真空沉积装置制造方法及图纸

提供了一种可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计且可提高沉积膜厚度的测量精度的真空沉积装置。在真空室（1）中布置有被沉积体（4）和多个蒸发源（2），所述真空室包括包围被沉积体（4）和多个蒸发源（2）之间的空间的筒状体（3）、以及膜厚度计（10）。所述装置被构造成使得从多个蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）穿过筒状体（3）内部，到达被沉积体（4）的表面，并且沉积在该表面上。在膜厚度计（10）与所述多个蒸发源（2）中的至少一个蒸发源（2）之间布置有导管（7），所述导管用于将从所述蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）引导至膜厚度计（10）。导管（7）在蒸发源（2）一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源（2）的开口表面大致相同的表面上或者所述蒸发源（2）的内部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空沉积装置
本专利技术涉及一种真空沉积装置，该真空沉积装置使沉积材料在真空气氛中蒸发并且使该蒸发的沉积材料沉积在被沉积体上。
技术介绍
在真空沉积装置中，在真空室中布置有蒸发源和被沉积体，并且在真空室中的压力减小的状态下使沉积材料蒸发并使其沉积在被沉积体上。在这种情况下，加热蒸发源并且使储存在蒸发源中的沉积材料熔化并蒸发，或者通过升华等来使沉积材料蒸发并且使蒸发的沉积材料积累并沉积在被沉积体的表面上。在这种真空沉积中，从蒸发源蒸发的沉积材料的平均自由程极长，并且蒸发的沉积材料在真空室中直线行进。然而，整个沉积材料并未行进至被沉积体。换句话说，整个沉积材料并未附着于被沉积体的表面，因而会降低沉积材料的利用率或沉积速度。因此公开了下列真空沉积装置(例如，专利文献I):筒状体包围这样的空间:其中，布置在真空室中的蒸发源和被沉积体彼此面对，并且使通过加热筒状体而从蒸发源蒸发的材料穿过该筒状体沉积在被沉积体的表面上。由此，已知了通过用筒状体包围具有蒸发源和被沉积体的空间来减少沉积材料利用率降低和沉积速度降低的方法。为了制造有机电致发光(EL)元件的发光层和载体输送层等，需要使多种沉积材料共沉积。在这种情况下还公开了使用多个蒸发源并且使多种蒸发的材料在所述材料的混合状态下沉积在被沉积体上的方法(例如，专利文献2)。同样在这种情况下，用筒状体来包围具有多个蒸发源和被沉积体的空间，以便减少沉积材料利用率的降低和沉积速度的降低。如上所述，当使多种蒸发的材料共沉积时，需要控制每种沉积材料的沉积速度以便使多种沉积材料以预定的混合比率沉积在被沉积体的表面上。因此，靠近每种沉积材料布置有膜厚度计，测量每种沉积材料的沉积速度，反馈控制每个蒸发源的加热器的加热温度，并且调节每种沉积材料的沉积速度以便符合预定的混合比率。现有技术文献专利文献专利文献1:日本未审申请公开N0.09-272703专利文献2:日本未审申请公开N0.2004-59982
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而在上述方法中，通过在筒状体的内表面上的反射或再蒸发来使蒸发的沉积材料混合。因此，用于测量某种沉积材料的沉积膜厚度的膜厚度计会附着上另一种无关的沉积材料。这有可能干扰用膜厚度计进行的沉积速度的正确测量和加热器中正确的反馈控制并且使沉积速度波动。特别地，当要测量膜厚度的沉积材料与全部沉积材料的混合比率低时，即几个百分点或者更低时，附着不测量膜厚度的另一沉积材料的影响会变得显著，并且正确测量膜厚度会变得困难。本专利技术解决了这一问题。本专利技术提供了一种真空沉积装置，其可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计，并且可提高沉积膜厚度的测量精度。解决问题的手段本专利技术的真空沉积装置在真空室中包括被沉积体、多个蒸发源、包围被沉积体和多个蒸发源之间的空间的筒状体、以及膜厚度计。在所述真空沉积装置中，从多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过筒状体，到达被沉积体的表面，并且沉积在该表面上。在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管，其将从蒸发源蒸发的沉积材料引导至膜厚度计。导管在蒸发源一侧上的开口表面布置在与蒸发源的开口表面大致相同的水平面上或者蒸发源的内部。在本专利技术中，优选地，导管延伸至蒸发源的内部，并且导管在蒸发源内部的一部分的长度是蒸发源开口表面面积的平方根的两倍或更多倍。在本专利技术中，所述多个蒸发源中的至少一个包括盖体，其布置在与蒸发源的开口表面大致相同的水平面上或者蒸发源的内部从而堵塞蒸发源的开口。盖体包括以下元件:沉积孔，其用于将从具有盖体的蒸发源蒸发的沉积材料引导至筒状体中；以及膜厚测量孔，其用于将从具有盖体的蒸发源蒸发的沉积材料引导至膜厚度计。优选地，在膜厚度计与膜厚测量孔之间布置有所述导管。优选地，在盖体上布置有开口面积控制装置，其允许调节沉积孔的开口面积。`优选地，在盖体上布置有`开口面积控制装置，其允许调节膜厚测量孔的开口面积。在本专利技术中，优选地，在盖体和导管中的至少一个中布置有加热机构，并且提供了用于控制该加热机构的调温机构。本专利技术的效果本专利技术的真空沉积装置可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计，因此可提高沉积膜厚度的测量精度。【附图说明】图1是示出本专利技术真空沉积装置一种实施方式的实施例的示意性剖视图。图2是示出所述真空沉积装置另一实施方式的实施例的局部放大的示意性剖视图。图3是示出所述真空沉积装置又一实施方式的实施例的示意性剖视图。图4是示出所述真空沉积装置再一实施方式的实施例的局部放大的示意性剖视图。图5是示出开口面积控制装置一种实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的沉积孔中。图6是示出所述开口面积控制装置另一实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的沉积孔中。图7是示出所述开口面积控制装置又一实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的沉积孔中。图8是示出开口面积控制装置一种实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的膜厚测量孔中。图9是示出所述开口面积控制装置另一实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的膜厚测量孔中。图10是示出所述开口面积控制装置又一实施方式的实施例的平面图，所述开口面积控制装置布置在所述真空沉积装置中的膜厚测量孔中。图11是示出本专利技术真空沉积装置另一实施方式的实施例的示意性剖视图。图12示出了当使用本专利技术实施方式中的真空沉积装置来实施沉积时的沉积速度的模拟结果。图13示出了所述沉积速度的另一模拟结果。图14示出了所述模拟结果中沉积速度与膜厚测量孔的直径之间的关系。【具体实施方式】以下描述了本专利技术的一个示例性实施方式。图1示出了本专利技术中真空沉积装置A—个示例性实施方式的实施例。在本专利技术的真空沉积装置中，可通过使用真空泵50来排气从而使真空室I的内部减压进入真空状态。在所述真空室I中布置有`筒状体3。该筒状体3由有底的方筒或圆筒制成，并且在筒状体3的上表面中形成有作为筒状体开口 3a的开口。在筒状体开口 3a上方布置有基板状的被沉积体4，以使得被沉积体4的下表面面向筒状体开口 3a。被沉积体4并未特别限定，并且可由玻璃基板等制成。在所述筒状体3的外周上绕有筒状体加热器36。可通过加热筒状体加热器36来加热筒状体3，所述筒状体加热器36由连接至筒状体加热器36的用于筒状体加热器的电源21供电。用于筒状体加热器的电源21布置在真空室I的外面。筒状体3包括用于筒状体的测温装置12，诸如能够测量温度的热电偶。用于筒状体的测温装置12电连接至布置在真空室I外面的筒状体温控器26。筒状体温控器26连接至用于筒状体加热器的电源21。通过这种配置，基于由用于筒状体的测温装置12测得的温度，可通过控制供给筒状体加热器36的电力来改变筒状体加热器36的热量，并且可调节筒状体3的温度。筒状体3的底部3c包括多个底孔3b，并且在每个底孔3b中接合并安装有蒸发源2。蒸发源2的上表面包括蒸发源开口 2a，并且该蒸发源开口 2a布置在与底部3c相同的水平面上。在图1的实施例中布置有包括第一蒸发源2x和第二蒸发源2y的两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空沉积装置，其在真空室中包括：多个蒸发源；被沉积体；包围被沉积体和所述多个蒸发源之间的空间的筒状体；以及膜厚度计，其中从所述多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过所述筒状体，到达所述被沉积体的表面，并且沉积在所述表面上，在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管，所述导管将从所述蒸发源蒸发的所述沉积材料引导至所述膜厚度计，并且所述导管在所述蒸发源一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.16 JP 2011-0583031.一种真空沉积装置，其在真空室中包括: 多个蒸发源； 被沉积体； 包围被沉积体和所述多个蒸发源之间的空间的筒状体；以及 膜厚度计， 其中 从所述多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过所述筒状体，到达所述被沉积体的表面，并且沉积在所述表面上， 在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管，所述导管将从所述蒸发源蒸发的所述沉积材料引导至所述膜厚度计，并且 所述导管在所述蒸发源一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部。2.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中 所述导管延伸至所述蒸发源的内部，并且所述导管的一部分的长度是所述蒸发源开口表面面积的平方根的两倍或更多倍，所述一部分存在于所述蒸发源的内部。3.如权利要求1或2所述的真空沉积装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫川展幸，西森泰辅，安食高志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：