一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。本发明专利技术不需要正反面进行两次镀膜，同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序，而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果，最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。

【技术实现步骤摘要】
—种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法
本专利技术涉及板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法。
技术介绍
现有技术中板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法包括如下步骤:(I)硅片去损伤层并制绒；(2) P扩散；(3)边缘刻蚀及去磷硅玻璃(PSG) (4)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；(5)正面SiN减反射薄膜生长；(6)背面激光开孔；(7)丝网印刷背银，背铝，正银；(8)烧结，测试。其存在的缺陷为:(I)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长、激光开孔需要添加2台价格昂贵的设备，二次镀膜工艺气体使用量增加，最终导致生产成本增加；(2)两次镀膜和激光开孔对硅片的内部损伤很大，影响电池片效率；(3)激光开孔硅片碎片率很高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题就是提供一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，简化工艺，降低成本，降低能耗，提升转换效率。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。优选的，所述透气孔呈蜂窝状分布。本专利技术在石墨框四周开设透气孔，使得工艺气体能均匀覆盖硅片的正反两面，通过微波法PECVD (Rothfcau)在硅片的正反面形成均匀的等离子体，同时在硅片的背面盖上一个挡板将背面硅片需要留出的点挡住，这样可以一次性在硅片正反面都镀上SiN薄膜，同时背面由于挡板作用形成了点接触的点。该专利技术不需要正反面进行两次镀膜，同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序，而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果，最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步描述:图1为石墨框开透气孔结构示意图；图2为硅片背面设置挡板结构示意图。【具体实施方式】下面结合图1和图2对本专利技术做出具体说明。一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其他步骤与现有技术相同。具体的,石墨框I环绕娃片2开透气孔3,在娃片的背面盖上一个挡板4将娃片背面需要留出的点5挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。本专利技术的优点:1、工艺相对简单，容易批量生产，不需要增加任何新的设备(200万)，降低了能耗，降低了生产成本；2、电池片转换效率提升0.3%以上，一片电池片可以提升功率0.0464W,按照现在3元/瓦计算，一片可以增收0.139元，一个月两条线以150万片产量计算可以增收0.139*150 万=20.85 万元，一年可以增收 20.85*12=250.2 万元。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其特征在于：石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。

【技术特征摘要】
1.一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其特征在于:石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪建林，
申请(专利权)人：浙江光普太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：