本发明专利技术公开了一种高磁导率MnZn铁氧体材料的烧结方法，该方法分成四个阶段，主要有：a、第一个升温阶段；b、第二个升温阶段；c、保温阶段；d、降温阶段，本发明专利技术由于在升温、保温和降温的整个烧结过程中通过对温度和氧分压的控制，能够在较低的烧结温度下得到高磁导率MnZn铁氧体。应用本发明专利技术制备高磁导率MnZn铁氧体，具有烧结温度低、烧结周期短的优点，大大降低了MnZn铁氧体的烧结成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该方法分成四个阶段，主要有：a、第一个升温阶段；b、第二个升温阶段；c、保温阶段；d、降温阶段，本专利技术由于在升温、保温和降温的整个烧结过程中通过对温度和氧分压的控制，能够在较低的烧结温度下得到高磁导率MnZn铁氧体。应用本专利技术制备高磁导率MnZn铁氧体，具有烧结温度低、烧结周期短的优点，大大降低了MnZn铁氧体的烧结成本。【专利说明】
本专利技术涉及一种MnZn铁氧体材料的烧结方法，尤其涉及。
技术介绍
伴随着便携式移动电子设备的普及，多媒体通信、数字网络的高速发展，以及电磁兼容和抗电磁干扰等领域的需求，目前对高磁导率MnZn铁氧体材料提出了更高更新的要求。随着电子元器件的小型化,希望高磁导率MnZn铁氧体的磁导率越高越好。高磁导率 MnZn铁氧体的制备，除选用合适的主配方设计和合适的微量添加物外，烧结工艺的控制也是十分重要的。中国专利申请CN200710071536. 2、CN200810037005. 6、CN200810123262. I、 CN200910133726. UCN200910194706. 5.CN201010150330. 0 等主要通过选择主配方组成、添加剂设计和组合来提高MnZn铁氧体的磁导率，但没有对烧结工艺进行详细研究，而本专利技术人发现，烧结工艺的控制对提高磁导率非常重要。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术在制备高磁导率MnZn铁氧体材料所存在的问题，提供，经过该方法烧结后得到的MnZn铁氧体，其磁导率得到较大幅度的提高。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供，由以下步骤构成：a、第一个升温阶段：从室温升至500°C~70(TC，升温速率为0. 5^1. (TC /分钟，在大气气氛中进行；b、第二个升温阶段：从500°C~700°C升温到130(Tl450°C，升温速率为3.0~10. (TC /分钟，氧分压维持在2%以下；C、保温阶段：将温度维持在130(Tl45(rC，保温时间为广12小时，氧分压维持在 5~100% ；d、降温阶段：将温度从130(Tl45(rC降到室温，降温速率为0. 5^4. (TC /分钟，维持平衡氧分压。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤a中，所述第一个升温阶段在0. 5^0. 8°C /分钟的升温速率下将温度从室温升高到700°C。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤b中，所述第二个升温阶段在3. (T10. (TC /分钟的升温速率下将温度从700°C升高到130(Tl450°C，，氧分压维持在1%以下。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤c中，所述保温阶段将温度维持在135(Tl400°C，保温时间为7~12小时，氧分压维持在21~100%。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤d中，所述降温阶段在I. (T3. (TC /分钟的降温速率内将温度从135(T140(TC降到室温，降温过程维持平衡氧分压。可应用于本专利技术的高磁导率MnZn铁氧体材料包括主要由Fe203、Mn0、Zn0组成的高磁导率铁氧体。这些铁氧体也可以含有Si02、Ca0、V205、Bi203、Mo03、Ti02、Sn02、Co203、Nb205、 ZrO2、Ta2O5等其它微量添加剂成分，以改进其特性。本专利技术的有益效果是：I、本专利技术，由于在升温、保温和降温的整个烧结过程中控制了温度和氧分压，能够大大提高MnZn铁氧体的磁导率。2、应用本专利技术制备高磁导率MnZn铁氧体，烧结温度可以降低2(T50°C，大大降低了烧结成本，延长窑炉使用寿命。【具体实施方式】以下为本专利技术的【具体实施方式】，对本专利技术的技术特征做进一步的说明，但是本专利技术并不限于这些实施例。实施例I将由52mol%的Fe2O3, 23mol%的ZnO，25mol%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合I小时，然后在850°C下预烧2小时。以预烧后的粉料中质量为基准，在上述预烧料中加入辅助成分，添加的辅助成分(wt%)是:0. 01wt% 的 CaCO3,0. 04wt% 的 Bi2O3,0. 04wt% 的 MoO30 然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为0 25的标准环形磁心进行烧结。 烧结过程中，第一个升温阶段，该阶段从室温升高到700°C，升温速率为0. 8°C /分钟，升温在大气气氛中进行；第二个升温阶段，该阶段从700°C升高到1370°C，升温速率为5°C /分钟，升温阶段的氧分压维持在0. 7% ;在1370°C下保温8小时，氧分压维持在100% ;最后从 1370°C降到室温，降温速率为2V /分钟，降温过程维持平衡氧分压。用TH2816A型精密LCR测试仪在10kHZ/0. 25V、25°C下测试样品的初始磁导率，结果为16418。比较例I与实施例I相同，只是把从700°C升高到1370°C时的氧分压改为21%。用TH2816A型精密LCR测试仪在10kHZ/0. 25V、25°C下测试样品的初始磁导率，结果只有11539。实施例2将由52. 5mol%的Fe2O3, 23. 5mol%的ZnO，24mol%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合 I小时，然后在750°C下预烧2小时。以预烧后的粉料中质量为基准，在上述预烧料中加入辅助成分，添加的辅助成分（wt%)是:0. 02wt%的CaCO3,0. 03wt%的Bi2O3,0. 03wt%的MoO30 然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为0 25的标准环形磁心进行烧结。烧结过程中，第一个升温阶段，该阶段从室温升高到700°C，升温速率为0. 8°C /分钟， 升温在大气气氛中进行；第二个升温阶段，该阶段从700°C升高到1360°C，升温速率为6°C / 分钟，升温阶段的氧分压维持在0. 5% ;在1360°C下保温10小时，氧分压维持在21% ;最后从1360°C降到室温，降温速率为3°C /分钟，降温过程维持平衡氧分压。用TH2816A型精密LCR测试仪在lOkHz/O. 25V、25°C下测试样品的初始磁导率，结果为15369。比较例2与实施例2相同，只是把从700°C升高到1360°C时的升温速率改为1°C /分钟。用TH2816A型精密LCR测试仪在10kHZ/0. 25V、25°C下测试样品的初始磁导率，结果只有10287。实施例3将由52. 2mol%的Fe2O3, 23. 8mol%的ZnO，24mol%的MnO组成的原材料在砂磨机中混合 I小时，然后在800°C下预烧2小时。以预烧后的粉料中质量为基准，在上述预烧料中加入辅助成分，添加的辅助成分(wt%)是:0. 01wt% 的 CaCO3,0. 05wt% 的 Bi2O3,0. 05wt% 的 MoO30。 然后进行二次砂磨2小时,加入PVA后进行喷雾造粒,成型为0 25的标准环形磁心进行烧结。烧结过程中，第一个升温阶段，该阶段从室温升高到700°C，升温速率为0. 8°C /分钟， 升温在大气气氛中进行；第二个升温阶段，该阶段从700°C升高到1360°C，升温速率为6°C / 分钟，升温阶段的氧分压维持在0. 5% ;在1360°C下保温10小时，氧分压维持在21% ;最后从1360°C降到室温，降温速率为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高磁导率MnZn铁氧体材料的烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：a、第一个升温阶段：从室温升至500℃~700℃，升温速率为0.5~1.0℃/分钟，在大气气氛中进行；b、第二个升温阶段：从500℃~700℃升温到1300~1450℃，升温速率为3.0~10.0℃/分钟，氧分压维持在2%以下；c、保温阶段：将温度维持在1300~1450℃，保温时间为1~12小时，氧分压维持在5~100%；d、降温阶段：将温度从1300~1450℃降到室温，降温速率为0.5~4.0℃/分钟，维持平衡氧分压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高庞，李思秋，张建明，王育伟，张维，
申请(专利权)人：苏州天源磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。