本实用新型专利技术公开了一种金属陶瓷封装二极管外壳,包括在其上端设有内腔体的氧化铝陶瓷绝缘基片,在氧化铝陶瓷绝缘基片的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体和硬玻璃铁基封接合金外电极,在氧化铝陶瓷绝缘基片的内腔体的底部焊接有钼铜合金热沉,在钼铜合金热沉与硬玻璃铁基封接合金外电极之间设有无氧铜连接片。本实用新型专利技术采用低膨胀系数、高导热、低电阻率的金属和陶瓷材料,配合共晶合金焊料,在特殊的焊接工艺条件下,使产品成型,其气密性高、耐机械冲击和高低温冲击性能好,绝缘强度、耐电压等电性能优越,具有大电流负载、高功耗散热快的鲜明特点,采用这种设计结构的电子元器件的可靠性和使用寿命大为提高。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种金属陶瓷封装二极管外壳,包括在其上端设有内腔体的氧化铝陶瓷绝缘基片,在氧化铝陶瓷绝缘基片的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体和硬玻璃铁基封接合金外电极,在氧化铝陶瓷绝缘基片的内腔体的底部焊接有钼铜合金热沉,在钼铜合金热沉与硬玻璃铁基封接合金外电极之间设有无氧铜连接片。本技术采用低膨胀系数、高导热、低电阻率的金属和陶瓷材料,配合共晶合金焊料,在特殊的焊接工艺条件下,使产品成型,其气密性高、耐机械冲击和高低温冲击性能好,绝缘强度、耐电压等电性能优越,具有大电流负载、高功耗散热快的鲜明特点,采用这种设计结构的电子元器件的可靠性和使用寿命大为提高。【专利说明】ー种金属陶瓷封装ニ极管外壳
本技术涉及ニ极管封装
,尤其是涉及ー种金属陶瓷封装ニ极管外壳。
技术介绍
目前电子元器件普遍应用的塑封ニ极管外壳是由树脂材料和金属引线封装而成,此类外壳的优点是生产エ艺简单、价格低,缺点是气密性差,抗机械冲击和高低温冲击能力差,主要应用于低可靠性的民用市场领域。而普通设计的金属一陶瓷封装的ニ极管,其结构的局限性导致其器件无法应用于大电流、高功耗的尖端军事领域。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供ー种金属陶瓷封装ニ极管外壳,具有气密性高、耐机械冲击和高低温冲击性能好、能承受大电流负载、高功耗散热快的鲜明特点,以提高电子元器件的可靠性和使用寿命,使其能适用于高尖端领域。为解决上述技术问题,本技术的技术方案是:ー种金属陶瓷封装ニ极管外売,包括在其上端设有内腔体的氧化铝陶瓷绝缘基片,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体和硬玻璃铁基封接合金外电极,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的内腔体的底部焊接有钥铜合金热沉,在所述钥铜合金热沉与硬玻璃铁基封接合金外电极之间设有无氧铜连接片。作为ー种具体的实施方式,本技术在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的上端且位于硬玻璃铁基封接合金壳体内焊接有硬玻璃铁基封接合金内电极,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的下端的两侧分别设有硬玻璃铁基封接合金外电极,且两个硬玻璃铁基封接合金外电极分别通过无氧铜连接片与硬玻璃铁基封接合金内电极和钥铜合金热沉相连。作为另ー种具体的实施方式,本技术在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的上端的两侧分别设有内腔体,且在所述内腔体的底部均焊接有钥铜合金热沉,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片的下端的两侧分别设有硬玻璃铁基封接合金外电极,且所述硬玻璃铁基封接合金外电极通过无氧铜连接片与相对应的钥铜合金热沉相连接。采用了上述技术方案,本技术的有益效果为:本技术采用低膨胀系数、高导热、低电阻率的金属和陶瓷材料,配合共晶合金焊料,在特殊的焊接エ艺条件下,使产品成型,其气密性高、耐机械冲击和高低温冲击性能好,绝缘强度、耐电压等电性能优越,具有大电流负载、高功耗散热快的鲜明特点,采用这种设计结构的电子元器件的可靠性和使用寿命大为提尚。【专利附图】【附图说明】图1是本技术优选实施例的结构示意图;图2是本技术另ー种实施例的结构示意图;其中:1.氧化铝陶瓷绝缘基片,2.硬玻璃铁基封接合金壳体,3.钥铜合金热沉,4.硬玻璃铁基封接合金内电极,5.硬玻璃铁基封接合金外电极,6.无氧铜连接片,7.内腔体。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。如图1所示的本技术金属陶瓷封装二极管外壳的优选实施例,包括在其上端设有内腔体7的氧化铝陶瓷绝缘基片I,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体2和硬玻璃铁基封接合金外电极5,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的内腔体7的底部焊接有钥铜合金热沉3,在所述钥铜合金热沉3与硬玻璃铁基封接合金外电极5之间设有无氧铜连接片6。其中,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的上端且位于硬玻璃铁基封接合金壳体2内焊接有硬玻璃铁基封接合金内电极4,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的下端的两侧分别设有硬玻璃铁基封接合金外电极5,且两个硬玻璃铁基封接合金外电极5分别通过无氧铜连接片6与硬玻璃铁基封接合金内电极4和钥铜合金热沉3相连。如图2所示的本技术金属陶瓷封装二极管外壳的另一种实施例,包括在其上端设有内腔体7的氧化铝陶瓷绝缘基片I,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体2和硬玻璃铁基封接合金外电极5,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的内腔体7的底部焊接有钥铜合金热沉3,在所述钥铜合金热沉3与硬玻璃铁基封接合金外电极5之间设有无氧铜连接片6。其中,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的上端的两侧分别设有内腔体7,且在所述内腔体7的底部均焊接有钥铜合金热沉3,在所述氧化铝陶瓷绝缘基片I的下端的两侧分别设有硬玻璃铁基封接合金外电极5,且所述硬玻璃铁基封接合金外电极5通过无氧铜连接片6与相对应的钥铜合金热沉3相连接。本技术中各部件所采用材料为:硬玻璃铁基封接合金外电极5和硬玻璃铁基封接合金内电极4:4J29 (Kovar);钥铜合金热沉3:MoCu40 ;无氧铜连接片6:TU1;氧化铝陶瓷绝缘基片1:95%以上Al2O3 ; 硬玻璃铁基封接合金壳体2:4J29 (Kovar)。除无氧铜连接片6外,其他材料都为低膨胀系数配比,其接近的线膨胀特性,低应力设计,既保证器件的焊接强度,且具有高气密性的优点。采用金属与陶瓷封装形式,其本身材料的特性,能满足军用骤冷骤热的恶劣环境,高低温冲击范围可达-65?150 °C。氧化铝陶瓷具有介质损耗小,体积电阻大的优点,其保证器件的高绝缘性和高耐压的特点,使各电路之间互不干扰,稳定运行。无氧铜作为大电流工作载体,其低电阻率,高导热性,极低的杂质含量等特点,当高能量的瞬时过压脉冲时,器件工作阻抗立即降至到很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。钥铜材料的热沉作为芯片的直接载体,具有钥的低膨胀特性又具有铜的高导电导热性能,与芯片能较好匹配,在大电流工作时能快速将芯片温度散去,保证芯片工作的稳定性以及整个电路的安全。 本技术不局限于上述具体的实施方式,本领域的普通技术人员从上述构思出发,不经过创造性的劳动,所作出的种种变换,均落在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种金属陶瓷封装二极管外壳,其特征在于:包括在其上端设有内腔体(7)的氧化铝陶瓷绝缘基片(1),在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(I)的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体(2)和硬玻璃铁基封接合金外电极(5),在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(I)的内腔体(7)的底部焊接有钥铜合金热沉(3),在所述钥铜合金热沉(3)与硬玻璃铁基封接合金外电极(5 )之间设有无氧铜连接片(6 )。2.如权利要求1所述金属陶瓷封装二极管外壳,其特征在于:在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(I)的上端且位于硬玻璃铁基封接合金壳体(2)内焊接有硬玻璃铁基封接合金内电极(4),在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(I)的下端的两侧分别设有硬玻璃铁基封接合金外电极(5),且两个硬玻璃铁基封接合金外电极(5)分别通过无氧铜连接片(6)与硬玻璃铁基封接合金内电极(4)和钥铜合金热沉(3)相连。3.如权利要求1所述金属陶瓷封装二极管外壳,其特征本文档来自技高网...
【技术保护点】
?一种金属陶瓷封装二极管外壳,其特征在于:包括在其上端设有内腔体(7)的氧化铝陶瓷绝缘基片(1),在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(1)的上、下两端分别焊接有硬玻璃铁基封接合金壳体(2)和硬玻璃铁基封接合金外电极(5),在所述氧化铝陶瓷绝缘基片(1)的内腔体(7)的底部焊接有钼铜合金热沉(3),在所述钼铜合金热沉(3)与硬玻璃铁基封接合金外电极(5)之间设有无氧铜连接片(6)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:费建超,
申请(专利权)人:浙江长兴电子厂有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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