密封树脂片、电子部件封装体的制造方法及电子部件封装体技术

本发明专利技术提供利用树脂密封后的磨削而得到清洁且平滑、平坦的磨削面的密封树脂片及使用其的电子部件封装体的制造方法、以及利用该制造方法得到的电子部件封装体。本发明专利技术的密封树脂片，其在180℃热固化处理1小时后在磨削刀具的圆周速度1000m/min、进给螺距100μm、切削深度10μm的条件下磨削时磨削面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下，经过上述热固化处理后的该密封树脂片在100℃的肖氏硬度D为70以上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供利用树脂密封后的磨削而得到清洁且平滑、平坦的磨削面的密封树脂片及使用其的电子部件封装体的制造方法、以及利用该制造方法得到的电子部件封装体。本专利技术的密封树脂片，其在180℃热固化处理1小时后在磨削刀具的圆周速度1000m/min、进给螺距100μm、切削深度10μm的条件下磨削时磨削面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下，经过上述热固化处理后的该密封树脂片在100℃的肖氏硬度D为70以上。【专利说明】密封树脂片、电子部件封装体的制造方法及电子部件封装体
本专利技术涉及密封树脂片、电子部件封装体的制造方法及电子部件封装体。
技术介绍
近年来，电子设备的小型化、轻量化、高功能化的要求不断提高，相应地，构成电子设备的封装体也要求小型化、薄型化、高密度安装。在电子部件封装体的制作中采用具代表性的以下步骤:将固定于基板、临时固定材等的电子部件用密封树脂进行密封，并根据需要将密封物切割成电子部件单位的封装体。在这样的过程中，为了满足上述要求，提出了在树脂密封后对密封物进行磨削(背磨)来实现薄型化的技术(例如专利文献1、2等)。在倒装片BGA(Ball Grid Array)、倒装片SiP、扇入(fan-1n)型晶片级封装体、扇出(fan-out)型晶片级封装体等薄型半导体封装体的制造工序中，利用上述磨削的薄型化也成为重要的要素。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第3420748号专利文献2:日本专利第3666576号
技术实现思路
但是，在密封物的磨削时，有时利用磨石等磨削部件打磨密封树脂而生成丝状的磨削屑、或者因磨削屑在半导体芯片、凸块面上的附着等而导致磨削面的品质劣化、产生对磨削部件的损坏等。此外，不仅要求进行磨削，还要求磨削面的平滑化、平坦化。这是由于，磨削面的凹凸过大时，难以进行电子部件的精密安装，或者在后续工序的热处理时因该凹凸而产生密封体的裂纹等。在专利文献I及2中并未认识到由上述的磨削所致的不良情况、平滑化、平坦化，因此期望具体的解决方案。本专利技术的目的在于，提供利用树脂密封后的磨削而得到清洁且平滑、平坦的磨削面的密封树脂片及使用其的电子部件封装体的制造方法、以及利用该制造方法得到的电子部件封装体。本专利技术人等进行了深入研究，结果发现通过采用特定的密封树脂片能够解决上述问题，由此完成本专利技术。即，本专利技术的密封树脂片，其在180°C热固化处理I小时后在磨削刀具的圆周速度1000m/min、进给螺距100 μ m、切削深度10 μ m的条件下磨削时磨削面的平均表面粗糙度Ra为I μ m以下，经上述热固化处理后的该密封树脂片在100°C的肖氏硬度D为70以上。该密封树脂片在上述热固化处理后在规定条件下磨削时的平均表面粗糙度Ra为I μ m以下，因此在使用该密封树脂片密封电子部件后对所得的密封体进行磨削时可以得到平滑且平坦的磨削面。由此，能够进行小型化得以进展的电子部件的精密安装，同时能够防止磨削物的热处理时等的裂纹的产生。在上述平均表面粗糙度Ra超过I μ m时，磨削面的凹凸变得过大，在形成于电子部件表面的电极、在后工序形成的电极等中产生高低差，基板与电极等的密合性降低，无法达成精密安装，此外，在磨削物的热处理时等容易产生裂纹，使得电子部件封装体的可靠性降低。此外，由于经上述热固化处理后的该密封树脂片在100°C的肖氏硬度D为70以上，因此，即使当在对密封树脂片的固化物进行磨削的期间利用摩擦等对磨削面进行加热的情况下，磨削屑也不过是具有某种程度的硬度的极微细的小片状或粉状，可以容易地从磨削面去除，由此可以得到清洁的磨削面。在热固化处理后的肖氏硬度D小于70时，构成树脂呈软性，通过被磨削部件进行打磨而产生丝状的磨削屑，该磨削屑附着于电子部件的磨削面、磨削部件，引起未预期到的污染。另外，热固化处理条件、磨削条件及平均表面粗糙度Ra的测定条件各自的详细情况将记载于实施例中。经上述热固化处理后的该密封树脂片在25°C的肖氏硬度D优选为70以上。由此，即使在磨削的开始初期也能保持磨削屑的硬度，在从磨削工序的开始到结束均容易去除磨削屑，可以得到清洁的磨削面。经上述热固化处理后的该密封树脂片在25°C的拉伸储藏弹性模量优选为IGPa以上。由此，在磨削的开始初期，因密封体的弹性使从磨削部件施加于密封体的应力被分散，可以抑制其成为偏颇的磨削 状态，可以有效地实现磨削面的平坦化。经上述热固化处理后的该密封树脂片在100°C的拉伸储藏弹性模量优选为0.5GPa以上。由此，即使在利用磨削使磨削面处于加热状态的情况下，因密封体的弹性使从磨削部件施加于密封体的应力被分散，可以抑制其成为偏颇的磨削状态，从磨削开始到结束均可有效地实现磨削面的平坦化。经上述热固化处理后的该密封树脂片的玻璃化转变温度优选为100°C以上。通过使该密封树脂片具有上述构成，从而可以抑制磨削工序中密封树脂片的软化，可以得到高品质的磨削面。本专利技术还包括一种电子部件封装体的制造方法，其包括:密封工序，将电子部件用该密封树脂片进行密封；密封体形成工序，使上述密封树脂片热固化而形成密封体；以及磨削工序，对上述密封体的表面进行磨削以使上述密封体的磨削后的密封树脂片的磨削面的平均表面粗糙度Ra为I μ m以下，形成磨削体。根据本专利技术的制造方法，由于对使用该密封树脂片而得的密封体的表面进行磨削以使磨削后的平均表面粗糙度Ra为I μ m以下，因此可以有效地制造具有平滑且平坦、清洁的磨削面的电子部件封装体。该制造方法还可以包括对上述磨削体进行切割而形成电子组件的切割工序。该制造方法中，上述电子部件可以是半导体芯片，也可以是半导体晶片。在任一情况下均可有效地制造具有平滑且平坦、清洁的磨削面的电子部件封装体。本专利技术还包括利用该电子部件封装体的制造方法而获得的将一种或多种电子部件进行树脂密封而成的密封体、经过电子部件的树脂密封、磨削及切割而成的电子部件组件等的电子部件封装体。【专利附图】【附图说明】图1是示意性表示本专利技术的一个实施方式的密封树脂片的剖面图。图2A是示意性表示本专利技术的一个实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图2B是示意性表示本专利技术的一个实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。 图2C是示意性表示本专利技术的一个实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图2D是示意性表示本专利技术的一个实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图2E是示意性表示本专利技术的一个实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图3A是示意性表示本专利技术的另一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图3B是示意性表示本专利技术的另一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图3C是示意性表示本专利技术的另一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图3D是示意性表示本专利技术的另一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图3E是示意性表示本专利技术的另一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图4A是示意性表示本专利技术的又一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图4B是示意性表示本专利技术的又一实施方式的电子部件封装体的制造方法的一个工序的剖面图。图4C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封树脂片，其在180℃热固化处理1小时后在磨削刀具的圆周速度1000m/min、进给螺距100μm、切削深度10μm的条件下磨削时磨削面的平均表面粗糙度Ra为1μm以下，经所述热固化处理后的该密封树脂片在100℃的肖氏硬度D为70以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丰田英志，清水祐作，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：