一种阵列基板和显示器件制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示器件，其中的阵列基板包括玻璃基板，在玻璃基板上设置有第一缓冲层，金属薄膜设置在第一缓冲层上方，第一缓冲层和金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。通过在金属薄膜和第一缓冲层之间增加设置一层第二缓冲层，加热条件下，利用铜合金中除了铜之外的其他元素会析出到金属表面，退火后形成阻挡铜金属向半导体层扩散的第二缓冲层，避免金属元素的扩散影响半导体的特性，同时也能防止半导体材料中的物质扩散到金属薄膜中，能够增加金属薄膜与玻璃基板的附着能力，还能提高金属薄膜与第一缓冲层的结合能力。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板和显示器件，其中的阵列基板包括玻璃基板，在玻璃基板上设置有第一缓冲层，金属薄膜设置在第一缓冲层上方，第一缓冲层和金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。通过在金属薄膜和第一缓冲层之间增加设置一层第二缓冲层，加热条件下，利用铜合金中除了铜之外的其他元素会析出到金属表面，退火后形成阻挡铜金属向半导体层扩散的第二缓冲层，避免金属元素的扩散影响半导体的特性，同时也能防止半导体材料中的物质扩散到金属薄膜中，能够增加金属薄膜与玻璃基板的附着能力，还能提高金属薄膜与第一缓冲层的结合能力。【专利说明】一种阵列基板和显示器件
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板和显示器件。
技术介绍
为满足大尺寸液晶显示器的发展趋势，在进行TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)面板的制作过程中一般使用铜(Cu)作为阵列基板的栅线。在阵列基板的加工工艺过程中，在基板衬底(一般用玻璃)的表面沉积形成金属薄膜(Cu薄膜)，之后还要经过涂光刻胶形成光刻膜，紫外线透过掩膜板照射光刻膜，经过曝光显影得到需要形状的图形，再对基板表面进行刻蚀，形成栅线。再形成绝缘层、半导体薄膜，重复薄膜沉积和刻蚀，形成不同材料不同形状的薄膜。在玻璃的表面直接进行金属薄膜的沉积，由于金属Cu和玻璃直接接触时的附着能力较差，影响金属薄膜的沉积效果。另外金属Cu还可能扩散并通过绝缘层，还影响半导体的特性。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何增强金属Cu和玻璃之间的附着力，防止金属Cu向绝缘层扩散。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板上设置有第一缓冲层，所述金属薄膜设置在所述第一缓冲层上方，所述第一缓冲层和所述金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。进一步地，所述第二缓冲层、所述第一缓冲层和所述玻璃基板关于所述金属薄膜对称设置。进一步地，所述第一缓冲层的厚度为IO?500 A。 进一步地，所述第二缓冲层的厚度为50?500 A。进一步地，所述第一缓冲层的材质为钥、钛或钥合金。进一步地，所述钥合金为钥钛、钥钽、钥钨中的一种。进一步地，所述第二缓冲层的材质为铜合金。进一步地，所述铜合金为铜与以下任意一种元素组成的铜二元合金:钥、镁、铝、钽、鹤、I丐、银、银、镓或猛。进一步地，所述铜合金为铜与以下任意两种元素组成的铜三元合金:钥、镁、铝、钽、鹤、I丐、银、银、镓或猛。为解决上述问题，本专利技术也提供了一种显示器件，其中包括权利要求上述的阵列基板。(三)有益效果本专利技术实施例的一种阵列基板，包括玻璃基板，在玻璃基板上设置有第一缓冲层，金属薄膜设置在第一缓冲层上方，第一缓冲层和金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。通过在金属薄膜和第一缓冲层之间增加设置一层第二缓冲层，加热条件下，利用铜合金中除了铜之外的其他元素会析出到金属表面，退火后形成阻挡铜金属向半导体层扩散的第二缓冲层，避免金属元素的扩散影响半导体的特性，同时也能防止半导体材料中的物质扩散到金属薄膜中，能够增加金属薄膜与玻璃基板的附着能力，还能提高金属薄膜与第一缓冲层的结合能力。本专利技术还提供了基于上述阵列基板的显示器件。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的阵列基板的结构图；图2是本专利技术实施例提供的阵列基板的另一种结构图；图3是本实专利技术实施例提供的铜合金退火前后对比图；图4是本专利技术实施例提供的阵列基板退火前后对比图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板退火前后对比图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。目前显示器制作行业内在使用金属Cu做栅线时，通常采用钛(Ti)、钥(Mo)、钥钛合金(MoTi)和其他钥合金等做阵列基板的缓冲层。但是现有技术中的缓冲层只有一层，另夕卜，由于金属薄膜和缓冲层的材料不一样，刻蚀速度不相同，刻蚀所用的总时间多数是在花在腐蚀缓冲层上，缓冲层的刻蚀速率较慢，而金属薄膜的刻蚀速率较快，导致刻蚀后的坡度角很难控制。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，阵列基板包括玻璃基板00，其特征在于，在玻璃基板00上设置有第一缓冲层10,金属薄膜30设置在第一缓冲层10上方,第一缓冲层10和金属薄膜30之间还设置有第二缓冲层20。上述阵列基板通过在金属薄膜和第一缓冲层之间增加设置一层第二缓冲层，即用两层缓冲层代替原来的一层缓冲层，加热条件下，利用铜合金中除了铜之外的其他元素会析出到金属表面，退火后形成阻挡铜金属向半导体层扩散的第二缓冲层，避免金属元素的扩散影响半导体的特性，同时也能防止半导体材料中的物质扩散到金属薄膜中，能够增加金属薄膜与玻璃基板的附着能力，还能提高金属薄膜与第一缓冲层的结合能力。优选地，本实施例中的第二缓冲层20、第一缓冲层10和玻璃基板00还可以关于金属薄膜30对称设置。上述给出了玻璃基板上金属电极层的结构依次为第一缓冲层10、第二缓冲层20、金属薄膜30，其中的金属薄膜30为铜或铜合金。进一步地，本实施例中玻璃基板上金属电极层的结构还可以依次为:第一缓冲层10、第二缓冲层20、金属薄膜30、第二缓冲层20、第一缓冲层10，最后在靠近两侧的第一缓冲层外侧均有玻璃基板00，如图2所/Jn o优选地，本实施例对于图1和图2中的两种结构中的第一缓冲层10的厚度为10?500 A，为了不影响后续加工工艺的刻蚀效果，要尽量减小第一缓冲层的厚度，本实施例更优选的第一缓冲层10的厚度为50?150 A。第一缓冲层10的材质一般为钥(Mo)、钛(Ti)或钥合金。优选地，本实施例中优选的钥合金为钥钛合金(MoTi)、钥钽合金(MoTa)、钥钨合金(MoW)中的一种，除此之外还可以是其它钥合金。优选地，本实施例对于图1和图2中的两种结构中的第二缓冲层20的厚度为50?500 A,材质为铜合金。其中的铜合金为铜(Cu)与以下任意一种元素组成的铜二元合金:钥(Mo)、镁(Mg)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钙(Ca)、铌(Nb)、银(Ag)、镓(Ga)或锰(Mn)。或者铜合金为铜与以下任意两种元素组成的铜三元合金钥(Mo)、镁(Mg)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钙(Ca)、铌(Nb)、银(Ag)、镓(Ga)或锰(Mn)。现有技术中铜与玻璃基板直接接触，附着能力比较差，通过设置铜合金材质的第二缓冲层20，再结合第一缓冲层10能够增强金属薄膜30与玻璃基板00的附着能力。第一缓冲层10用户实现第二缓冲层20的铜合金能够更好地与玻璃基板00附着，防止第二缓冲层20中铜合金中的铜的扩散，同时还能防止IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)等氧化物半导体中的其他物质扩散到金属铜的里面。本实施例中的阵列基板上的金属电极层的加工步骤流程如下:首先在玻璃基板上形成铜电极材料层前，可以先在玻璃基板上形成10-500 A的Mo、Ti，或者Mo合金等第一缓冲层，用于第二缓冲层Cu合金更好的与玻璃附着。更有选的厚度为50-150 A,因为第一缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板上设置有第一缓冲层，所述金属薄膜设置在所述第一缓冲层上方，所述第一缓冲层和所述金属薄膜之间还设置有第二缓冲层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，张锋，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：