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基于亥姆霍兹线圈和IGBT模块的均匀脉冲磁场发生器制造技术

技术编号:9587305 阅读:138 留言:0更新日期:2014-01-22 19:44
本发明专利技术提供了一种基于亥姆霍兹线圈和IGBT模块的均匀脉冲磁场发生器,其包括电源系统、脉冲电流形成系统、亥姆霍兹线圈装置、信号转换系统及同步触发模块,电源系统的开关电源将交流电源降压为直流后分别与脉冲电流形成系统、信号转换系统和同步触发模块连接并供电;所述亥姆霍兹线圈装置与脉冲电流形成系统相连接;所述信号转换系统的电/光转换器J2的输出端与脉冲电流形成系统中的脉冲形成模块M1的控制端连接;所述同步触发模块的输出端分别与信号转换系统的电/光转换器J1及电/光转换器J2相连接;本发明专利技术集成度高、使用寿命更长、工作频率更高、大大缩小了电路体积,并降低了整个电路的损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于亥姆霍兹线圈和IGBT模块的均匀脉冲磁场发生器,其特征在于,包括电源系统(1)、脉冲电流形成系统(2)、亥姆霍兹线圈装置(3)、信号转换系统(4)及同步触发模块(5),其中所述电源系统(1),包括电源、高压直流模块及开关电源,所述电源分别与高压直流模块的输入端、开关电源的输入端连接并供电;所述高压直流模块将所述电源提供的交流电源升压并转换为直流后,与脉冲电流形成系统(2)中IGBT单管K1的输入端连接进行供电;所述开关电源将所述电源提供的交流电源降压为直流后分别与脉冲电流形成系统(2)、信号转换系统(4)和同步触发模块(5)连接并供电;所述脉冲电流形成系统(2)包括IGBT单管K1、充电电阻R1、脉冲发生模块M1;所述IGBT单管K1、充电电阻R1和脉冲发生模块M1串联连接;所述亥姆霍兹线圈装置(3)包括安装平面、至少三个固定在安装平面上的支撑柱(15)和平行于所述安装平面的亥姆霍兹线圈(11),所述支撑柱(15)等距地分布在同一个圆周上,其中每一个支撑柱(15)上均具有环形槽Ⅰ(15?1)、环形槽Ⅱ(15?2)和环形凸台(14);所述环形槽Ⅰ(15?1)到安装平面的距离小于环形槽Ⅱ(15?2)到安装平面的距离,所述环形凸台(14)位于环形槽Ⅰ(15?1)和环形槽Ⅱ(15?2)之间;所述亥姆霍兹线圈(11)包括线圈Ⅰ和线圈Ⅱ;所述线圈Ⅰ卡在环形槽Ⅰ(15?1)内,从而固定在支撑柱(15)上;所述线圈Ⅱ卡在环形槽Ⅱ(15?2)内,从而固定在支撑柱(15)上;所述线圈Ⅰ到安装平面的距离小于线圈Ⅱ到安装平面的距离;所述亥姆霍兹线圈装置(3)与脉冲电流形成系统(2)相连接;所述信号转换系统(4)包括电/光转换器J1(4?1)及电/光转换器J2(4?2);所述电/光转换器J1(4?1)的输出端与脉冲电流形成系统(2)中的IGBT单管K1的控制端连接,电/光转换器J2(4?2)的输出端与脉冲电流形成系统(2)中的脉冲形成模块M1的控制端连接;所述同步触发模块(5)的输出端分别与信号转换系统(4)的电/光转换器J1 及电/光转换器J2相连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:米彦姚陈果李成祥蒋春张晏源周龙翔储贻道廖瑞金李剑
申请(专利权)人:重庆大学
类型:发明
国别省市:

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