一种纳米印章的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本发明专利技术提供的纳米印章的制备方法操作步骤简单，具有使用方便、灵活，效率高等优点，有利于推广应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本专利技术提供的纳米印章的制备方法操作步骤简单，具有使用方便、灵活，效率高等优点，有利于推广应用。【专利说明】
本专利技术涉及微加工领域，具体涉及。
技术介绍
传统的电子束加工纳米压印印章，刻蚀时去除速率慢，样品会受到一定程度的损伤，同时产率低，制备出来的产品不理想。
技术实现思路
专利技术目的:为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供的纳米印章的制备方法，工艺简单、效率高，适合推广应用。技术方案:为解决上述技术问题，本专利技术的采用的技术方案为:，包括如下步骤:( I)在基片上放置一层金属铬膜；( 2 )在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；(3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；(4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；(5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；(6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。作为优选，所述步骤(3)中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。作为优选，所述步骤(6)中的刻蚀在室温进行。有益效果:本专利技术提供的纳米印章的制备方法无需逐行扫描刻蚀，只需曝光一次，即可在大面积上形成图案，降低了制造成本；操作步骤简单，使用方便、灵活，提高压印效率，有利于推广应用。【具体实施方式】实施例一:，包括如下步骤:(I)在基片上放置一层金属铬膜；(2)在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；(3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；(4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；(5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；(6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。所述步骤(3)中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。所述步骤(6 )中的刻蚀在室温进行。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出:对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。【权利要求】1.，其特征在于，包括如下步骤: (1)在基片上放置一层金属铬膜； (2)在金色铬膜上旋涂一层光刻胶； (3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上； (4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上； (5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀； (6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。2.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于:所述步骤(3)中的全息曝光法米用的是He-CM激光器。3.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于:所述步骤(6)中的刻蚀在室温进行。【文档编号】G03F7/00GK103529645SQ201310514080【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2013年10月25日 【专利技术者】王晶 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米印章的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，
申请(专利权)人：无锡英普林纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：