一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法技术

本发明专利技术涉及一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法。其特点是，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。经过试用证明，采用本发明专利技术的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例30%以上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。其特点是，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。经过试用证明，采用本专利技术的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例30%以上。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
在物理冶金法单晶太阳能电池片生产过程中，由于人员操作失误、工艺稳定性不足或原材料原因，不可避免的会产生返工片。物理冶金法单晶太阳能电池片的生产过程主要包括以下几个流程:清洗制绒；扩散；刻蚀、去PSG ；PECVD ;丝网印刷、烧结、测试分选。可做返工处理的返工片主要是丝网印刷、烧结、测试分选前的几道工序产生的返工片。其中清洗制绒工序返工片类型主要包括:油污片、手印片、白斑片、局部泛白片、雨点片、水痕印片。扩散工序返工片类型包括:高方阻片、低方阻片、烧焦片、脏片。刻蚀工序返工片类型包括:过刻片、脏片。PECVD工序返工片类型包括:彩虹片、膜过厚片、膜过薄片。上述返工片的出现，若不做返工处理，它不仅影响物理冶金法单晶太阳能电池片的外观还会影响转换效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，能够减少电池片生产过程中返工片数量，提高返工片的转换效率及成品率。，其特别之处在于，包括如下步骤:(I)在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4% — 6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围:1.8kW，频率20— 40kHz，时间 300s—550s ；(2)在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55°C — 65°C，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围:1.8kff,频率20— 40kHz，时间250s—300so当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.55mL添加剂，8.2g NaOH，IOmL异丙醇；最后将步骤(2)得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可。其中返工片是指清洗制绒工序、扩散工序或刻蚀工序产生的返工片。其中返工片是指PECVD工序产生的返工片，并且先用质量浓度为8% —15%的HF溶液浸泡该返工片28— 35分钟，从而将其表面的减反射膜去掉，最后干燥即可。其中添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。经过试用证明，采用本专利技术的方法后，返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例30%以上，减少了由于物理冶金法返工硅片所需的化学品的使用量10%左右。【具体实施方式】本专利技术主要从以下几个方面解决上述技术问题，其中PECVD工序的返工片先用溶液浓度为10%HF溶液将其表面的减反射膜泡掉，浸泡时间为30分钟，甩干后将其和其它工序的返工片统一返回清洗制绒工序做统一处理。在清洗制绒工序预清洗采用高浓度H2O2和超声清洗结合，调节温度和清洗时间，配合满产状态下刚刚失效的制绒溶液，调整浓度、温度、制绒时间、单批化学品补加量。其中刚刚失效的制绒溶液具体是指:例如根据生产经验，制绒槽内新配置好的溶液恰好可以对10000片125硅片进行制绒，那么当10000片125硅片制绒完毕后即视为刚刚失效的制绒溶液，此时溶液酸度过高已经不再适合制绒。实施例1:1、在1#预清洗槽内加入双氧水溶液，溶液浸没过返工片(本例中返工片顶端位于液面下方Icm处)，溶液中双氧水质量浓度为5.3%，同时配合超声进行清洗返工片(超声功率及频率范围:1.8kW，频率30kHz，时间400s)；2、在2#预清洗槽内加纯水，纯水浸没过返工片(本例中返工片顶端位于液面下方Icm处)，控制温度为60°C，配合超声对返工片进行漂洗(超声功率及频率范围:1.8kW，频率30kHz ;时间 250s)；上述清洗完毕后的返工片可以直接用于正常的清洗制绒工序，也可以配合下列重新激活后的制绒槽内溶液进行清洗制绒，从而进一步节约成本。1、制绒槽内的溶液采用刚失效的165L溶液，先将制绒槽内的溶液排掉55L溶液，然后注入新的纯水55L稀释溶液，然后在稀释后的溶液内补加添加剂(即单晶硅片制绒辅助剂，昆山大远化工科技有限公司、制绒添加剂型号DY-810)、NaOH和异丙醇，用量为每一升稀释液补加1.55mL添加剂，8.2g NaOH, IOmL异丙醇。2、完成1#、2#预清洗槽配制、制绒槽溶液激活后:①分别取清洗制绒工序中产生的白斑、手印、脏污片等返工片2000片；扩散工序中产生的高方阻、低方阻、烧焦片等返工片2000片；刻蚀工序中产生的过刻、手印、脏污片等返工片2000片；PECVD工序产生的彩虹片、膜厚片、膜薄片等返工片2000片。②先将PECVD工序产生的返工片用质量浓度为10%的HF溶液浸泡该返工片30分钟，从而将其表面的减反射膜去掉，最后干燥。③将上述各工序产生的返工片分别插入花篮，放入提篮(每花篮25片，每提篮200片)。④经过1#、2#预清洗槽的预清洗、制绒槽内制绒、最后酸洗即可完成整个清洗制绒过程，再经过扩散、刻蚀去PSG、PECVD、丝网印刷、测试分选即可完成电池片的整个制成过程。【权利要求】1.，其特征在于，包括如下步骤: (1)在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4% — 6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围:1.8kW，频率20— 40kHz，时间 300s—550s ； (2)在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55°C—65°C，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围:1.8kW，频率20— 40kHz，时间250s—300s。2.如权利要求1所述的，其特征在于:当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.55mL添加剂，8.2g NaOH，IOmL异丙醇；最后将步骤(2)得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可。3.如权利要求1所述的，其特征在于:其中返工片是指清洗制绒工序、扩散工序或刻蚀工序产生的返工片。4.如权利要求1所述的，其特征在于:其中返工片是指PECVD工序产生的返工片，并且先用质量浓度为8%—15%的HF溶液浸泡该返工片28— 35分钟，从而将其表面的减反射膜去掉，最后干燥即可。5.如权利要求2所述的，其特征在于:其中添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。【文档编号】H01L21/02GK103531666SQ201310522024【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月29日 优先权日:2013年10月29日 【专利技术者】彭文强, 廖建刚, 丁艳, 李归利 申请人:宁夏银星能源股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理物理冶金法单晶硅返工片的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在1#预清洗槽内加入双氧水溶液并且浸没过返工片，溶液中双氧水质量浓度为4%—6%，同时配合超声清洗返工片，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间300s—550s；（2）在2#预清洗槽内加入纯水并且浸没过返工片，控制温度为55℃—65℃，同时配合超声对返工片进行漂洗，控制超声功率及频率范围：1.8kW，频率20—40kHz，时间250s—300s。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭文强，廖建刚，丁艳，李归利，
申请(专利权)人：宁夏银星能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：