一种制备硅纳米结构材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备硅纳米结构材料的方法，属于新材料与纳米材料领域。本发明专利技术采用氢氟酸溶液中的溶解氧作为氧化剂，利用原电池腐蚀技术在硅片表面刻蚀硅纳米结构，可实现多种形貌硅纳米结构材料的可控制备。使用本发明专利技术制备的硅纳米结构材料是优异的太阳能电池和光催化材料、热电材料和锂离子电池负极材料，具有广泛的应用前景和实用价值。本发明专利技术方法工艺简单，成本低廉，便于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备硅纳米结构材料的方法，其特征在于所述方法依次按如下步骤进行：(1)采用化学镀或真空热蒸发沉积技术在洁净的硅片表面上沉积一层金属银或金纳米颗粒薄膜；(2)采用光刻技术和真空热蒸发沉积技术在洁净的硅片表面上沉积一层规则的金属银或金纳米颗粒薄膜；(3)将步骤(1)得到的硅片和石墨棒或金、银、铂电极一起浸入含有氢氟酸溶液的容器中，并用导线将硅片和石墨棒或金、银、铂电极连接起来，在25?50摄氏度条件下反应完成后得到硅纳米结构材料；(4)将步骤(2)得到的硅片和石墨棒或金、银、铂电极一起浸入含有氢氟酸溶液的容器中，并用导线将硅片和石墨棒或金、银、铂电极连接起来，在25?50摄氏度条件下反应完成后得到硅纳米结构材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭奎庆，刘琳，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：