低漏电高速锁相环电荷泵电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Low leakage high speed phase locked loop charge pump circuit

The utility model relates to a low leakage high speed PLL charge pump circuit, the drain electrode is connected with the current source Mpcsr the first MOS tube source, the gate is connected to the input signal UP, the drain is connected to the second MOS tube source, gate and source of the second MOS tube is connected to the drain, grounding; MOS third the source electrode is connected with the voltage of VAA, the gate is connected to the drain, the drain is connected to the fourth MOS tube source, drain current source Mncsr source fourth MOS tube, the gate current source Mncsr is connected to the gate fifth MOS tube; Sixth MOS tube is connected to a source electrode voltage VAA, gate and drain are connected the current source Mpcsr gate current source, the source of Mpcsr is connected with the voltage VAA, the drain is connected with the switch tube Mswp source and drain connection switch switch Mswn source Mswp, Mswm gate switch connected to the input signal DN, the drain and the current source Mncsr source connection. The low leakage high speed phase locked loop charge pump circuit uses a switch on top structure to protect the safety factor of the charge pump circuit without the risk of turn-on.

【技术实现步骤摘要】
低漏电高速锁相环电荷泵电路
[0001 ] 本技术涉及一种电荷泵电路，尤其涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路。
技术介绍
锁相环指的是一种电路，由压控振荡器、除法器、频率相位比较器、电荷泵和环路滤波器等构成；通过形成一个相位的负反馈回路，来实现频率和相位锁定，可广泛运用到频率综合，倍频等应用中。一般锁相环的结构如图1所示，所述锁相环用的电荷泵有两个输入电流UP、DN0当UP和DN均为O时，SI和S2均关闭，UP和输入信号DN均为O。当UP为高，DN为O时，SI导通，输入信号UP不再为0，对VCON的电容充电，使得输出VCON电压上升；当即为0，DN为高时，S2导通，输入信号DN不再为O，对VCON的电容放电，使得VCON电压下降；当UP、DN均为高时，SI，S2导通，输入信号UP等于输入信号DN，干净电流为0，输出VCON没有变化。其具体的实现可分为开关在上和开关在下两种做法，如图2和图3所示。图2为开关在上电荷泵结构，其中Mncsr，Mpcsr管为电流源，Mswn, Mswp为开关管,实现S2和SI ;图3为开关在下电荷泵结构，其中Mncsr，Mpcsr管为电流源，Mswn, Mswp为开关管,实现S2和SI。对开关在下的电荷泵，一种改进方式如图4所不,用一个倒相器代替原来单个MOS管，这样在开关要被关断时，A点被拉到VAA，使得Mncsr管的源级为VAA，栅极和源级之间的电压差为负值，这样的Mncsr的漏电流就是pA级，原来的开关在上的电荷泵(图2)和开关在下的电荷泵(图3)栅极和源级之间的电压差均为0，漏电流将是nA级。但是，图4所示的电荷泵的一个缺点是,开关的速度比较慢,需要把A点的电荷全部冲放掉，而且对G点的干扰和噪声比较大，在输出电压比较低的时候，有逆向漏电的危险，从 VAA 到 Minvp 到 A 到 Mnscr 到 VCON0
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种没有你想导通危险的低漏电高速锁相环电荷泵电路。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的:一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、电流源Mpcsr、Mncsr和开关管Mswn、Mswp构成,所述第一 MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管的源极，第二 MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，所述第四MOS管栅极连接DNB电流，漏极连接电流源Mncsr的源极，所述电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极，漏极接地；所述第五MOS管的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，所述电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管Mswn的源极，所述开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。与现有技术相比，本技术的有益之处是:这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。【附图说明】:下面结合附图对本技术进一步说明。图1是锁相环结构示意图；图2是开关在上电荷泵电路结构示意图；图3是开关在下电荷泵电路结构示意图；图4是改进后的开关在下电荷泵结构示意图；图5是本技术低漏电高速锁相环电荷泵电路结构示意图。图中:1、第一MOS管；2、第二MOS管；3、第三MOS管；4、第四MOS管；5、第五MOS管；6、第六MOS管。【具体实施方式】:下面结合附图及【具体实施方式】对本技术进行详细描述:图5所示一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一 MOS管1、第二 MOS管2、第三MOS管3、第四MOS管4、第五MOS管5、第六MOS管6、电流源Mpcsr、Mncsr和开关管Mswn、Mswp构成，所述第一 MOS管I的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管2的源极，第二 MOS管2的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管3的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管4的源极，所述第四MOS管4栅极连接DNB电流，漏极连接电流源Mncsr的源极，所述电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管5的栅极，漏极接地；所述第五MOS管5的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管6的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，所述电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管Mswn的源极，所述开关管(Mswm)栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。具体的，该低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，当需要关闭的时候，将DN设为0，UPB和DNB电压为VAA’ UP为O，开关管MSWN关闭，第四MOS管4将A点上拉到第三MOS管3的源漏极电压差，确保开关管Mswn的源漏极电压差为负值，同理可以运用到开关管Mswp上，确保漏极电流为PA级。需要强调的是:以上仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一MOS管（1）、第二MOS管（2）、第三MOS管（3）、第四MOS管（4）、第五MOS管（5）、第六MOS管（6）、电流源（Mpcsr、Mncsr）和开关管（Mswn、Mswp）构成，其特征在于：所述第一MOS管（1）的源极连接电流源（Mpcsr）的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管（2）的源极，第二MOS管（2）的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管（3）的源极连接电压（VAA），栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管（4）的源极，所述第四MOS管（4）栅极连接DNB电流，漏极连接电流源（Mncsr）的源极，所述电流源（Mncsr）的栅极连接第五MOS管（5）的栅极，漏极接地；所述第五MOS管（5）的源极连接其栅极，漏极接地；所述第六MOS管（6）的源极连接电压（VAA），栅极和漏极均连接电流源（Mpcsr）的栅极，所述电流源（Mpcsr）的源极连接电压（VAA），漏极连接开关管（Mswp）的源极，栅极连接UPB电流，漏极连接开关管（Mswn）的源极，所述开关管（Mswm）栅极连接输入信号DN，漏极与电流源（Mncsr）的源极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，由第一 MOS管(I)、第二 MOS管(2)、第三MOS管(3)、第四MOS管(4)、第五MOS管(5)、第六MOS管(6)、电流源(Mpcsr、Mncsr)和开关管(Mswn、Mswp)构成,其特征在于:所述第一 MOS管(I)的源极连接电流源(Mpcsr)的漏极,栅极连接输入信号UP，漏极连接第二 MOS管(2)的源极，第二 MOS管(2)的栅极与源极连接，漏极接地；所述第三MOS管(3)的源极连接电压(VAA)，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管(4)的源极，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雄，
申请(专利权)人：苏州苏尔达信息科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：