【技术实现步骤摘要】
调光方法及电路及带该电路的可控硅调光电路
[0001 ] 本专利技术涉及电子领域,尤其涉及一种调光方法及电路及带该电路的可控硅调光电路。
技术介绍
可控硅调光是目前常用的调光方法,可控硅调光主要是采用相位控制方法来实现调压或调光,即在正弦波每半个周期控制可控硅导通,获得相同的导通角。通过改变触发脉冲的工作时间(或相位),可以改变导通角大小,导通角越大,调光器输出的电压越高,灯就越亮。图1为目前常用的可控硅调光电路,参见图1所示,可控硅101输出表征当前输入到负载LED的交流输入电压信号,交流输入电压信号经过整流电路102后得到直流输入电压信号Vg,将直流输入电压信号Vg输入至调光信号产生电路103,调光信号产生电路103根据直流输入电压信号Vg生成表征当前调光角度的调光信号;低通滤波器104对调光信号进行低通滤波,向比较电路105输出调光信号的平均值信号作为当前的输出电流参考信号,比较电路105比较该电流参考信号与表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,向驱动电路106输出比较信号,驱动电路106根据该比较信号向直流-直流变换器107输出驱动信号,以使直流-直流变换器107根据驱动信号实现对负载LED的发光亮度进行调节。但是,在进行本专利技术研究过程中,专利技术人发现现有技术的可控硅调光存在频闪,容易使人眼产生疲劳感。
技术实现思路
本专利技术实施例目的之一在于:提供一种调光方法,应用该技术方案有利于消除频闪。本专利技术实施例目的之二在于:提供一种调光电路,应用该技术方案有利于消除频闪。本专利技术实施例目的之三在于:提供一种带该调光电路的可控硅调光 ...
【技术保护点】
一种调光方法,其特征是,包括:根据当前的直流输入电压信号,生成调光信号;根据所述调光信号,生成所述调光信号的电压平均值信号;确定所述调光信号当前处于正半周期、或是处于负半周期,当所述调光信号当前处于所述正半周期时:比较所述电压平均值信号与表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第一比较信号,根据所述第一比较信号输出驱动信号,当所述调光信号当前处于所述负半周期时:比较所述电压平均值信号与所述表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第二比较信号,根据所述第二比较信号输出所述驱动信号。
【技术特征摘要】
1.一种调光方法,其特征是,包括: 根据当前的直流输入电压信号,生成调光信号; 根据所述调光信号,生成所述调光信号的电压平均值信号; 确定所述调光信号当前处于正半周期、或是处于负半周期,当所述调光信号当前处于所述正半周期时:比较所述电压平均值信号与表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第一比较信号,根据所述第一比较信号输出驱动信号,当所述调光信号当前处于所述负半周期时:比较所述电压平均值信号与所述表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第二比较信号,根据所述第二比较信号输出所述驱动信号。2.根据权利要求1所述的调光方法,其特征是, 确定所述调光信号当前处于正半周期、或是处于负半周期,包括: 根据所述调光信号在各所述正半周期、负半周期的工作时间长度,确定所述调光信号当前是处于所述正半周期、或是处于所述负半周期。3.根据权利要求1或2所述的调光方法,其特征是, 当所述调光信号当前处于所述正半周期时:比较所述电压平均值信号与表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第一比较信号,具体是: 当所述调光信号当前处于所述正半周期时:比较在当前所述正半周期内的所述电压平均值信号与所述输出电流反馈信号,输出所述第一比较信号。`4.根据权利要求1或2所述的调光方法,其特征是, 当所述调光信号当前处于所述负半周期时:比较所述电压平均值信号与所述表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第二比较信号,具体是: 当所述调光信号当前处于所述负半周期时:比较在当前所述负半周期内的所述电压平均值信号与所述输出电流反馈信号,输出所述第二比较信号。5.一种调光电路,其特征是,包括: 调光信号产生电路,用于根据当前的直流输入电压信号,生成调光信号; 电压平均值信号生成电路,与所述调光信号产生电路连接,用于根据所述调光信号,输出所述调光信号的电压平均值信号; 半周期选择电路,与所述电压平均值信号生成电路连接,用于: 确定所述调光信号当前处于正半周期、或是处于负半周期,当所述调光信号当前处于所述正半周期时,比较所述电压平均值信号与表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第一比较信号,当所述调光信号当前处于所述负半周期时,比较所述电压平均值信号与所述表征当前输出电流大小的输出电流反馈信号,输出第二比较信号; 驱动电路,与所述半周期选择电路连接,用于: 当所述调光信号当前处于所述正半周期时,根据所述第一比较信号输出驱动信号, 当所述调光信号当前处于所述负半周期时,根据所述第二比较信号输出所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓建,黄晓冬,
申请(专利权)人:矽力杰半导体技术杭州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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