一种导热绝缘封装材料制造技术

技术编号:9591481 阅读:111 留言:0更新日期:2014-01-22 22:35
本发明专利技术公开了一种导热绝缘封装材料,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树脂,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至90℃-110℃,然后用超声波处理30-50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150℃-160℃条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。通过上述方式,本发明专利技术导热绝缘封装材料为复合型绝缘材料,介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害,可以广泛适用于精密电子零部件的封装。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种导热绝缘封装材料,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树脂,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至90℃-110℃,然后用超声波处理30-50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150℃-160℃条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。通过上述方式,本专利技术导热绝缘封装材料为复合型绝缘材料,介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害,可以广泛适用于精密电子零部件的封装。【专利说明】一种导热绝缘封装材料
本专利技术涉及绝缘材料领域,特别是涉及一种导热绝缘封装材料。
技术介绍
随着电子设备和元器件向轻薄、精小化方向发展,散热在电子封装和热传导工业已经成为一个越来越重要的问题,具有导热绝缘作用的封装材料,对高频微电子元器件散热、提高器件工作效率、延长使用寿命等具有极其重要的作用。电子封装材料种类非常多,目前主要用的是环氧树脂封装材料,电子电气元器件的功率密度越来越大,对导热绝缘封装材料的导热性能要求也越来越高。 导热绝缘环氧树脂材料主要包括本体型和填充型,本体型工艺复杂、加工成本高;填充型是在环氧树脂中加入导热绝缘填料,按一定的方式复合而获得导热环氧树脂绝缘材料,由于现用的普通环氧树脂耐热性及韧性方面还存在其特有的缺陷,对于用于超精密、要求极高的电子零部件的封装还存在一定的缺陷。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种导热绝缘封装材料,采用改性纳米环氧树脂基充填导热绝缘材料,介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害,可以广泛适用于精密电子零部件的封装。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种导热绝缘封装材料,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树脂,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至90°C -110°C,然后用超声波处理30-50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150°C _160°C条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。在本专利技术的一个较佳实施例中,所述改性碳化硅粉末平均粒度为I μ m,表观密度为2.5g/cm3,纯度大于97%。在本专利技术的一个较佳实施例中,所述分散剂为阳离子型表面活性剂。在本专利技术的一个较佳实施例中,所述阳离子型表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。本专利技术的有益效果是:本专利技术一种导热绝缘封装材料,为改性碳化硅粉末导热绝缘材料充填纳米改性环氧树脂基体的复合型绝缘材料,该材料介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害,可以广泛适用于精密电子零部件的封装。【具体实施方式】下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述,以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。本专利技术实施例包括: 一种导热绝缘封装材料,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树脂,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至900C -110°C,然后用超声波处理30-50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150°C _160°C条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。所述改性碳化硅粉末平均粒度为I μ m,表观密度为2.5g/cm3,纯度大于97%。所述分散剂为阳离子型表面活性剂。所述阳离子型表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。实施例一:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有十六烷基三甲基溴化铵分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至100°c,然后用超声波处理35min,然后将其加入到环氧树脂中,在150°C条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂,把所得的改性环氧树脂和35%体积分数的经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末充分搅拌并超声波分散60min,加入固化剂邻苯二甲酸酐,继续搅拌,80°C下固化,得到改性纳米环氧树脂/改性碳化硅导热绝缘复合材料。实施例二:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有十六烷基三甲基溴化铵分散剂和硅烷偶联剂 的溶剂中,升温至 110°C,然后用超声波处理50min,然后将其加入到环氧树脂中,在160°C条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂,把所得的改性环氧树脂和30%体积分数的经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末充分搅拌并超声波分散60min,加入固化剂邻苯二甲酸酐,继续搅拌,80°C下固化,得到改性纳米环氧树脂/改性碳化硅导热绝缘复合材料。本专利技术揭示了一种导热绝缘封装材料,为改性碳化硅粉末导热绝缘材料充填纳米改性环氧树脂基体的复合型绝缘材料,该材料介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害,可以广泛适用于精密电子零部件的封装。以上所述仅为本专利技术的实施例,并非因此限制本专利技术的专利范围,凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【权利要求】1.一种导热绝缘封装材料,其特征在于,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树月旨,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至90°c -110°C,然后用超声波处理30-50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150°C -160°C条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。2.根据权利要求1所述的导热绝缘封装材料,其特征在于,所述改性碳化硅粉末平均粒度为I μ m,表观密度为2.5g/cm3,纯度大于97%。3.根据权利要求1所述的导热绝缘封装材料,其特征在于,所述分散剂为阳离子型表面活性剂。4.根据权利要求3所述的导热绝缘封装材料,其特征在于,所述阳离子型表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵 。【文档编号】C08K3/34GK103525012SQ201310447871【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年9月27日 【专利技术者】周巧芬 申请人:昆山市奋发绝缘材料有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种导热绝缘封装材料,其特征在于,所述导热绝缘封装材料由环氧树脂基体和导热绝缘填料经过均匀分散后得到,所述环氧树脂基体为经纳米二氧化硅处理的改性环氧树脂,所述导热绝缘材料为经硅烷偶联剂处理的改性碳化硅粉末,所述改性环氧树脂是由以下方式方式得到的:把纳米二氧化硅烘干,在搅拌状态下加入到溶有分散剂和硅烷偶联剂的溶剂中,升温至90℃?110℃,然后用超声波处理30?50min,然后将其加入到环氧树脂中,在150℃?160℃条件下加入催化剂,然后搅拌2h左右得到改性环氧树脂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周巧芬
申请(专利权)人:昆山市奋发绝缘材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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