一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号；采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入，并通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号；采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入，并通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目。【专利说明】一、
:本专利技术提出了一种利用原子力显微镜(AFM)和开尔文探测技术(Kelvin Probe)在纳米硅浮栅结构中实现微观区域电荷注入和定量探测的新方法。二、
技术介绍
:对纳米硅在微观层面电荷注入的研究，特别是定量研究，是深入理解硅基材料的物理特性和提高硅基器件的状态性能的重要基础。但传统的电学测试如C-V测试只能获取试样的宏观性质，无法进一步获知其微观的电学效应。近年来，原子力显微镜与其开尔文探测扩展模式正被越来越多地应用于半导体材料和器件微观区域的形貌和表面电势的表征中，但在目前电荷注入效应的研究领域，表面电势变化只是间接反映了存储电荷的存在，而无法给出存储电荷的具体数量。本专利技术在纳米硅浮栅结构中利用原子力显微镜成功实现了微观区域中电荷的注入并使用开尔文探测技术结合数值计算得到了注入电荷的密度，该成果对纳米硅中的电学性质研究具有重要意义，并可适用于其他材料浮栅结构的研究之中。硅是半导体工业中最为重要的元素，它有着地壳资源丰富、提纯技术成熟、易于掺杂等优点而被广泛应用于集成电路场效应晶体管(MOSFET)和第一代单晶硅/多晶硅太阳能电池等器件中。但是一方面，随着集成电路的迅速发展，器件特征尺寸不断减小而逐步逼近物理极限，因此摩尔定律(即集成电路的集成度每18个月翻一番)面临即将失效的境地，对纳米尺度半导体物理和器件的研究就显得十分重要。另一方面，纳米科学与技术的蓬勃发展也推动了新型硅基材料与器件的制备和研究，比如纳米硅就因其独特的物理性质和广泛的应用前景而被大量研究。首先，由于体硅材料是间接带隙半导体，所以其发光过程需要声子的辅助参与，极大地降低了发光效率。而纳米硅由于波函数在动量空间的扩展而被认为是准直接带隙材料，且实验中已经观测到纳米硅的光致发光和电致发光现象。第二，由于量子限制效应，纳米硅中的载流子具有分立的和展宽的能级，这样光发射的波长就可以通过调节纳米硅的尺寸来实现；这一效应同样有望应用于第三代新型太阳能电池中，通过尺寸控制来实现太阳光谱全波段的响应，从而提高电池的效率；另外在理论上，高密度和尺寸均一的纳米硅材料中还可以形成类似超晶格材料中的微带，载流子在微带间的跃迁可以实现对中远红外光波的响应。第三，纳米硅的充电效应可被应用于非挥发性浮栅存储器中，相比于传统的多晶硅浮栅存储器，其写入过程采用直接隧穿而非Fowler-Nordheim (FN)隧穿,且纳米娃中的存储电荷相互隔离，因此具有功耗低、速度快和可靠性高等优点。而在这些纳米硅基器件中特别是对于浮栅存储器，纳米硅中的电荷注入是一个十分重要的基本物理过程，对该过程的研究特别是微观定量的研究就具有重要的意义和价值。另一方面，原子力显微镜(AFM)已作为一个重要而成熟的探测手段被广泛应用于纳米硅和其他纳米材料的研究中。近年来，原子力显微镜的许多电学扩展模式被开发出来，如静电力模式(EFM)，表面电势模式(KPFM)，扫描扩散电阻模式(SSRM)和导电模式(CAFM)，为材料微观层面的电学探测提供了有力的支持。其中，表面电势模式采用开尔文探测技术，探测样品在微观尺度的表面电势情况，这一模式可被用来探测微观区域的电荷注入和存储特性。但在现有的研究工作中，表面电势信号只是作为注入电荷的一种间接信息来使用，而缺乏对表面电势与注入电荷数目之间定量关系的分析。这就制约了人们对纳米硅在微观层面电荷注入效应的深入研究。因此，利用原子力显微镜实现纳米硅中微观电荷的注入，利用表面电势模式实现对注入电荷的探测，并且通过静电场分析得到表面电势与注入电荷量的定量关系就是一个尚待解决的而又十分具有研究意义的课题。三、
技术实现思路
:本专利技术目的是:对纳米硅中微观电荷注入过程的定量研究是提高纳米硅基器件性能的关键，本专利技术提出了一种基于原子力显微镜和表面电势探测技术实现对纳米硅中电荷注入微观定量的测试方法。本专利技术的目的是这样实现的，纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入和探测，通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目，包含以下三个步骤:I)纳米硅浮栅结构中微观区域电荷的注入纳米硅浮栅结构的样品是硅衬底上碳化硅/纳米硅/碳化硅(SiC/nc-Si/SiC)三明治结构；在室温和大气环境下，使用导电银浆将纳米硅浮栅结构样品的硅衬底与测试托盘粘连并使样品衬底接地，在原子力显微镜(德国Bruker公司，Nanoscope3D型号)轻敲模式(Tapping Mode)下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和-3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；由于原子力显微镜导电探针针尖曲率半径为20 - 30nm,并考虑到电荷探测时系统的分辨率，电荷注入时扫描范围可控制在边长为IOOnm -1 μπι的正方形区域，扫描速率为IHz。 2)纳米硅浮栅结构中注入电荷的探测电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式(KPFM)，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号。第一步在轻敲模式下先扫描试样的形貌线；紧接着第二步探针抬起一定高度(可根据试样表面粗糙度自行设定，一般在几十到几百纳米之间)探测试样的表面电势，此时控制电路给导电探针外加一直流交流混合电压信号，其中交流信号频率为导电探针共振频率，直流信号通过反馈系统自动控制而使探针的振动振幅为零，最后输出直流电压信号即为表面电势值。由于电荷的注入，表面电势的数值将发生变化。3)采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入通过静电场分析，将注入电荷引起的表面电势变化分解为硅衬底电势和纳米硅浮栅结构上的电势两部分:SP= ￥S+Vf,其中纳米硅浮栅结构的电势与注入电荷成正比(比例系数为等效电容):【权利要求】1.，其特征是利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入和探测，通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目，包含以下步骤: 1)纳米硅浮栅结构中微观区域电荷的注入 在室温和大气环境下，使用导电银浆将纳米硅浮栅结构的样品衬底与测试托盘粘连并使样品衬底接地，纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和-3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入； 2)纳米硅浮栅结构中注入电荷的探测 电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式(KPFM)，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号:第一步在轻敲模式下先扫描试样的形貌线；紧接着第二步探针抬起一定高度(几十到几百纳米之间)探测试样的表面电势，此时控制电路给导电探针外加一直流交本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，其特征是利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入和探测，通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目，包含以下步骤：1）纳米硅浮栅结构中微观区域电荷的注入在室温和大气环境下，使用导电银浆将纳米硅浮栅结构的样品衬底与测试托盘粘连并使样品衬底接地，纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；2）纳米硅浮栅结构中注入电荷的探测电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式（KPFM），此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号：第一步在轻敲模式下先扫描试样的形貌线；紧接着第二步探针抬起一定高度（几十到几百纳米之间）探测试样的表面电势，此时控制电路给导电探针外加一直流交流混合电压信号，其中交流信号频率为导电探针共振频率，直流信号通过反馈系统自动控制而使探针的振动振幅为零，最后输出直流电压信号即为表面电势值；由于电荷的注入，表面电势的数值将发生变化；3）采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入通过静电场分析，将注入电荷引起的表面电势变化分解为硅衬底电势和纳米硅浮栅结构上的电势两部分：SP＝ψs+Vf，其中纳米硅浮栅结构的电势Vf与注入电荷成正比：Vf=σ(dnc2ϵSi+dtnϵSiC),其中符号定义：dnc，dtn，εSi和εSiC分别为纳米硅层和底层碳化硅的厚度和介电常 数，σ为注入电荷面密度；硅衬底电势与注入电荷的关系需数值求解一维泊松方程：σim=+-2ϵSiβLDp{[exp(-βψs)+βψs-1]+np0pp0[exp(βψs)-βψs-1]}1/2式中σim=?σ为硅衬底中镜像电荷面密度，nn0和pn0为p型硅衬底中平衡态电子和空穴密度，β=q/kBT（q是单位电荷，kB为玻尔兹曼常数，T为温度），LDp=(εSi/qpp0β)1/2为硅衬底德拜长度。此式当ψs0时取负号；这样就根据实验所得表面电势通过数值求解超越方程组的方法定量获知注入电子或空穴的数目。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐骏，许杰，李伟，张鹏展，王越飞，徐岭，余林蔚，陈坤基，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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