步说明。图1是已有源极跟随电路结构不意图；图2和图3是已有两级源极跟随电路结构不意图；图4是采用两种阈值电压的源级跟随电路结构示意图；图5超级源极跟随电路结构示意图；图6是本技术闻速闻精度缓冲电路结构不意图。图中:1、第一 MOS管；2、第二 MOS管；3、第三MOS管；4、第四MOS管。【具体实施方式】:下面结合附图及【具体实施方式】对本技术进行详细描述:图5所示一种高速高精度缓冲电路，由第一 MOS管1、第二 MOS管2、第三MOS管3和第四MOS管4构成，所述第一 MOS管I的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接电源正极输入端VINT，所述第二 MOS管2源极连接第三MOS管3的漏极，栅极连接第四MOS管4的栅极，所述第三MOS管3的源极连接直流电源VAA，栅极与第二 MOS管2源极连接，所述第四MOS管4的源极与直流电源VAA连接，栅极连接电源正极输入端VINT，为了能够应付驱动大电容负载的情况，所述第二 MOS管2的栅极和漏极之间设置有电容。这种高速高精度缓冲电路输入和输出基本没有直流压降，通过匹配第一 MOS管I和第三MOS管3的电流密度以及阈值电压，输入电压VIN和输出电压VOUT基本相等，输出驱动能力强，直流增益高，由于有负反馈，直流增益接近1，可通过在第二 MOS管2栅极和漏极之间加补充电容来应付驱动大电容负载的情况；第四MOS管4回路没有太多的负载，反馈速度快，适合高速电路。需要强调的是:以上仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高速高精度缓冲电路，由第一MOS管（1）、第二MOS管（2）、第三MOS管（3）和第四MOS管（4）构成，其特征在于：所述第一MOS管（1）的源极连接直流电源（VAA），栅极连接输入电压（VIN），漏极连接电源正极输入端（VINT），所述第二MOS管（2）源极连接第三MOS管（3）的漏极，栅极连接第四MOS管（4）的栅极，所述第三MOS管（3）的源极连接直流电源（VAA），栅极与第二MOS管（2）源极连接，所述第四MOS管（4）的源极与直流电源（VAA）连接，栅极连接电源正极输入端（VINT）。

【技术特征摘要】
1.一种高速高精度缓冲电路，由第一 MOS管(I)、第二 MOS管(2)、第三MOS管(3)和第四MOS管(4)构成，其特征在于:所述第一 MOS管(I)的源极连接直流电源(VAA)，栅极连接输入电压(VIN)，漏极连接电源正极输入端(VINT)，所述第二 MOS管(2)源极连接第三MOS管(3)的漏极，栅极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：