多层陶瓷电子元件制造技术

提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在陶瓷体内并使介电层插入内电极之间；以及外电极，该外电极与多个内电极电连接，其中，陶瓷体包括活性层和覆盖层，活性层对应于电容形成部，覆盖层形成在活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在陶瓷体的宽度方向的中间部分沿长度和厚度方向截取的陶瓷体的横截面中，覆盖层的平均厚度为小于或等于15μm，外电极包括导电金属和玻璃部，并且当玻璃部的沿外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls≤10μm。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子元件相关申请的交叉引用本申请要求于2012年6月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2012-0070259的优先权，该申请公开的内容作为参考结合于此。
本专利技术涉及一种通过防止电镀液(plating solution)渗入其中来改善可靠性的多层陶瓷电子元件。
技术介绍
根据电子产品的小型化趋势，对于具有高电容的小型多层陶瓷电子元件的需求增加。根据对于具有高容量的小型多层陶瓷电子元件的需求，多层陶瓷电子元件的外电极也已经变薄。外电极糊(external electrode paste)含有导电金属例如铜(Cu)作为主要材料，从而确保基片(chip)密封性和外电极与基片之间的导电性，并且外电极糊含有玻璃作为辅助材料，以在所述金属经过烧结收缩时提供外电极和基片之间的粘结，同时填充空隙(void)。但是，在外电极糊中的玻璃含量不足的情况下，基片密封性可能是无效的。在为了提高基片密封性而向外电极糊添加过多量的玻璃的情况下，由于玻璃洗脱(elution)到烧结的外电极的表面，会出现例如电镀缺陷等缺陷。具体地,根据外电极的薄，可能难以实现所需的致密度(level ofcompactness),并且可能增加因玻璃缺乏或过多而出现缺陷(由于玻璃的高温行为特性)的可能性。另外，在外电极的形状不规则的情况下，电镀液穿过外电极的相对薄的部分渗透的可能性显著增加，从而可能存在安全可靠性的问题。相关技术文件专利文件I日本专利公开N0.JP 2000-077258专利文件2日本专利公开N0.JP 2005-150659
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种多层陶瓷电子元件，通过防止电镀液渗入其中，该多层陶瓷电子元件具有改善的可靠性。根据本专利技术的一个方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括:陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及外电极，该外电极与所述多个内电极电连接，其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在所述陶瓷体的宽度方向的中间部分沿长度和厚度方向截取的所述陶瓷体的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15 μ m，所述外电极包括导电金属和玻璃部，并且当所述玻璃部的沿所述外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls≤10 μ m。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度S的25%的点处的所述外电极的厚度为Tl时，满足Tl/Tc≥0.8。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有多个所述内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc ≥0.5。所述玻璃部可以包括平均颗粒直径为2以下的玻璃颗粒。所述导电金属可以为选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)构成的组中的至少一者。所述玻璃部可以具有绝缘性。根据本专利技术的另一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括:陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及外电极，该外电极与所述多个内电极电连接，其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在所述陶瓷体的宽度方向的中间部分沿长度和厚度方向截取的所述陶瓷体的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15 μ m，所述外电极包括导电金属和玻璃部，并且当所述外电极中的所述玻璃部所占的面积的累积分布的50%的值为D50且所述面积的累积分布的90%的值为D90时，满足 0.1 ( D50/D90 ≥0.8。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度S的25%的点处的所述外电极的厚度为Tl时，满足Tl/Tc≥0.8。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有多个所述内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc ≥0.5。所述玻璃部可以包括平均颗粒直径为2 μ m以下的玻璃颗粒。所述导电金属可以为选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)构成的组中的至少一者。所述玻璃部可以具有绝缘性。根据本专利技术的另一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括:陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及外电极，该外电极与所述多个内电极电连接，其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在所述陶瓷体的宽度方向的中间部分沿长度和厚度方向截取的所述陶瓷体的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15 μ m,所述外电极包括导电金属和玻璃部，当所述玻璃部的沿所述外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls ≤ 10 μ m,并且当所述外电极中的所述玻璃部所占的面积的累积分布的50%的值为D50且所述面积的累积分布的90%的值为D90时，满足0.1 ≤ D50/D90 ≤ 0.8。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度S的25%的点处的所述外电极的厚度为Tl时，满足Tl/Tc≥0.8。当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有多个所述内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc ≥ 0.5。所述玻璃部可以包括平均颗粒直径为2 μ m以下的玻璃颗粒。所述玻璃部可以具有绝缘性。【附图说明】通过下面结合附图的详细说明，将更清楚地理解本专利技术的上述和其他方面、特征和优点，附图中:图1是示意地显示根据本专利技术的第一实施方式至第六实施方式的多层陶瓷电容器的立体图；图2是沿图1中B-B’线截取的横截面图；图3是图2的A部的根据本专利技术的第一实施方式的放大图；图4是图2的A部的根据本专利技术的第二实施方式的放大图；图5是图2的A部的根据本专利技术的第三实施方式的放大图；图6是图2的A部的根据本专利技术的第四实施方式的放大图。【具体实施方式】本专利技术的实施方式将参照附图予以详细说明。但是，本专利技术可以通过多种不同的形式实施，而不应理解为仅限于上述实施方式。相反地，提供这些实施方式以使公开充分和完全，并且能够向本领域技术人员充分地表述本专利技术的范围。附图中，为了清楚起见，可能放大了元件的形状和尺寸，并且将始终使用相同的参考标记来表示相同或相似的元件。图1是示意地显示根据本专利技术的第一实施方式至第六实施方式的多层陶瓷电容器的立体图。图2是沿图1中的B-B’线截取的截面图。图3是图2的A部的根据本专利技术的第一实施方式的放大图。参考图1至图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体包括介电层；多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及外电极，该外电极与所述多个内电极电连接，其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部，在所述陶瓷体的沿宽度方向的中间部分截取的所述陶瓷体的沿长度和厚度方向的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15μm，所述外电极包括导电金属和玻璃部，并且当所述玻璃部的沿所述外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls≤10μm。

【技术特征摘要】
2012.06.28 KR 10-2012-00702591.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括: 陶瓷体，该陶瓷体包括介电层； 多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及 外电极，该外电极与所述多个内电极电连接， 其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部， 在所述陶瓷体的沿宽度方向的中间部分截取的所述陶瓷体的沿长度和厚度方向的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15μπι， 所述外电极包括导电金属和玻璃部，并且 当所述玻璃部的沿所述外电极的长度方向的平均长度为Ls时，满足Ls < 10 μ m。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在沿所述厚度方向与所述电容形成部的中间部分相距所述陶瓷体的长度的25%的点处的所述外电极的厚度为Tl时，满足Tl/Tc ^ 0.8。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当在所述陶瓷体的沿厚度方向的中间部分的所述外电极的厚度为Tc，并且在形成有多个所述内电极的所述电容形成部的最外侧点的所述外电极的厚度为T2时，满足T2/Tc ^ 0.5。`4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述玻璃部包括平均颗粒直径小于或等于2 μ m的玻璃颗粒。5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述导电金属为选自由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钮I(Ag-Pd)构成的组中的至少一者。6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述玻璃部具有绝缘性。7.一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括: 陶瓷体，该陶瓷体包括介电层； 多个内电极，该多个内电极彼此相对地设置在所述陶瓷体内并使所述介电层插入所述内电极之间；以及 外电极，该外电极与所述多个内电极电连接， 其中，所述陶瓷体包括活性层和覆盖层，所述活性层对应于电容形成部，所述覆盖层形成在所述活性层的上表面和下表面中的至少一者上并对应于非电容形成部， 在所述陶瓷体的沿宽度方向的中间部分截取的所述陶瓷体的沿长度和厚度方向的横截面中，所述覆盖层的平均厚度为小于或等于15μπι， 所述外电极包括导电金属和玻璃部，并且 当所述外电极中的所述玻璃部所占的面积的累积分布的50%的值为D50，且所述面积的累积分布的90%的值为D90时，满足0.1 ( D50/D90 ( 0.8。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：具贤熙，朴明俊，李圭夏，崔多荣，朴财莹，权祥勋，全炳俊，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：