像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种像素结构及其制造方法。像素结构包括基板、晶体管、平坦层、多个接触窗以及像素电极层。晶体管配置于基板上且包括栅极、源极及漏极。平坦层配置于栅极、源极及漏极的一部分上。多个接触窗贯穿平坦层，且暴露出漏极的另一部分。像素电极层配置于平坦层上、接触窗中及漏极的另一部分上，且电性连接至漏极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种。像素结构包括基板、晶体管、平坦层、多个接触窗以及像素电极层。晶体管配置于基板上且包括栅极、源极及漏极。平坦层配置于栅极、源极及漏极的一部分上。多个接触窗贯穿平坦层，且暴露出漏极的另一部分。像素电极层配置于平坦层上、接触窗中及漏极的另一部分上，且电性连接至漏极。【专利说明】
本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种包括多个接触窗的。
技术介绍
在像素结构的工艺中，会在具有隔离作用的绝缘层形成接触窗(ContactWindow)，借以连接上下两层导电层。例如像素结构中，会在绝缘的平坦层上制作一个接触窗以曝露出漏极的一部分，使像素电极能与此部分的漏极作电性连接。在现有习知的像素结构工艺中，在形成接触窗后，为增加覆盖在平坦层上的像素电极与平坦层之间的附着力，会先对平坦层采用表面等离子体处理，再将像素电极覆盖在平坦层上。然而，此种做法需要多一道工艺，且有可能会导致良率损失或是产能下降。因此，如何改良现有习知像素结构的工艺与结构使其像素电极与平坦层之间能附着良好，是像素结构工艺中值得讨论的问题。由此可见，上述现有的像素结构工艺在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新型结构的，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的像素结构工艺存在的缺陷，而提供一种新型结构的，所要解决的技术问题是使其可解决其像素电极与平坦层间附着不佳的问题。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种像素结构，其中包括:基板；晶体管，配置于该基板上，且包括栅极、源极及漏极；平坦层，配置于该栅极、该源极及该漏极的一部分上；多个接触窗，贯穿该平坦层，且暴露出该漏极的另一部分；以及像素电极层，配置于该平坦层上、所述接触窗中及该漏极的该另一部分上，且电性连接至该漏极。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的像素结构，其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。前述的像素结构，其中所述的平坦层的材料为有机材料。前述的像素结构，其特征在于至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。前述的像素结构，其中所述的栅极配置于该基板上，且该晶体管更包括:绝缘层，配置于该栅极上；以及半导体层，配置于该绝缘层上，其中该源极连接至该半导体层的一端，且该漏极连接至该半导体层的另一端。前述的像素结构，其中所述的漏极的材质为金属。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种像素结构的制造方法，其中包括:提供基板；在该基板上形成晶体管，其中该晶体管包括栅极、源极及漏极；在该基板上形成平坦层，以覆盖该晶体管；形成多个贯穿该平坦层的接触窗，并使该接触窗暴露出该漏极的一部分；以及在该平坦层上、该接触窗中及该漏极的该部分上形成像素电极层。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的像素结构的制造方法，其特征在于在该基板上形成该晶体管的步骤包括:在该基板上形成该栅极；在该栅极上形成绝缘层；在该绝缘层上形成半导体层；以及在该半导体层的相对两端上分别形成该源极与该漏极。前述的像素结构的制作方法，其特征在于形成所述贯穿该平坦层的接触窗的步骤包括使至少部分所述接触窗位于该漏极的角落。前述的像素结构的制作方法，其中所述的像素电极层的材质为金属或透明导电材料。前述的像素结构的制作方法，其中所述的平坦层的材料为有机材料。前述的像素结构的制作方法，其中所述的漏极的材质为金属。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下:一种像素结构包括基板、晶体管、平坦层、多个接触窗以及像素电极层。晶体管配置于基板上且包括栅极、源极及漏极。平坦层配置于栅极、源极及漏极的一部分上。多个接触窗贯穿平坦层，且暴露出漏极的另一部分。像素电极层，配置于平坦层上、接触窗中及漏极的另一部分上，且电性连接至漏极。本专利技术提出一种像素结构的制造方法，包括下列步骤。首先，提供基板。接着在基板上形成晶体管，其中晶体管包括栅极、源极及漏极。再来，在基板上形成平坦层，以覆盖晶体管。之后，形成多个贯穿平坦层的接触窗，并使接触窗暴露出漏极的一部分。在平坦层上、接触窗中及漏极的一部分上形成像素电极层。借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点及有益效果:由于像素结构中形成多个接触窗，以增加像素结构的像素电极层与漏极间的接触面积，并以此增加覆盖在平坦层上的像素电极层与平坦层之间的附着力。此外，工艺中可省略对平坦层做表面等离子体处理的步骤，具简化制作流程的优点。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1A是本专利技术的一实施例的像素结构的俯视图。图1B是图1A的像素结构沿1-1’割面线的剖面示意图。图1C是应用本专利技术的像素结构的电泳显示装置的剖面示意图。图2A至图2J是绘示图1B的像素结构的制作流程的剖面示意图。100:像素结构110:基板120:晶体管121:栅绝缘层122a:掺杂材料层122b:金属材料层122:欧姆接触层123:保护层130:平坦层140:接触窗150:像素电极层160:共享电极200:电泳显示装置210:透明基板220:透明电极层230:微胶囊230a:电泳液230b:白色带电粒子230c:黑色带电粒子G:栅极S:源极D:漏极Dl:第一部分D2:第二部分C:半导体层SL:扫描线DL:数据线【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1A是本专利技术的一实施例的像素结构的俯视图，图1B是图1A的像素结构沿1_1’割面线的剖面示意图。请同时参阅图1A与图1B，以下将针对像素结构100的膜层结构进行描述。像素结构100包括基板110、晶体管120、平坦层130、多个接触窗140以及像素电极层150。晶体管120配置于基板110上。晶体管120包括栅极G、源极S及漏极D。平坦层130配置于栅极G、源极S及漏极D的第一部分Dl上。多个接触窗140贯穿平坦层130，且暴露出漏极D的第二部分D2。像素电极层150配置于平坦层130上、接触窗140中及漏极D的第二部分D2上，且电性连接至漏极D。在图1B中仅绘示出多个接触窗的其中一个，实际上如图1A的俯视图所绘示，像素结构100包括多个接触窗140。为了使图1A中各结构的位置关系能够清楚表现，图1A将像素电极层150绘示成透明的，以能清楚表现其所覆盖的结构。然而，如果像素电极层150材质为金属时，应是不透明的，因此图1A中像素电极层150底下的结构应会被遮避而看不到。请参阅图1B，详细而言，像素结构100的晶体管120更包括栅绝缘层121与半导体层C。栅绝缘层121配置于栅极G上，半导体层C配置于栅绝缘层121上。源极S与漏极D相隔一段距离。源极S连接至半导体层C的一端，且漏极D连接至半导体层C的另一端。此外，晶体管12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于包括：基板；晶体管，配置于该基板上，且包括栅极、源极及漏极；平坦层，配置于该栅极、该源极及该漏极的一部分上；多个接触窗，贯穿该平坦层，且暴露出该漏极的另一部分；以及像素电极层，配置于该平坦层上、所述接触窗中及该漏极的该另一部分上，且电性连接至该漏极。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建翰，王志诚，陈世芳，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：