平板可控硅组绝缘底壳制造技术

技术编号:9583480 阅读:167 留言:0更新日期:2014-01-16 12:04
本实用新型专利技术公开了一种平板可控硅组绝缘底壳,它包括壳体,在所述壳体上设有中间套管和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块,高导热绝缘块与壳体的底面平齐。采用上述方案的本实用新型专利技术可使大直径可控硅组合使用,壳体和中间套管采用绝缘材料一次浇注成型,高导热绝缘块既能满足绝缘要求又能实现导热要求,并且可承受大直径可控硅安装所需要的较大压紧力。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种平板可控硅组绝缘底壳,它包括壳体,在所述壳体上设有中间套管和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块,高导热绝缘块与壳体的底面平齐。采用上述方案的本技术可使大直径可控硅组合使用,壳体和中间套管采用绝缘材料一次浇注成型,高导热绝缘块既能满足绝缘要求又能实现导热要求,并且可承受大直径可控硅安装所需要的较大压紧力。【专利说明】平板可控硅组绝缘底壳
本技术涉及一种壳,尤其涉及一种应用于平板可控硅的绝缘底壳。
技术介绍
目前常见大直径可控硅绝缘导热底座,多应用于单只可控硅安装使用,若单只可控硅组合使用并同时满足导热和绝缘要求,方案复杂实现困难。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种平板可控硅组绝缘底壳,以解决现有技术中将单只可控硅组合使用结构复杂、难以实现的问题。为实现上述目的,本技术采用以下技术方案:本技术包括壳体,在所述壳体上设有中间套管和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块,高导热绝缘块与壳体的底面平齐。所述壳体四周设有壳体边沿,壳体边沿的高度为28?35mm。所述中间套管高度为42?46mm。与现有技术相比,采用上述方案的本技术可使大直径可控硅组合使用。壳体和中间套管采用绝缘材料一次浇注成型,高导热绝缘块既能满足绝缘要求又能实现导热要求,并且可承受大直径可控硅安装所需要的较大压紧力。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的结构示意图。【具体实施方式】如图1所示,本技术包括壳体1,在所述壳体上设有中间套管3和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块2,高导热绝缘块2与壳体I的底面平齐,保证导热效果。作为本技术的改进:所述壳体I四周设有壳体边沿,壳体边沿的高度为32mm,中间套管3高度为44_,均为有效绝缘距离,可实现电元件与外壳、紧固件安全绝缘。除此之外,壳体I边沿的高度可设置为28 mm、30 mm、35 mm,也可根据实际需要将其设置为28?35mm之间的任意数值;中间套管3的高度可设置为42 mm >43 mm >45 mm ,也可根据实际需要将其设置为42?46mm之间的任意数值。【权利要求】1.一种平板可控硅组绝缘底壳,它包括壳体(I),其特征在于:在所述壳体上设有中间套管(3)和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块(2),高导热绝缘块(2)与壳体(I)的底面平齐。2.根据权利要求1所述的平板可控硅组绝缘底壳,其特征在于:所述壳体(I)四周设有壳体边沿,壳体边沿的高度为28?35mm。3.根据权利要求1所述的平板可控硅组绝缘底壳,其特征在于:所述中间套管(3)高度为 42 ?46mm。【文档编号】H01L23/367GK203398096SQ201320535483【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年8月30日 优先权日:2013年8月30日 【专利技术者】张福贵, 魏广智, 程道星, 朱卫东, 孟苗苗, 王瑞芳 申请人:焦作华飞电子电器股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板可控硅组绝缘底壳,它包括壳体(1),其特征在于:在所述壳体上设有中间套管(3)和预留孔,预留孔内嵌有高导热绝缘块(2),高导热绝缘块(2)与壳体(1)的底面平齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张福贵魏广智程道星朱卫东孟苗苗王瑞芳
申请(专利权)人:焦作华飞电子电器股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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